公开(公告)号：CN103400821A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310350808.8

申请日：2013-08-13

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 郭洪岩 ,  卞新海 ,  张黎 ,  陈锦辉 ,  赖志明

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/02 ,  H01F17/02

摘要： 本发明涉及一种表面贴装电感器件及其晶圆级制作方法，属于无源器件制造领域。其包括衬底（110）、一层以上形成中央电感线圈区域的电感结构的金属布线层（200）和两侧电极区域的电极（300），不同的金属布线层（200）之间通过介电层通孔（401）进行电气连接，金属布线层（200）的其中两层金属布线层Ⅰ（210）和金属布线层Ⅱ（220）向两侧电极区域延伸，并分别与两侧等高度的电极（300）连接，在最上层金属布线层（200）表面覆盖表面保护层（500）。本发明通过晶圆级再布线工艺在晶圆表面制作电感和电极等结构，获得的表面贴装电感器件的电感精度更高、厚度更薄、可靠性更高，可克服贴装单侧翘起缺陷，实现高密度贴装。

公开(公告)号：CN103280508A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310197548.5

申请日：2013-05-24

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 谢晔 ,  陈栋 ,  张黎 ,  陈锦辉 ,  赖志明

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L2224/14

摘要： 本发明涉及一种晶圆级LED封装方法，属于半导体封装技术领域。其方法包括步骤：提供具有正负电极（110）的LED芯片（100）；提供一个表面设置硅基型腔（210）、另一个表面设置硅通孔（220）的硅本体（200）；所述硅基型腔（210）内设置导电电极（300）；将LED芯片（100）倒装于导电电极（300）上；所述硅基型腔（210）的内填充光致发光层（400），所述光致发光层（400）覆盖LED芯片（100）的出光面；通过晶圆切割分离的方法形成单颗晶圆级LED封装结构。本发明提供了一种热阻低、散热性能好、提升出光效率、封装费用低、可以有效地拓宽LED的应用的晶圆级LED封装方法。

公开(公告)号：CN103165571A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310062901.9

申请日：2013-02-28

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 郭洪岩 ,  张黎 ,  陈锦辉 ,  赖志明

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

摘要： 本发明涉及一种新型硅基低阻电感结构及其晶圆级封装方法，属于半导体封装技术领域。其在硅晶圆（100）上表面刻蚀形成线圈槽（102），在线圈槽（102）内涂布绝缘层（300），然后通过物理方法沉积电镀种子层（300）、光刻图形化和电镀工艺在线圈槽（102）内形成厚铜金属布线层（400），即电感线圈，最后在其上设置再钝化层（500）和金属引线（600），且所述金属布线层（400）通过再钝化层开口（501）与金属布线层（400）连通。本发明将作为电感线圈的铜质金属布线层埋入硅基本体的内部，降低了制备电感线圈的工艺难度和工艺成本，提升了封装密度，同时通过增大线圈的厚度降低了电感的直流电阻，提升了电感的品质因数。

公开(公告)号：CN102751204A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210243958.4

申请日：2012-07-16

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 张黎 ,  陈栋 ,  赖志明 ,  陈锦辉 ,  徐虹

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/73204

摘要： 本发明涉及一种扇出型圆片级芯片封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。它包括芯片（1）、金属微结构（2）、高密度布线层（4）、硅腔体（5）、键合层（6）和焊球凸点（7），在芯片（1）上通过溅射、光刻、电镀等工艺形成金属微结构（2），将芯片（1）倒装在高密度布线层（4）上，用光学掩膜、刻蚀等方法在硅腔体（5）上形成下凹的硅腔（511），所述硅腔体（5）将芯片（1）扣置在硅腔（511）内，所述高密度布线层（4）与硅腔体（5）通过键合层（6）键合，加热使包封料层（52）和键合层（6）固化成形。本发明的封装成本低、扇出（Fanout）结构的支撑强度牢固、封装良率高、适用于薄型结构的扇出型圆片级芯片封装。

公开(公告)号：CN102122671B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201110033785.9

申请日：2011-01-31

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 陈栋 ,  胡正勋 ,  张黎 ,  陈锦辉 ,  赖志明

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/367 ,  H01L29/417 ,  H01L23/482 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/13 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法，在芯片本体（1-1）正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2）；在芯片本体、芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层（3）；在芯片本体、芯片源电极、芯片栅电极和芯片表面保护层的表面设置有正面线路层（4）；在正面线路层和芯片表面保护层表面设置有线路表面保护层（5）；在正面线路层表面设置有焊球（7）；在芯片本体正面和背面贯穿有芯片通孔（1-2）；在所述芯片本体背面设置有线路层（6），以及在芯片通孔内填充有线路层（6），且填充于芯片通孔的线路层与芯片通孔侧壁直接接触、以及与正面线路层形成互联。本发明具有高性能的封装结构，以及实现这种结构具有高生产效率、低封装成本的工艺方法。

