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公开(公告)号：CN108728798A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810597162.6
申请日：2018-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种金刚石的加工方法，属于超硬材料加工技术领域。本发明解决了现有金刚石加工精细度不高的问题。本发明首先将带蒸镀掩模板的金刚石在蒸发镀膜机内进行铁镀膜，待膜层冷却后取出镀膜后的金刚石；将镀膜后的金刚石置于微波等离子体CVD仪器的CVD仓内；将CVD仓抽真空，然后通入氢气，打开微波源通入微波起辉，调节刻蚀温度、微波功率以及CVD仓内气压，开始刻蚀；刻蚀完成后，调节微波功率和CVD仓内气压，然后关闭微波，待冷却后，向CVD仓内通入空气，打开CVD仓取出刻蚀后的金刚石。本发明可用于金刚石精密加工。
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公开(公告)号：CN106744931B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201611130191.9
申请日：2016-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法，本发明涉及金刚石微粉生长技术领域。本发明要解决现有制备人造金刚石成本较高、质量较低、不易分散、工艺不可控、衬底选择受限的问题。方法：一、石墨片的表面处理；二、利用等离子体刻蚀法在石墨上制备金刚石；三、分散金刚石颗粒，即完成等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法。本发明用于一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法。
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公开(公告)号：CN108535329A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810254164.5
申请日：2018-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 薄层导电材料的测试装置、表面电阻的测试方法、损伤信息的测试方法，涉及薄层导电材料的测试领域，为了解决现有接触式检测只能在导电材料表面进行接触测量，以及涡流损伤检测在nm级厚度材料的检测中不能适用的问题。恒流的射频电流发生器用于驱动LC振荡电路，薄层导电材料通过缠绕电感线圈的铁氧体耦合到LC振荡电路中；滤波电路用于对LC振荡电路输出的电压进行滤波，得到直流电压。如果直流电压发生变化，则薄层导电材料存在损伤，否则不存在损伤。采用已知表面电阻的标准薄层导电材料进行标定；计算表面电阻与直流电压的对应关系；结合耦合待测薄层导电材料时的直流电压得到待测薄层导电材料的表面电阻。本发明适用于测试薄层导电材料。
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公开(公告)号：CN108470782A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810198862.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58
Abstract: 一种中红外透明导电P型氧化物薄膜材料及其制备方法，它涉及一种P型导电氧化物薄膜材料及其制备方法。本发明是要解决现有的P型透明氧化物薄膜导电性较差、载流子浓度较低以及中波红外透过率低的技术问题。本发明的中红外透明导电P型氧化物薄膜材料的化学式为La2SexOy，其中x为3～4，y为9～11。本发明的制备方法：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、掺杂Se。本发明制备的P型透明导电氧化物薄膜的光学带隙约为4.0eV，空穴有效质量小于电子的有效质量，具有较高的载流子浓度和电导率，中波红外光区的透过率约为70％，透过性能较为良好。
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公开(公告)号：CN104947069B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201510394176.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法，它涉及一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法。本发明的目的是要解决目前金刚石微米棒阵列膜制备工艺复杂，制备成本较高，不能精确控制孔洞长径比的问题，本发明步骤为：硅片模板的制备、涂覆金刚石悬浮液、放置样品、金刚石微米棒阵列膜的生长、硅片模板的剥离，即完成。本发明利用多孔硅片模板代替AAO模板制备金刚石微米棒阵列膜，降低了薄膜的制备成本，简化了制备的工艺过程，通过调整硅片上孔洞的直径以及深度可以制备具有不同长径比的微米棒阵列，从而研究不同微米棒长径比对材料性能的影响。本发明应用于薄膜生长技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107523828A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710787686.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种GaN与金刚石复合散热结构的制备方法，本发明涉及金刚石膜层与GaN连接的散热结构的制备方法，它为了解决现有GaN器件的散热性能有待提高，GaN在生长过程中易崩碎的问题。制备方法：一、超声清洗GaN晶片；二、在洁净的GaN晶片上镀制Si3N4过渡层；三、继续磁控溅射镀制Si过渡层；四、超声清洗；五、在表面建立辅助形核点；六、置于MPCVD装置中沉积金刚石层。本发明GaN表面的金刚石层的热导率可以达到1260±120W/(mK)，制备Si3N4过渡层不导电，有效保护GaN器件性能，并能保护GaN免受等离子体侵蚀。
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公开(公告)号：CN106835275A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710101532.8
申请日：2017-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/025 , C30B25/14 , C30B25/16 , C30B25/186 , C30B33/00 , C30B33/10
Abstract: 一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法，本发明涉及单晶金刚石反蛋白石的制备方法。本发明要解决现有的金刚石反蛋白石结构只能制备出多晶体，从而导致其力学、光学和热学综合性能的下降的问题。方法：一、金刚石晶片预处理；二、SiO2微球预处理；三、SiO2多层微球自组装；四、掩模板处理；五、反蛋白石单晶金刚石生长；六、生长后处理；七、掩模板去除。本发明用于一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法。
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公开(公告)号：CN104878447B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510304886.3
申请日：2015-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，使用真空钎焊造成籽晶表面质量下降且不易观察的问题。方法：一、清洗；二、选择金箔；三、放置样品；四、原位连接；五、金刚石生长，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。
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公开(公告)号：CN105385999A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510830384.4
申请日：2015-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/0605 , C23C14/0617 , C23C14/0664 , C23C14/16 , C23C28/32 , C23C28/341 , C23C28/343
Abstract: 延长镜头模具钢循环使用寿命的方法，本发明涉及延长模具钢循环使用寿命的方法。本发明要解决现有镜头模具钢循环使用寿命差的问题。方法：一、单靶材的制备；二、复合靶材的制备；三、清洗；四、镀膜前准备工作；五、镀制Ti薄膜；六、镀制TiN薄膜；七、更换靶材；八、镀制TiNC薄膜；九、沉积类金刚石；十、关机，即完成延长镜头模具钢循环使用寿命的方法。本发明用于延长镜头模具钢循环使用寿命。
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公开(公告)号：CN105223125A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510657869.8
申请日：2015-10-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于应力和结合强度演变机制的涂层寿命预测方法，涉及一种涂层寿命的预测方法。本发明为了解决目前还没有一种全面客观的涂层寿命预测方法的问题。本发明首先建立残余应力—时间变化关系和氧化层应力—时间变化关系；并建立涂层应力演变物理模型；然后进行热循环加速试样老化实验，根据涂层应力演变物理模型与试样应力值—时间关系得到人工加速老化的试样的加速倍数；再采用划痕仪对人工加速老化的试样进行结合强度测试，拟合出结合强度—老化时间的关系并绘制成变化曲线将变化曲线与时间轴的交点所对应的时间作为人工加速老化的试样寿命l；以L＝试样寿命l*最终加速倍数k作为的预测寿命。本发明适用于涂层寿命的预测领域。
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