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公开(公告)号：CN103579228B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310606571.5
申请日：2013-11-25
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/778
摘要： 本发明涉及一种基于二维电子气的氢气传感器芯片，包括衬底，其特征是：在所述衬底上表面设置分隔的左芯片和右芯片，左芯片和右芯片分别包括设置在衬底上表面的GaN层，在GaN层上表面设置AlGaN层，在GaN层和AlGaN层之间形成二维电子气；在所述AlGaN层上表面分别蒸镀形成漏极金属层、源极金属层和栅极金属层；在所述右芯片的栅极金属层上生长氢气隔离层，氢气隔离层覆盖栅极金属层的上表面和侧面。本发明利用二维电子气载流子浓度受纵向电压影响的原理，栅极金属层在不同氢气浓度的电离下产生不同的肖特基势垒，肖特基势垒作用于二维电子气的第三维方向，使电子气载流子发生变化；不同浓度氢气产生不同肖特基势垒，测得不同电子气电流，从而测试出氢气浓度。
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公开(公告)号：CN102637791B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210136796.4
申请日：2012-05-04
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明涉及一种基于AlN陶瓷衬底的GaN外延片结构及制备方法，属于外延片的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述基于AlN陶瓷衬底的GaN外延片结构，包括AlN陶瓷衬底及生长于AlN陶瓷衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有GaNLED结构层。本发明采用AlN陶瓷衬底，并在AlN陶瓷衬底上设置缓冲层，通过生长缓冲层后在AlN陶瓷衬底上通过MOCVD常规工艺制备得到GaNLED结构层，工艺步骤简单方便，能大大提高GaNLED晶体质量，同时可以在GaNLED结构层内设置DBR层及粗化层，以提高通过GaNLED结构层得到LED工作时的出光效率，通过AlN陶瓷衬底能提高导热性能，结构简单紧凑，工艺简单，机械性能优良，耐腐蚀，延长通过外延片制备LED器件的使用寿命，稳定可靠。
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公开(公告)号：CN103579228A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310606571.5
申请日：2013-11-25
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/778
摘要： 本发明涉及一种基于二维电子气的氢气传感器芯片，包括衬底，其特征是：在所述衬底上表面设置分隔的左芯片和右芯片，左芯片和右芯片分别包括设置在衬底上表面的GaN层，在GaN层上表面设置AlGaN层，在GaN层和AlGaN层之间形成二维电子气；在所述AlGaN层上表面分别蒸镀形成漏极金属层、源极金属层和栅极金属层；在所述右芯片的栅极金属层上生长氢气隔离层，氢气隔离层覆盖栅极金属层的上表面和侧面。本发明利用二维电子气载流子浓度受纵向电压影响的原理，栅极金属层在不同氢气浓度的电离下产生不同的肖特基势垒，肖特基势垒作用于二维电子气的第三维方向，使电子气载流子发生变化；不同浓度氢气产生不同肖特基势垒，测得不同电子气电流，从而测试出氢气浓度。
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公开(公告)号：CN103531682A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310499242.5
申请日：2013-10-22
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/46
摘要： 本发明涉及一种提高发光效率的LED芯片结构，包括衬底，衬底上设置N型氮化镓层，其特征是：在所述N型氮化镓层上表面设置量子阱，在量子阱上表面设置P型氮化镓层，在P型氮化镓层上表面设置第一金属膜，在第一金属膜上表面设置P电极，在P型氮化镓层上表面设置氧化铟锡薄膜，该氧化铟锡薄膜覆盖P型氮化镓层和第一金属膜；在所述N型氮化镓层上表面具有刻蚀形成的刻蚀区域，在刻蚀区域设置N电极，N电极的底部设置第二金属膜，N电极与N型氮化镓层欧姆接触。所述第一金属膜与P型氮化镓层之间非欧姆接触。所述第一金属膜和第二金属膜为铂、铑或铝。本发明所述提高发光效率的LED芯片结构增大了P、N两电极下方对光的反射，提高外量子效率。
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公开(公告)号：CN102394267B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110382497.4
申请日：2011-11-28
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/62
摘要： 本发明涉及一种提高出光效率的LED芯片，所述提高出光效率的LED芯片，包括衬底，所述衬底上设有N型氮化镓层，所述N型氮化镓层上设有量子阱、P型氮化镓层及透明导电层，所述N型氮化镓层上设有N打线电极，所述N打线电极与N型氮化镓层电连接；所述透明导电层上设有P打线电极，所述P打线电极通过透明导电层与P型氮化镓层电连接；所述N打线电极下设有N电极反射电极层，所述N电极反射电极层与N型氮化镓层相接触；所述P打线电极下方设有P电极反射电极层，所述P电极反射电极层位于透明导电层下，P电极反射电极层通过透明导电层与P打线电极相隔离。本发明结构简单紧凑，提高出光效率，降低成本，操作方便，稳定可靠。
