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公开(公告)号：CN106057891B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201610197247.6
申请日：2016-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：缓冲层，在基底上，缓冲层具有与基底的晶格常数不同的晶格常数；鳍状结构，从缓冲层向上突出；栅电极，横跨鳍状结构之上；包覆层，在鳍状结构的侧面并覆盖鳍状结构的顶表面和侧壁；以及界面层，在包覆层和鳍状结构之间，界面层包括与缓冲层相同的元素。
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公开(公告)号：CN112687731A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010984326.8
申请日：2020-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；第一有源图案，在衬底上并在第一方向上延伸，第一有源图案的上部包括第一沟道图案；第一源极/漏极图案，在第一沟道图案的上部中的凹陷中；以及栅电极，在第一有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，栅电极在第一沟道图案的顶表面和侧表面上，其中每个第一源极/漏极图案包括依次提供在凹陷中的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，第一沟道图案和第一至第三半导体层中的每个包括硅锗(SiGe)，第一半导体层具有比第一沟道图案的锗浓度和第二半导体层的锗浓度高的锗浓度。
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公开(公告)号：CN111933683A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010084287.6
申请日：2020-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：在第一方向上纵向延伸的鳍型有源区；在鳍型有源区的鳍顶表面上在第二方向上彼此交叠的多个纳米片；以及在鳍型有源区上并在第一方向上面向所述多个纳米片的源极/漏极区域。所述多个纳米片包括所述多个纳米片当中最靠近鳍型有源区的鳍顶表面并在第一方向上具有最短长度的第一纳米片。源极/漏极区域包括源极/漏极主区域以及从源极/漏极主区域突出的第一源极/漏极突出区域。第一源极/漏极突出区域从源极/漏极主区域朝着第一纳米片突出并在第二方向上与所述多个纳米片的部分交叠。
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公开(公告)号：CN110880535A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910823044.7
申请日：2019-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417
Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源鳍，其从衬底突出；第一栅极图案，其覆盖第一有源鳍的侧表面和顶表面；以及第一源极/漏极图案，其位于第一栅极图案的相对侧，第一源极/漏极图案中的每一个包括彼此间隔开的第一下侧和第二下侧、从第一下侧延伸的第一上侧、从第二下侧延伸的第二上侧。第一下侧可以相对于衬底的顶表面以第一角度倾斜，第二上侧可以相对于衬底的顶表面以第二角度倾斜，并且第一角度可以大于第二角度。
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公开(公告)号：CN109427783A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810253757.X
申请日：2018-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种集成电路装置包括：第一鳍有源区，在与衬底的顶表面平行的第一方向上延伸；第二鳍有源区，在所述第一方向上延伸且在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一鳍有源区间隔开；栅极线，与所述第一鳍有源区及所述第二鳍有源区交叉；第一源极/漏极区，在所述第一鳍有源区中位于所述栅极线的一侧；以及第二源极/漏极区，在所述第二鳍有源区中位于所述栅极线的一侧且面对所述第一源极/漏极区，其中所述第一源极/漏极区的与所述第一方向垂直的横截面相对于所述第一源极/漏极区在所述第二方向上的中心线具有不对称形状，所述中心线在与所述衬底的所述顶表面垂直的第三方向上延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107587122A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710259823.X
申请日：2017-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C14/5813 , C23C16/24 , C23C16/4401 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/0206 , H01L21/02266 , H01L21/02271 , H01L21/67253 , H01L21/78 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供了一种能够在沉积处理中检测腔室的内部状态的沉积处理监视系统以及一种控制沉积处理的方法和一种利用该系统制造半导体器件的方法。沉积处理监视系统包括：设施盖，其构造为限定用于沉积处理的空间；位于设施盖中的腔室，所述腔室被半透明圆顶盖覆盖，并且具有其上放置沉积目标的支承件；布置在设施盖中的多个灯，所述灯分别布置在腔室的上部和下部，并且所述灯构造为在沉积处理中将辐射热能供应至腔室中；以及布置在腔室外的激光传感器，该激光传感器构造为用激光束辐射圆顶盖并且检测透过圆顶盖传输的激光束的强度，其中，基于检测到的激光束的强度来确定圆顶盖所涂布的副产物的状态。
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公开(公告)号：CN102193202A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110021855.9
申请日：2011-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B27/22 , G02B5/18 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B27/2214 , G02B5/1842 , G02B5/1876 , G02B27/2242 , G02B27/2264 , G02B27/26 , G02F1/134309 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/29 , G02F1/292 , G02F2001/294 , H04N13/305 , H04N13/356
Abstract: 本发明涉及一种利用衍射透镜的图像显示装置。根据本发明的示例性实施例的图像显示装置包括：显示面板，显示图像；衍射透镜，用于使显示面板的图像被识别为二维(2D)图像或者三维(3D)图像，其中，衍射透镜利用菲涅尔波带板的光学原理来改变光路。
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公开(公告)号：CN101872072A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910205406.2
申请日：2009-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B27/2214 , G02F1/133526 , H04N13/305
Abstract: 一种立体图像显示装置，该装置包括显示单元和图像转换单元。所述显示单元包括多个像素单元，其中，像素单元中的至少一个具有沿第一方向延伸的短边和沿不同于第一方向的第二方向延伸的长边。所述图像转换单元包括柱状透镜，该柱状透镜与沿第一方向排列的像素单元中的至少两个重叠，其中，该柱状透镜沿第二方向延伸，并且与该柱状透镜对应的第一棱镜沿第二方向排列。
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公开(公告)号：CN1828471B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200510048896.1
申请日：2005-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种偏流发生电路，其产生可靠并且恒定的偏流，而不管所施功率、过程以及温度的变化。在一个实施例中，该偏流发生器采用PTAT电流发生器和IPTAT电流发生器产生偏流，该PTAT电流发生器和IPTAT电流发生器包括例如晶体管的专用有源电路元件。未采用例如电阻器的无源元件。所产生的偏流基本为该器件的电流路径的晶体管的各个宽长比的函数。以这种方式，所得的生成的偏压电流极大地降低了对所施功率、过程以及温度变化的敏感度。
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公开(公告)号：CN101651145A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910165721.7
申请日：2009-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14641 , H04N5/332 , H04N5/3696 , H04N5/37457 , H04N13/229 , H04N13/257
Abstract: 提供了一种三维图像传感器的像素阵列。该像素阵列包括多个单元像素图案，每一单元像素图案包括按照阵列形式排列的颜色像素以及距离测量像素。所述多个单元像素图案按照这样的方式排列，使得彼此相邻地安排距离测量像素组。
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