公开(公告)号：CN103360066A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310273420.2

申请日：2009-05-28

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  野口毅 ,  曾山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/472 ,  C04B35/50 ,  H01G4/12 ,  H01G4/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L41/1876 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0453 ,  B05D3/0473 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B24/40 ,  C04B24/42 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B2111/92 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C30/00 ,  H01B3/14 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/206 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318

Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的、本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式（1）：（PbxLay）（ZrzTi（1－z））Ｏ3（式（1）中0.9＜x＜1.3、0≦y＜0.1、0≦z＜0.9）表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式（2）CnH2n＋1COOH（其中，3≦n≦7）表示的羧酸B得到的，复合氧化物B含有选自P（磷）、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y（钇）的1种或2种以上。

公开(公告)号：CN103359785A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310085165.9

申请日：2013-03-18

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 土井利浩 ,  樱井英章 ,  渡边敏昭 ,  曽山信幸

IPC: C01G25/00 ,  C04B35/622 ,  C04B35/491

CPC classification number: H01B13/06 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1283 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01G7/06 ,  H01L28/55 ,  H01L29/78391 ,  H01L37/025 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318 ,  H03H9/02574 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜的制造方法和PZT系铁电薄膜。该PZT系铁电薄膜的制造方法，在具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上涂布PZT系铁电薄膜用组合物进行临时烧结之后，烧成而结晶化来在下部电极上制造PZT系铁电薄膜时，将PZT系铁电薄膜形成用组合物以CSD法涂布形成于下部电极表面上的溶胶膜，使用红外线且通过温度模式稳定地进行临时烧结，该温度模式包括：第1保持阶段，从室温等预定温度升温而保持在200℃～350℃的范围内的温度；和第2保持阶段，从第1保持阶段的保持温度升温而保持在比第1保持阶段的保持温度更高的350℃～500℃的范围内的温度。

公开(公告)号：CN103193477A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201210003035.1

申请日：2012-01-06

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/465 ,  C04B35/622 ,  H01G4/14

Abstract: 本发明提供一种未包含对环境的负载较大的物质且能够用简单的方法制作适合用于薄膜电容器的介电薄膜且保存稳定性优异、涂膜性良好的介电薄膜形成用组合物、介电薄膜的形成方法及通过该方法形成的介电薄膜。一种液状介电薄膜形成用组合物，用于形成呈通式：Ca(4-3x)Cu3xTi4O12(式中0.5≤x≤1.1)所示的复合金属氧化物形态的薄膜，其特征在于，由用于构成该复合金属氧化物的原料以提供上述通式所示的金属原子比的比例溶解于有机溶剂中的有机金属化合物溶液构成，所述有机溶剂以具有通式：CnH2n+1COOH(其中n为2～6的整数)所示的直链或者1条或2条以上侧链的羧酸为主成分。

公开(公告)号：CN102433532A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110299927.6

申请日：2011-09-28

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 黛良享 ,  有泉久美子 ,  吉田勇气 ,  樱井英章

IPC: C23C14/08 ,  H01L31/048 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  B32B9/00

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明提供适合形成透明性和阻气性优异的薄膜的气相沉积材和具备该薄膜的薄膜片材以及层压片材。本发明的气相沉积材为混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作的气相沉积材，其特征在于，上述第一氧化物粉末为MgO粉末，第一氧化物粉末的第一氧化物纯度为98％以上，上述第二氧化物粉末为CaO和ZnO的混合粉末，第二氧化物粉末的第二氧化物纯度为98％以上，气相沉积材由含有第一氧化物粉末和第二氧化物粉末的颗粒构成，气相沉积材中的第一氧化物与第二氧化物的摩尔比为5～90∶95～10，且颗粒的碱度为0.1以上。

公开(公告)号：CN102315025A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110178384.2

申请日：2011-06-29

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  意法半导体公司

Inventor： 樱井英章 ,  渡边敏昭 ,  曾山信幸 ,  G.古伊干

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/06 ,  H01G4/14 ,  H01G4/005

CPC classification number: H01L28/60 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/787 ,  H01G4/01 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 一种薄膜电容器，其特征在于，形成下电极、将组合物涂覆至下电极上而没有进行温度高于300℃的退火过程、在从环境温度至500℃的预定温度下干燥，并且在500至800℃且高于干燥温度的预定温度下煅烧。从涂覆至煅烧的过程进行一次或至少两次，或者从涂覆至干燥的过程进行至少两次，然后煅烧进行一次。在第一次煅烧之后形成的电介质薄膜的厚度为20至600nm。下电极的厚度和在初次煅烧步骤之后形成的电介质薄膜的厚度之比（下电极厚度/介电薄膜厚度）优选为0.10至15.0。

