公开(公告)号：CN102023422B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200910092677.1

申请日：2009-09-15

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 谢振宇 ,  刘翔 ,  陈旭

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC分类号： G02F1/136277 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136209 ,  G02F2001/133368 ,  G02F2001/13356 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/124

摘要： 本发明涉及一种TFT-LCD组合基板、液晶显示器及其制造方法。液晶显示器包括对盒的两个TFT-LCD组合基板，每个TFT-LCD组合基板包括定义了两个像素区域的栅线和数据线，一个像素区域内形成有薄膜晶体管和像素电极，另一个像素区域内形成有公共电极；两个TFT-LCD组合基板上的栅线和数据线相对设置，一个TFT-LCD组合基板上的像素电极与另一个TFT-LCD组合基板上的公共电极相对设置。本发明通过在基板上同时形成阵列结构图形和公共电极图形，且两个TFT-LCD组合基板上的阵列结构图形与公共电极图形相对应，使基板上的栅线或数据线减少了一半，可以有效提高液晶显示器的开口率。

公开(公告)号：CN103151253A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310056045.6

申请日：2013-02-22

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 阎长江 ,  谢海征 ,  陈磊 ,  徐少颖 ,  谢振宇

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L21/76865 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

摘要： 本发明公开了一种信号线的制作方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，用以解决现有技术中因栅极和源极、漏极存在一定重合而产生耦合电容的问题。所述方法包括在基板上依次沉积用于制作信号线的材料层、用于制作第一阻挡层的材料层和用于制作第二阻挡层的材料层；通过干法刻蚀构图工艺，制得所述第一阻挡层和所述第二阻挡层；同一干法刻蚀条件下，用于制作第一阻挡层的材料的横向刻蚀速度大于用于制作第二阻挡层的材料的横向刻蚀速度；通过湿法刻蚀构图工艺制得信号线，形成具有多层绝缘层结构的薄膜晶体管，细化了栅极的宽度，缩小了栅极和源极、漏极的重合区域，增大了栅极的电容，提高了薄膜晶体管的传输速度，改善了薄膜晶体管的沟道特性。

公开(公告)号：CN103035568A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210564613.9

申请日：2012-12-21

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 谢振宇

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/1288

摘要： 本发明实施例提供了一种TFT阵列基板及制作方法、显示装置，涉及显示领域，可以减少进行构图工艺的次数，降低工艺复杂度及制作成本。所述制作方法，包括在基板上制作包括栅极的图案，带有过孔的栅绝缘层图案，包括有源层的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，其中，形成所述带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案通过一次构图工艺完成，所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线，所述栅绝缘层的过孔位于所述栅极走线的上方，所述有源层位于所述栅极的上方。

公开(公告)号：CN102790067A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210262964.4

申请日：2012-07-26

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 阎长江 ,  谢振宇 ,  徐少颖 ,  李田生

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L31/1055 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14692 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L31/0256

摘要： 本发明公开了一种传感器及其制造方法，所述传感器包括：衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，每个感测单元包括薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件，其中，所述薄膜晶体管器件的沟道区倒置，源极和漏极位于有源层和栅极之间。对比于现有技术，本发明所提出的传感器在制造工艺上减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。

公开(公告)号：CN102790064A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210262839.3

申请日：2012-07-26

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 徐少颖 ,  谢振宇 ,  陈旭

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14612 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0352

摘要： 本发明公开了一种传感器及其制造方法，所述传感器包括：衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线，以及由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，每个感测单元包括薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件，其中，所述薄膜晶体管器件为顶栅形；所述光电二极管传感器件包括：与源极连接的接收电极、位于接收电极之上的光电二极管、位于光电二极管之上的透明电极，以及在透明电极的上方与透明电极连接的偏压线，所述偏压线平行于栅线设置。对比于现有技术，本发明传感器在制造工艺上减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。

公开(公告)号：CN102790060A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210262535.7