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公开(公告)号：CN103022293A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210546014.4
申请日：2012-12-17
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种图形衬底，包括基本衬底，在基本衬底的正面刻蚀形成以阵列形式排列的图形凸起；其特征是：所述图形凸起由多层凸起组成，每一层凸起的宽度自下而上递减，上一层凸起的底部宽度与下一层凸起的顶部宽度相同；所述图形凸起的最上一层凸起的形状为多边锥形、多边柱形、多边梯形或多边方台形。所述基本衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底或硅衬底。所述图形凸起的材料与基本衬底的材料相同。所述图形凸起最上一层凸起的材料与基本衬底的材料不同，图形凸起最上一层以下的凸起材料与基本衬底的材料相同；所述图形凸起最上一层凸起的材料为SiO2、Si3N4、ZnO2、Si或GaAs。本发明增加了反射面，减少光在内部的多次反射，可以有效地提高芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN102945908A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210387716.2
申请日：2012-10-13
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种光源模块用基板，包括基板板体，在基板板体的芯片安装区域上依次设置绝缘层、导电层和聚光层，在基板板体的边缘设置正电极和负电极；其特征是：在所述聚光层上均匀设置多个独立分布的碗杯，碗杯的底部与导电层接触，在碗杯底部的导电层上左右各设置打线层，两侧的打线层分别与正电极和负电极连接。在所述碗杯底部导电层的中间设有芯片安装孔，芯片安装孔的底部与基板相接触。所述碗杯的侧壁形成聚光杯，在聚光杯的内壁镀有银。本发明减少了灌封胶和荧光粉的使用量；实现了热传导和电传导的分离；提高了出光效率和出光均匀性。
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公开(公告)号：CN102945853A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210388184.4
申请日：2012-10-13
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种改善静电防护的发光二级管的结构，包括衬底、第一电极和第二电极，衬底上依次设置缓冲层和N型半导体层，其特征是：所述N型半导体层和缓冲层区分成第一岛状结构、第二岛状结构和第三岛状结构，在第二岛状结构和第三岛状结构上依次设置有源层和P型半导体层，在第三岛状结构上的P型半导体层上设置透明导电层；在所述第一岛状结构、第二岛状结构上的P型半导体层、透明导电层上设置钝化层，第一电极穿过钝化层与透明导电层和第二岛状结构中的N型半导体层连接，第二电极穿过钝化层与第一岛状结构中的N型半导体层和第二岛状结构上的P型半导体层连接。本发明有效的提高了静电防护，减少静电带来的损伤，延长了LED芯片使用寿命。
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公开(公告)号：CN102945844A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210388279.6
申请日：2012-10-13
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/56 , H01L33/60
CPC分类号： H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01047 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及一种光源模块，包括基板，在基板的芯片安装区域上依次设置绝缘层、导电层和聚光层，在基板的边缘设置正电极和负电极；其特征是：在所述聚光层上均匀设置多个碗杯，碗杯的底部与导电层接触，在碗杯底部的导电层上左右各设置打线层，在碗杯的底部安装一个芯片，芯片通过导线分别与两侧的打线层连接，两侧的打线层分别与正电极和负电极连接；在所述碗杯内填充荧光胶，荧光胶内含有荧光粉。在所述碗杯底部导电层的中间设有芯片安装孔，芯片设置在该芯片安装孔中，芯片与基板相接触。所述碗杯的侧壁形成聚光杯，在聚光杯的内壁镀有银。本发明减少了灌封胶和荧光粉的使用量；实现了热传导和电传导的分离；提高了出光效率和出光均匀性。
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公开(公告)号：CN102394267A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110382497.4
申请日：2011-11-28
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/62
摘要： 本发明涉及一种提高出光效率的LED芯片，所述提高出光效率的LED芯片，包括衬底，所述衬底上设有N型氮化镓层，所述N型氮化镓层上设有量子阱、P型氮化镓层及透明导电层，所述N型氮化镓层上设有N打线电极，所述N打线电极与N型氮化镓层电连接；所述透明导电层上设有P打线电极，所述P打线电极通过透明导电层与P型氮化镓层电连接；所述N打线电极下设有N电极反射电极层，所述N电极反射电极层与N型氮化镓层相接触；所述P打线电极下方设有P电极反射电极层，所述P电极反射电极层位于透明导电层下，P电极反射电极层通过透明导电层与P打线电极相隔离。本发明结构简单紧凑，提高出光效率，降低成本，操作方便，稳定可靠。
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