公开(公告)号：CN102339843A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110294771.2

申请日：2011-10-08

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 张黎 ,  陈栋 ,  赖志明 ,  陈锦辉 ,  段珍珍

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 本发明涉及一种无硅通孔低成本图像传感器封装结构，所述结构包括芯片本体（1），在芯片本体的上表面设置隔离层（5），在隔离层上设置透光盖板（6）；在芯片本体上形成硅沟槽（8）；在芯片本体下表面、硅沟槽（8）侧壁及芯片内部钝化层（2）的下表面选择性的设置绝缘层（9）；在芯片内部钝化层（2）和芯片内部金属层（3）上形成贯穿孔（10）；在绝缘层（9）表面及贯穿孔（10）内选择性的形成金属线路层（11）；在绝缘层（9）及金属线路层（11）上选择性的设置线路保护层（12）；在金属线路层（11）露出线路保护层（12）的地方设置焊球（13）本发明提供了具有结构简单、互联可靠性好、工艺简单、低成本的特点的无硅通孔低成本图像传感器封装结构。

公开(公告)号：CN102244021A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110200257.8

申请日：2011-07-18

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 张黎 ,  赖志明 ,  陈锦辉 ,  陈栋

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种Low-k芯片封装方法，属于芯片封装技术领域，它包括以下工艺过程：准备一片载体圆片，在载体圆片上贴上一层临时剥离膜，将芯片倒装在载体圆片上，载体圆片上贴上薄膜层I（2-4）进行包封，支撑圆片（2-5）键合到薄膜层I（2-4）上，在薄膜层I（2-4）完成再布线金属走线（2-6），在再布线金属走线（2-6）的终端形成金属柱（2-7），在金属柱（2-7）表面贴上薄膜层II（2-8）进行包封并固化，金属柱（2-7）顶端镀上金属层（2-9）；通过印刷或者植球的方式在所述金属层（2-9）上形成BGA焊球（2-10），最后将形成BGA焊球的重构晶圆切割成单颗BGA封装体。本发明方法成本低，且能够解决芯片封装过程应力集中导致Low-k芯片失效问题。

公开(公告)号：CN102122670A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN201110033783.X

申请日：2011-01-31

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 陈栋 ,  张黎 ,  陈锦辉 ,  赖志明

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L2224/13 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法，所述结构包括芯片本体（1-1），所述芯片本体正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2），芯片本体芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层（3），在芯片本体正面和背面贯穿有芯片沟槽（1-2），在芯片源电极表面、芯片栅电极表面、芯片表面保护层（3）表面和芯片沟槽（1-2）内设置有线路层（4），在线路层表面设置有线路表面保护层（5），在芯片本体（1-1）正面的线路层（4）表面设置有焊球（6），在芯片本体（1-1）的背面（1-3）设置有背面金属层（7），且背面金属层（7）与线路层（4）互联。本发明可以提供具有高性能的封装结构，以及实现这种结构具有高生产效率、低封装成本的工艺方法。

公开(公告)号：CN101916735A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010229511.2

申请日：2010-07-19

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 郭洪岩 ,  赖志明 ,  陈锦辉 ,  张黎 ,  陈栋

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种碳纳米管团簇作为芯片凸点的倒装芯片封装结构的制作方法，所述方法包含以下三个步骤：步骤一、在衬底上生长碳纳米管团簇阵列；步骤二、将步骤一得到的碳纳米管团簇阵列转移到芯片表面；步骤三、将具有碳纳米管团簇凸点的芯片倒装到基板上。本发明方法制作的倒装芯片封装结构，能减小芯片与凸点间热应力，缓解芯片与基板间热应力以及克服锡基焊球凸点的形变累计损伤。

公开(公告)号：CN101604638B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200910031885.0

申请日：2009-06-26

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 张黎 ,  赖志明 ,  陈栋 ,  陈锦辉 ,  曹凯

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L2224/16 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161

摘要： 本发明涉及一种圆片级扇出芯片封装方法，包括以下工艺过程：在载体圆片表面依次覆盖剥离膜和薄膜介质层I，在薄膜介质层I上形成光刻图形开口I；在图形开口I及其表面实现与基板端连接之金属电极和再布线金属走线；在与基板端连接之金属电极表面、再布线金属走线表面以及薄膜介质层I的表面覆盖薄膜介质层II，并在薄膜介质层II上形成光刻图形开口II；在光刻图形开口II实现与芯片端连接之金属电极；将芯片倒装至与芯片端连接之金属电极后进行注塑封料并固化，形成带有塑封料的封装体；将载体圆片和剥离膜与带有塑封料的封装体分离，形成塑封圆片；植球回流，形成焊球凸点；单片切割，形成最终的扇出芯片结构。本发明方法成本低，具备载带功能，且能很好解决工艺过程芯片移位问题。