公开(公告)号：CN102173795A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110025514.9

申请日：2009-05-28

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  意法半导体(图尔)有限公司

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  野口毅 ,  曾山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/472 ,  C04B35/622 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L41/1876 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0453 ,  B05D3/0473 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B24/40 ,  C04B24/42 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B2111/92 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C30/00 ,  H01B3/14 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/206 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318

Abstract: 一种强电介质薄膜形成用组合物，为用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的强电介质薄膜形成用组合物，其特征在于，是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式(1)：(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3表示的复合金属氧化物A中混合包含P(磷)的复合氧化物B得到的，式(1)中0.9＜x＜1.3、0≤y＜0.1、0≤z＜0.9，包含用于构成上述复合金属氧化物A的原料及用于构成上述复合氧化物B的原料以能够提供上述通式(1)表示的金属原子比的比例溶解在有机溶剂中的有机金属化合物溶液。

公开(公告)号：CN102046563A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980119294.7

申请日：2009-05-28

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  野口毅 ,  曾山信幸

IPC: C04B35/49 ,  C01G25/00 ,  C04B35/46 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L41/1876 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0453 ,  B05D3/0473 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B24/40 ,  C04B24/42 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B2111/92 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C30/00 ,  H01B3/14 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/206 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318

Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜，本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式(1)：(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式(1)中0.9＜x＜1.3、0≤y＜0.1、0≤z＜0.9)表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式(2)CnH2n+1COOH(其中，3≤n≤7)表示的羧酸B得到的，复合氧化物B含有选自P(磷)、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y(钇)的1种或2种以上。

公开(公告)号：CN113372810B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202110806157.3

申请日：2018-11-20

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 平野耕司 ,  饭田慎太郎 ,  樱井英章

IPC: C09D179/08 ,  C08G73/14 ,  C09D5/44 ,  C09D7/20 ,  C25D15/00 ,  H01B3/30

Abstract: 本发明涉及绝缘覆膜形成用树脂、清漆、电沉积液、绝缘导体的制造方法。绝缘覆膜形成用树脂包含末端为OH基或SH基的改性聚酰胺酰亚胺及末端为OH基或SH基的改性聚酰亚胺中的至少一个。清漆包含上述的绝缘覆膜形成用树脂与溶剂。电沉积液包含上述的绝缘覆膜形成用树脂、极性溶剂、水、不良溶剂及碱。绝缘导体的制造方法为具有如下工序的方法：将上述的清漆涂布于导体的表面，在所述导体的表面形成涂布层，及加热所述涂布层，将生成的绝缘覆膜烧接到所述导体，或者绝缘导体的制造方法为具有如下工序的方法：将上述的电沉积液电沉积在导体的表面，在所述导体的表面形成电沉积层，及加热所述电沉积层，将生成的绝缘覆膜烧接到所述导体。

公开(公告)号：CN108603074B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201780008759.6

申请日：2017-02-14

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 平野耕司 ,  饭田慎太郎 ,  平田洵子 ,  樱井英章

IPC: C09D179/08 ,  C09D5/44 ,  C25D13/06 ,  C25D13/16 ,  H01B7/02 ,  H01B13/16

Abstract: 本发明提供一种电沉积液，其包含聚酰胺酰亚胺树脂、极性溶剂、水、不良溶剂及碱，其中，极性溶剂为沸点超过100℃且下述式(1)所表示的D(S‑P)满足D(S‑P)＜6的关系的有机溶剂，聚酰胺酰亚胺的重均分子量为10×104～30×104或者聚酰胺酰亚胺的数均分子量为2×104～5×104。D(S‑P)＝[(dDS‑dDP)2+(dPS‑dPP)2+(dHS‑dHP)2]1/2(1)。

公开(公告)号：CN107709632B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201680037591.7

申请日：2016-06-21

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 矶村洵子 ,  樱井英章

IPC: C25D13/06 ,  C08L79/08 ,  C09D5/44 ,  C09D179/08

Abstract: 本发明的水分散型绝缘覆膜形成用电沉积液含有聚合物粒子、有机溶剂、碱性化合物及水，其中，聚合物粒子包含具有规定的结构单元的聚酰胺酸，聚合物粒子的体积标准的中值粒径(D50)为0.08～0.7μm。