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公开(公告)号：CN117943365A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410323087.X
申请日：2024-03-21
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种刷片包装一体机，涉及晶片处理技术领域，该刷片包装一体机包括密封清洁室、入料装置、清洁刷片装置、出料装置和包装机构，将入料装作设置在密封清洁室的一端，同时将清洁刷片装置设置在入料装置的一侧，从而实现对晶片的清洁动作，将出料装置设置在清洁刷片远离入料装置的一侧，并与清洁刷片装置连接，而包装机构设置在出料装置远离清洁刷片装置的一侧，并与出料装置连接，能够对晶片进行包装。相较于现有技术，本发明实现了刷片和包装一体化设计，保证了整体不会与外部污染源接触，同时避免了包装过程中造成晶片污染，由此避免刷片后的晶片接触到外界，避免了晶片二次污染的风险。
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公开(公告)号：CN117089932B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311265796.9
申请日：2023-09-27
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅生产领域，包括坩埚、籽晶固定机构及籽晶，籽晶固定机构包括支撑板，支撑板设置于坩埚内且开设有避位孔和与避位孔连通的通气槽，通气槽贯穿避位孔的内表面和支撑板的上表面，籽晶支撑于支撑板的上表面，籽晶遮盖避位孔的全部和通气槽的局部，以使流动至避位孔边缘的气相长晶组分通过通气槽穿过支撑板。通过设置通气槽导通籽晶的下表面与避位孔的内表面之间的夹角与支撑板的上方空间，使得气相长晶组分在向上流动至该夹角处时，可以通过通气槽穿过支撑板而不会在夹角处富集，从而降低晶体在籽晶边缘的生长速率，避免晶体局部形成“凹界面”和多晶生长，提高晶体的生长质量。
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公开(公告)号：CN117051480B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311030133.9
申请日：2023-08-15
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶片处理方法和系统，涉及碳化硅晶片处理技术领域，该方法首先切割晶锭得到晶片，然后对晶片的表面进行研磨，再将晶片放入退火坩埚，然后加热退火坩埚至1600℃‑2300℃，使得晶片的表面处于微熔融状态，再向处于微熔融状态的晶片的表面均匀吹气，从而消除晶片表面的形貌缺陷，冷却后对晶片进行精抛和清洗动作。相较于现有技术，本发明提供的晶片处理方法和系统，在研磨后再进行退火，能够有效消除切割和研磨带来的应力，避免应力反复累积，同时，通过温度控制使得晶片表面处于微熔融状态，并利用吹气方式，能够有效消除表面形貌缺陷，节省了后续的抛光时间，提升了处理效率。
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公开(公告)号：CN116716655B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310705595.X
申请日：2023-06-14
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种生长高质量碳化硅晶体的装置、方法及碳化硅晶体，涉及碳化硅晶体生长领域，本装置内设置有用于引导气相长晶组分流向籽晶的环形导流板，环形导流板上设置有均压结构，通过在环形导流板上设置该均压结构，可以有效减小环形导流板上方的第二腔室和下方的第一腔室的压差，使两个腔室的压力尽量接近，这样就可以有效降低气相长晶组分在环形导流板顶端和籽晶边缘之间的间隙处的流速，从而使得籽晶边缘的碳化硅晶体的生长速度与籽晶中心的碳化硅晶体的生长速度尽可能相同，进而避免生长在籽晶上的碳化硅晶体出现“凹界面”等缺陷，提高碳化硅晶体的生长质量。本方法制备的碳化硅晶体具有缺陷少，质量高的特点。
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公开(公告)号：CN117779178A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311825531.X
申请日：2023-12-26
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 张炜国
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置和方法，涉及碳化硅生长技术领域，该碳化硅晶体生长装置包括坩埚本体、坩埚盖、升降驱动组件、称重件和控制器，坩埚盖活动盖设在坩埚本体的顶端，升降驱动组件设置在坩埚盖上方，并与坩埚盖传动连接；称重件设置在升降驱动组件上，用于测量坩埚盖和碳化硅晶体的重量，并生成重量信息；控制器与升降驱动组件和称重件同时通信连接，用于依据重量信息控制升降驱动组件提升坩埚盖，以使碳化硅晶体的生长面与坩埚本体保持相对固定。相较于现有技术，本发明能够依据碳化硅晶体的生长情况来调整其生长面的位置，使得生长面的位置始终保持相对固定，避免轴向温度随时间成长有不同，保证晶体生长质量。
