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公开(公告)号：CN115427891A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180026249.8
申请日：2021-03-18
申请人： 日产化学株式会社
摘要： 本发明的课题是提供对高低差基板也被覆良好、埋入后的膜厚差小、能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供成为该抗蚀剂下层膜形成用组合物的重要成分的聚合物、使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。解决手段是包含下述式(1)所示的化合物、和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。(式中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立地表示可以被取代的1价芳香族烃基，a、b、c、d各自为0或1，a+b+c+d＝1。)
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公开(公告)号：CN115398343A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180026798.5
申请日：2021-03-30
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要： 提供保存稳定性高、膜的固化开始温度低、升华物的产生量少、可以形成不溶出于光致抗蚀剂溶剂的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案形成法、和半导体装置的制造方法。包含能够交联的树脂、交联剂、下述式(I)所示的交联催化剂、和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。(A‑SO3)‑(BH)+[式中，A为可以被取代的直链、支链、或环状的饱和或不饱和的脂肪族烃基、可以被除羟基以外的基团取代的芳基、或可以被取代的杂芳基，B为具有6.5～9.5的pKa的碱。](A‑SO3)‑(BH)+ (I)。
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公开(公告)号：CN115151866A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202180016184.9
申请日：2021-01-29
申请人： 富士胶片株式会社
摘要： 一种感光性转印材料及其应用，所述感光性转印材料具备：临时支承体；及配置于临时支承体上的感光性树脂层，在临时支承体中，将比厚度方向的中心更靠感光性树脂层侧的区域设为第1区域，且将比厚度方向的中心更靠与感光性树脂层相反的一侧的区域设为第2区域时，第1区域中所包含的异物的个数少于第2区域中所包含的异物的个数。
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公开(公告)号：CN115136073A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202180015418.8
申请日：2021-02-25
申请人： 富士胶片株式会社
摘要： 本发明提供一种临时支承体的卷取性优异并且在从临时支承体侧对感光性组合物层进行图案曝光时的分辨率优异的转印薄膜以及使用所述转印薄膜的层叠体的制造方法。本发明的转印薄膜具有临时支承体和配置于临时支承体上的感光性组合物层，临时支承体的雾度小于30％，临时支承体的所述感光性组合物层侧的表面的偏度Rsk超过0.40。
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公开(公告)号：CN115004110A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202180009838.5
申请日：2021-07-02
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 游正义 , 萨曼塔·S·H·坦 , 穆罕默德·哈隆·阿尔维 , 理查德·怀斯 , 潘阳 , 理查德·A·戈奇奥 , 阿德里安·拉沃伊 , 希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴保蒂 , 蒂莫西·威廉·威德曼 , 林庆煌 , 杰罗姆·胡巴塞克
摘要： 在半导体衬底上制作薄膜的方法，该薄膜可以使用EUV进行图案化，该方法包括：将有机金属聚合物类材料沉积到半导体衬底的表面上，将表面暴露于EUV以形成图案，并显影图案以随后转移到下伏层。沉积操作可以通过化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和具有CVD成分的ALD来执行，具有CVD成分的ALD例如在任一时间或空间分离金属前体和逆反应物的不连续的、类似ALD的工艺。
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公开(公告)号：CN110161802B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201910501662.X
申请日：2016-07-20
申请人： 昭和电工材料株式会社
摘要： 本发明提供一种感光性元件、阻挡层形成用树脂组合物、抗蚀剂图案的形成方法以及印刷配线板的制造方法。所述阻挡层形成用树脂组合物用于形成依次具备支撑膜、阻挡层和感光层的感光性元件中的阻挡层，且含有水溶性树脂、碳数大于或等于3的醇类和水。所述感光性元件依次具备支撑膜、阻挡层和感光层，其即使不使用剥离促进剂也能够提高阻挡层与支撑膜的剥离性。
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公开(公告)号：CN114746468A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080084090.0
申请日：2020-11-26
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： C08G59/18 , C08G73/06 , G03F7/11 , C08G63/685 , C08G63/688
摘要： 本发明提供聚合物的制造方法，其包括：第一工序，其中，使包含嘧啶三酮结构、咪唑烷二酮结构或三嗪三酮结构的单体在有机溶剂中、季鏻盐或季铵盐的存在下反应而合成粗聚合物；和第二工序，其中，将上述第一工序中得到的含有粗聚合物的溶液与不良溶剂混合，使精制聚合物沉淀，滤离。
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公开(公告)号：CN114706275A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210151780.4
申请日：2022-02-18
申请人： 天津华慧芯科技集团有限公司
摘要： 本发明公开了一种防光刻胶漂胶和裂胶的工艺，属于半导体加工技术领域，包括：S1、选取所需材料的衬底作为待加工晶圆，然后在晶圆上加工套刻标记；S2、在晶圆上沉积过渡层；S3、对晶圆依次进行预处理、旋涂ZEP 520A光刻胶、烘烤，然后对晶圆进行套刻曝光，制作将目标图形线宽扩大后的图形，并对晶圆进行显影，最后进行烘烤坚膜；S4、刻蚀晶圆过渡层；S5、对晶圆进行去胶；S6、对晶圆依次进行预处理、旋涂ZEP 520A光刻胶、烘烤，然后对晶圆进行套刻曝光，制作目标图形，并对晶圆进行显影；S7、沉积目标金属；S8、对晶圆进行剥离；S9、去除过渡层，得到目标结构。本发明能够防止光刻胶漂胶和裂胶。
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公开(公告)号：CN108780279B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201780015881.6
申请日：2017-03-07
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要： 本发明的课题是提供，能够形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆用组合物。作为解决方法是一种光固化性高低差基板被覆用组合物，其包含化合物(E)和溶剂(F)，上述化合物(E)包含部分结构(I)和部分结构(II)，并且该部分结构(II)包含通过环氧基与能够产生质子的化合物之间的反应而产生的羟基，该部分结构(I)为选自下述式(1‑1)～式(1‑5)中的至少一种、或是式(1‑6)与式(1‑7)或式(1‑8)的组合，部分结构(II)为下述式(2‑1)或式(2‑2)的部分结构。此外，关于上述组合物，在化合物(E)中，以0≤(环氧基)/(羟基)≤0.5的摩尔比包含环氧基和羟基，以0.01≤(部分结构(II))/(部分结构(I)+部分结构(II))≤0.8的摩尔比包含部分结构(II)。
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