申请日：2012-07-26

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 徐少颖 ,  谢振宇 ,  陈旭

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种传感器及其制造方法，所述传感器包括：衬底基板、呈交叉排列的一组栅线和一组数据线、由所述一组栅线和一组数据线所界定的多个呈阵列状排布的感测单元，及穿过每一个感测单元的一组偏压线，每个感测单元包括至少一个由薄膜晶体管器件和光电二极管传感器件组成的感测子单元。本发明所提出的传感器的薄膜晶体管器件为底栅型，传感器的制造可共采用五次构图工艺制作形成，对比于现有技术，减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。

公开(公告)号：CN102709326A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210133357.8

申请日：2012-04-28

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 阎长江 ,  李田生 ,  徐少颖 ,  谢振宇 ,  陈旭

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L29/78609 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78693

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置，涉及显示技术领域，用以降低薄膜晶体管的漏电流，提高TFT稳定性。一种薄膜晶体管，包括形成在基板上的栅极、栅绝缘层、有源层和源漏电极层，所述源漏电极层包括所述薄膜晶体管的源极和漏极；其中，所述有源层采用金属氧化物半导体，在所述有源层和所述栅绝缘层之间设有金属层，以降低所述有源层和栅绝缘层之间的载流子捕获效应。本发明实施例所提供的方案适用于任意的需要利用薄膜晶体管进行驱动的显示设备。

公开(公告)号：CN101807585B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200910077349.4

申请日：2009-02-18

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘翔 ,  林承武 ,  陈旭 ,  谢振宇 ,  张文余

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  C23C16/22 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，栅线与数据线之间形成有消除段差的第一有机绝缘层。第一有机绝缘层上形成有用于改善与半导体层界面特性的无机绝缘层，数据线形成在无机绝缘层上。本发明一方面通过增加栅线和数据线厚度降低信号线电阻，减小大尺寸、高分辨率TFT-LCD的信号延迟，另一方面形成两层绝缘层，其中较厚的第一有机绝缘层涂敷在栅线上并形成平坦的表面，以消除段差，避免后续沉积的薄膜发生断线，较薄的无机绝缘层沉积在第一有机绝缘层上，可以有效改善绝缘层与半导体层的界面特性，提高TFT的性能。

公开(公告)号：CN102253547A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201010188325.9

申请日：2010-05-21

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 谢振宇 ,  刘翔 ,  陈旭

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/142 ,  H01L21/77

CPC分类号： Y02E10/50

摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。该阵列基板包括衬底基板，衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅线；数据线和栅线围设形成矩阵形式排列的像素单元；每个像素单元包括TFT开关和像素电极，TFT开关包括栅电极、有源层、源电极和漏电极；衬底基板上还形成公共电极线，其中还包括：太阳能电池，太阳能电池包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极之间形成有光电转换薄膜，第一电极采用透明导电材料制成，太阳能电池的图案作为栅电极和/或公共电极线的图案。本发明具有低能耗、光能利用率高的优点，并且将太阳能电池集成在阵列基板内部，可以有效提高产品集成度，简化液晶显示器的结构。

公开(公告)号：CN102237306A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201010168708.X

申请日：2010-05-06

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 谢振宇 ,  周伟峰

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/02 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明公开了一种液晶显示基板及其制造方法和液晶显示器。该方法中至少包括：在待刻蚀薄膜上形成树脂材料层；在树脂材料层中形成第一过孔和第二过孔，第二过孔边缘之间的最短距离大于第一过孔边缘之间的最短距离；进行加热处理以使树脂材料层塌陷，从而使第一过孔的底面边缘向内延伸相连后遮盖第一过孔的底面，且使第二过孔的底面边缘向内延伸并保持间距；对透过第二过孔露出的材料进行刻蚀。本发明利用树脂材料高温塌陷变形的特性，使较小的过孔在塌陷变形时堵塞，而较大过孔保留一定的孔径，在较大过孔下材料被刻蚀时，较小过孔会由于堵塞而保护下面的材料来避免过刻。