公开(公告)号：CN1221972A

公开(公告)日：1999-07-07

申请号：CN98126328.3

申请日：1998-12-25

申请人： 佳能株式会社

发明人： 柳田一隆 ,  米原隆夫 ,  近江和明 ,  坂口清文

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/68 ,  H01L21/02

摘要： 本发明的目的是提供一种用来在多孔层处分离具有多孔层的衬底的装置。具有多孔层(101b)的键合衬底叠层(101)在旋转的情况下由衬底固定部分(120,150)支持。高速高压的水(射流)从喷嘴(102)射出,使射流注入到键合衬底叠层(101)中。衬底固定部分(120,150)将键合衬底叠层(101)固定成使之由于注入的水的压力而能够在其中央部分膨胀。这就有效地施加了从键合衬底叠层(101)内部向外作用的力(分离力)。

公开(公告)号：CN1208672A

公开(公告)日：1999-02-24

申请号：CN98114865.4

申请日：1998-06-16

申请人： 佳能株式会社

发明人： 近江和明 ,  米原隆夫 ,  坂口清文 ,  柳田一隆

IPC分类号： B03B5/00

CPC分类号： H01L21/67092 ,  Y10S134/902 ,  Y10T156/1939

摘要： 本发明涉及一种用于将具有多孔层的基片从多孔层分离的设备。具有多孔层的粘合基片叠层在转动中由基片夹头支承。喷嘴喷射高速、高压液体或水的射流。射流通过一导向组件向粘合基片中推进。导向组件的轴向位置由一电机调整,使射流集中射入粘合基片叠层的粘合界面。

公开(公告)号：CN1199920A

公开(公告)日：1998-11-25

申请号：CN98108877.5

申请日：1998-03-27

申请人： 佳能株式会社

发明人： 佐藤信彦 ,  米原隆夫 ,  坂口清文

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/2007

摘要： 提供一种制备高质量的SOI晶片且具有极好的可控性和生产率、经济的方法、以及用该方法制备的晶片,在利用粘结晶片制备的衬底中,粘结后,在形成于第一Si衬底2的主表面内包括的低孔隙率层和高孔隙率层的高孔隙率层的界面进行分离,由此无孔层转移到第二衬底。在高孔隙率层的分离后,通过如氢气退火的光滑工艺不进行选择性腐蚀,就可将残留的低孔隙率的薄层制成无孔。

公开(公告)号：CN1191383A

公开(公告)日：1998-08-26

申请号：CN97126486.4

申请日：1997-11-14

申请人： 佳能株式会社

发明人： 坂口清文 ,  米原隆夫 ,  阿闭忠司

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/76259

摘要： 一种制造半导体产品方法,包括以下步骤:制造包括硅衬底的第一衬底,其上具有多孔硅层和设置于所述多孔硅层上的无孔半导体层;键合所述第一衬底和第二衬底,形成具有设置于其中的所述无孔半导体层的多层结构;通过加热所述多层结构,使所述多层结构的第一和第二衬底沿所述多孔硅层彼此分离;及去掉残留于所述分离的第二衬底上的多孔硅层。

公开(公告)号：CN1190248A

公开(公告)日：1998-08-12

申请号：CN97107286.8

申请日：1997-12-18

申请人： 佳能株式会社

发明人： 坂口清文 ,  米原隆夫 ,  西田彰志 ,  山方宪二

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76259 ,  B28D5/00 ,  G02F1/136277 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76254 ,  H01L22/00 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1892 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种生产半导体产品的工艺,包括下列步骤,把膜粘接到具有多孔半导体层的衬底上,通过在剥离方向对膜施加力,在多孔半导体层从衬底上剥离该膜。

公开(公告)号：CN1183635A

公开(公告)日：1998-06-03

申请号：CN97122707.1

申请日：1997-11-14

申请人： 佳能株式会社

发明人： 坂口清文 ,  米原隆夫

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/3226 ,  H01L21/304 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259

摘要： 本发明公开了一种制造半导体产品的新型工艺,包括以下步骤:制备包括硅衬底的第一衬底。将无孔半导体层形成在硅衬底上,在硅衬底和无孔半导体层中的至少一层内形成离子注入层;将第一衬底粘接到第二衬底上得到无孔半导体层置于其内的多层结构,在离子注入层处分离多层结构;并除去留在分离的第二衬底上的离子注入层。

公开(公告)号：CN1037727C

公开(公告)日：1998-03-11

申请号：CN92101589.5

申请日：1992-02-15

申请人： 佳能株式会社

发明人： 坂口清文 ,  米原隆夫 ,  左藤信彦

IPC分类号： H01L21/306

摘要： 本发明涉及多孔硅腐蚀液和使用该腐蚀液选择性腐蚀多孔硅的方法。该腐蚀液包括一由氢氟酸和醇及双氧水中至少一种组成的溶液，或一由缓冲氢氟酸和至少醇及双氧水中的一种组成的溶液，其优点在于，使用本发明的腐蚀液及腐蚀方法不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅、并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀。

公开(公告)号：CN1152187A

公开(公告)日：1997-06-18

申请号：CN96112122.X

申请日：1996-08-01

申请人： 佳能株式会社

发明人： 坂口清文 ,  米原隆夫

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/76256 ,  Y10S438/96

摘要： 一种制造半导体衬底的方法，包括以下步骤：使用扩散法将能控制导电类型的元素扩散进硅衬底，形成扩散区；在扩散区中形成多孔层；在多孔层上形成无孔单晶层；粘接无孔单晶层与底部衬底，同时提供其一个表面与无孔单晶层粘接而另一表面与底部衬底粘接的绝缘层；以及除去多孔层。

公开(公告)号：CN105321980A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510336507.9

申请日：2015-06-17

申请人： 佳能株式会社

发明人： 盐原悟 ,  坂口清文 ,  松田阳次郎 ,  水野信贵

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC分类号： G09G3/3208 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5221 ,  H01L51/5253 ,  H05B33/0896

摘要： 本发明提供有机发光装置，包括：基板；以及在该基板上依次设置的下部电极、包括发光层的有机化合物层、和上部电极，其中：该有机化合物层覆盖该下部电极；该上部电极覆盖该有机化合物层；该上部电极与该基板中设置的配线连接部电连接；并且该有机化合物层的至少部分区域中的端部的截面的倾斜与该基板的表面之间形成的角用θ1表示时，满足下式(1)和(2)：tan(θ1)＝d1/d2(1)tan(θ1)≥0.2(2)式(1)中，d1表示该有机化合物层的厚度并且d2表示该有机化合物层的端部的截面的锥形宽度。

公开(公告)号：CN105280835A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510320612.3

申请日：2015-06-12

申请人： 佳能株式会社

发明人： 水野信贵 ,  坂口清文 ,  盐原悟 ,  松田阳次郎

IPC分类号： H01L51/52

CPC分类号： G03G15/04 ,  G03G15/04054 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5225 ,  H01L51/5253 ,  H05B33/0896 ,  H01L51/5203

摘要： 本发明提供有机发光装置，包括：下部电极；上部电极和具有电极垫部的基板，其中由该下部电极与该电极垫部之间的区域中的膜端的截面的倾斜与该基板的表面形成的角设为θ1时，满足式(1)和式(2)；并且由该下部电极与该电极垫部之间的区域以外的区域的至少一部分中的膜端的截面的倾斜与该基板的表面形成的角设为θ3时，满足式(3)和式(4)。tan(θ1)＝d1/d2 (1)tan(θ1)