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公开(公告)号：CN117342560B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311657991.6
申请日：2023-12-06
申请人： 通威微电子有限公司
IPC分类号： C01B32/956
摘要： 本发明提供了一种碳化硅粉料合成方法，涉及碳化硅粉料合成技术领域，该方法首先将硅源和碳源依次放入合成坩埚，然后将合成坩埚在真空条件下进行升温脱气提纯，再向合成坩埚内通入稀有气体和纯化气体至0.2MPa，并保持恒正压，加热合成坩埚至2300‑2500℃并保持5‑50h，以使硅源会升华并通过挥发通道进入上部腔室并与碳源反应生成碳化硅粉体，再将冷却后的碳化硅粉体取出进行研磨，最后将研磨后的碳化硅分体进行二次提纯。相较于现有技术，本发明由于将碳源和硅源分开放置，并且硅源在恒正压情况下升华并合成碳化硅，可以有效减少絮状原料，增加高密度结晶颗粒料的占比，从而大幅提
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公开(公告)号：CN117059672B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311308702.1
申请日：2023-10-11
申请人： 通威微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L27/06 , H01L21/329 , H01L21/82
摘要： 本申请提供了一种集成SBD的半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该集成SBD的半导体器件包括：第一类型外延片；位于平面区表层的第二类型阱区，第二类型阱区与凸起区相邻；位于第二类型阱区表层的第一掺杂区与第二掺杂区；部分位于第二掺杂区表层的倾斜掺杂区，且倾斜掺杂区的另一部分延伸至凸起区下方的非阱区内；倾斜掺杂区的宽度小于第二掺杂区的宽度；位于凸起区内且靠近第二类型阱区一侧的第三掺杂区；位于第二类型阱区表面的栅极结构；位于第一掺杂区、第二掺杂区、倾斜掺杂区以及凸起区表面的接触层，其中，接触层与凸起区中除第三掺杂区以外的区域形成肖特基接触。本申请具有提高了器件电性能与可靠性，降低成本的优点。
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公开(公告)号：CN117187961A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311228737.4
申请日：2023-09-21
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种气动补料长晶设备和方法，涉及长晶设备技术领域。气动补料长晶设备包括单向阀、送粉器、第一气体支路、第二气体支路和旁通支路；单向阀安装在坩埚的底部，送粉器通过管路连接到单向阀、且与坩埚的内部连通，第一气体支路和第二气体支路均连接到送粉器、用于分别向送粉器中通入氩气和氮气，送粉器中用于装入硅粉，送粉器中的硅粉在氩气或氮气的冲力作用下补入到坩埚内，第一气体支路和第二气体支路输入的气体可通过旁通支路越过送粉器进入坩埚；该设备和方法能够在长晶过程中向坩埚内补入硅粉，改善坩埚内碳与硅的浓度比，提高长晶的良率，还能够使碳化硅粉末原料利用率提高，减少原料浪费。
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公开(公告)号：CN117051471A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311028451.1
申请日：2023-08-15
申请人： 通威微电子有限公司
发明人： 巴音图
摘要： 本发明提供了一种液相法生长碳化硅晶体的装置及方法，涉及碳化硅生产领域，该装置包括保温结构、坩埚及籽晶杆，保温结构包括固定保温件、升降保温件及升降驱动件，升降保温件可升降地设置于固定保温件内且与固定保温件的内壁共同围成保温腔，升降驱动件与升降保温件连接，用于驱动升降保温件升降，以调节保温腔的体积。坩埚设置于保温腔内，用于盛装含硅熔体。籽晶杆穿设升降驱动件且底部设置有用于生长碳化硅晶体的籽晶，籽晶能在籽晶杆的驱动下接触或者脱离含硅熔体。本装置及配套的方法通过设置体积可调节的保温腔，可以简单方便地调节对坩埚的加热效果，从而使得晶体的生长速率可以根据实际需要调节。
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公开(公告)号：CN117020937A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311116061.X
申请日：2023-08-30
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶片处理系统和方法，涉及碳化硅晶片处理技术领域，该碳化硅晶片处理系统包括激光切割装置、双面研磨装置和抛光装置，激光切割装置用于激光切割晶锭；双面研磨装置包括上研磨盘、下研磨盘和多个游星轮，通过激光切割装置对晶锭实现激光切割，从而取代常规的线切割方式，激光切割线宽更小，因此晶片物料的损失较小。并且，双面研磨时通过游星轮与多个第一顶辊和第二顶辊的啮合实现游星轮的转动，并且其中每个第一顶辊和每个第二顶辊均能够相对独立转动，在游星轮啮合的过程中，第一顶辊和第二顶辊能够发生微小的转动，从而减缓啮合过程中游星轮的齿轮的磨损，降低因为齿轮的应力变形造成滑片、爆盘的风险。
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