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公开(公告)号：CN107002283A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580063728.1
申请日：2015-11-30
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 结晶基板2由13族元素氮化物结晶构成，且具有第一主面2a及第二主面2b。低载流子浓度区域4和高载流子浓度区域5在第一主面2a与第二主面2b之间延伸。低载流子浓度区域4的载流子浓度为1018/cm3以下，低载流子浓度区域4的缺陷密度为107/cm2以下。高载流子浓度区域5的载流子浓度为1019/cm3以上，高载流子浓度区域6的缺陷密度为108/cm2以上。
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公开(公告)号：CN105814244A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480066807.3
申请日：2014-12-12
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B33/12 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L33/0095 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B29/406 , C30B33/12 , H01L21/304 , H01L21/30621 , H01L21/3065 , H01L22/12 , H01L29/2003 , H01L33/32
Abstract: 对于具有氮化镓层的基板，降低了氮化镓层在表面处理后的表面损伤，并改善了基板上形成的功能元件的品质。本发明提供一种至少具有氮化镓层的基板4。使用具备电感耦合式等离子体发生装置的等离子体刻蚀装置，使标准化直流偏置电位为?10V/cm2以上，引入氟系气体，对氮化镓层3的表面3a进行干法刻蚀处理。
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公开(公告)号：CN103429800B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201280014356.X
申请日：2012-03-16
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/406 , H01L31/1856
Abstract: 使用晶种基板、通过助熔剂法制造氮化镓层。晶种基板(8A)具备：支撑基板(1)、互相分离的多个晶种层(4A)、设置于晶种层(4A)与支撑基板之间的低温缓冲层(2)以及露出于邻接的晶种层(4A)的间隙的露出层(3)，所述多个晶种层由氮化镓单晶构成，所述低温缓冲层由第13族金属氮化物构成，所述露出层由氮化锅单晶或氮化铝镓单晶构成。在晶种层上通过助熔剂法培养氮化镓层。
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公开(公告)号：CN103620096B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380001907.3
申请日：2013-03-29
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/10 , C30B9/12 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02625 , H01L31/03044 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 通过助熔剂法在熔融液内制造第13族元素氮化物的方法，熔融液通过令碱金属与碱土金属中的至少一种原料、第13族元素原料以及液体锗原料组合物加热而生成。由此，通过助熔剂法在熔融液内制造第13族元素氮化物晶体时，可以抑制得到的第13族元素氮化物晶体的载离子浓度等特性的面内分布。
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公开(公告)号：CN102282299B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN200980154840.0
申请日：2009-12-14
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明的13族氮化物晶板是通过助熔剂法使13族氮化物晶体生成于晶种基板上的13族氮化物晶板，在所述晶种基板中，所述晶种基板中除去外围部的全部面积的70％的区域上生成的13族氮化物晶体的夹杂物含有率在10％以下，优选2％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101586253B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200910143035.X
申请日：2009-05-22
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B9/12 , C30B9/10 , C30B29/403
Abstract: 本发明涉及N型Ⅲ族氮化物基化合物半导体及其制造方法。本发明的一个目的是通过熔剂工艺来实现具有高电子浓度的高品质n型半导体晶体的制造。本发明的通过熔剂工艺制造n型Ⅲ族氮化物基化合物半导体的方法包括：利用熔剂来熔化至少Ⅲ族元素以制备熔体；对该熔体供给含氮气体；以及由该熔体在籽晶上生长n型Ⅲ族氮化物基化合物半导体晶体。在该方法中，将碳和锗溶于该熔体中，并且将锗作为施主引入该半导体晶体，由此制造n型半导体晶体。该熔体中锗对镓的摩尔百分比是0.05mol％至0.5mol％，并且碳对钠的摩尔百分比是0.1mol％至3.0mol％。
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公开(公告)号：CN101405440B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200780010241.2
申请日：2007-02-22
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/10 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明使用了一种生长装置，它包括用于容纳溶液的多个坩埚(10)，用于加热坩埚(10)的发热体，用于容纳至少多个坩埚以及上述发热体并填充有至少包含氮气的气氛气体的压力容器(1)。分别在每个坩埚(10)内设置一个种晶，由该种晶生长氮化物单晶。
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公开(公告)号：CN101137774B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200680007322.2
申请日：2006-03-14
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C01B21/06 , C30B11/002
Abstract: 本发明提供一种用于收纳在非氧化性气氛下进行加热和加压处理的易氧化性或易吸湿性物质(10)的容器(1)，容器(1)设有开口(4)，设置有气密密封该开口(4)、在加热和加压条件下使开口(4)与非氧化性气氛相连通的密封部件(5)。密封部件(5)在加热下熔融和/或变形或者在加压下破坏或从容器(1)上分离。
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公开(公告)号：CN102282299A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200980154840.0
申请日：2009-12-14
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明的3B族氮化物晶板是通过助熔剂法使3B族氮化物晶体生成于晶种基板上的3B族氮化物晶板，在所述晶种基板中，所述晶种基板中除去外围部的全部面积的70％的区域上生成的3B族氮化物晶体的夹杂物含有率在10％以下，优选2％以下。
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公开(公告)号：CN101558187A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200780046465.9
申请日：2007-12-10
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C30B29/38 , H01L21/208 , C30B9/10
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/10 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02625
Abstract: 在3.7MPa和870℃的氮气(N2)气氛中，使用在约870℃下的包含Ga、Na和Li的熔剂混合物，通过熔剂法在籽晶(GaN层13)的晶体生长表面上生长GaN单晶20。因为模板10的背面是蓝宝石衬底11的R晶面，所以模板10可以容易地从其背面侵蚀或溶解于熔剂混合物中。因此，模板10从其背面逐步侵蚀或溶解，导致从半导体分离或溶解于熔剂中。当GaN单晶20成长至例如约500μm或更大的足够厚度时，保持坩锅的温度为850℃至880℃，由此整个蓝宝石衬底11溶解于熔剂混合物中。
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