公开(公告)号：CN103170478A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310055064.7

申请日：2009-05-28

申请人： 应用材料公司

发明人： R·萨卡拉克利施纳 ,  D·杜鲍斯 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  K·杰纳基拉曼 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  T·诺瓦克 ,  V·斯瓦拉马克瑞希楠 ,  H·姆萨德

IPC分类号： B08B5/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC分类号： F16K31/0655 ,  B08B5/00 ,  B08B7/0021 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45561 ,  F16K1/221 ,  F16K1/224 ,  F16K31/06 ,  F16K31/088 ,  Y10S438/905

摘要： 本发明提出一种用以清洁工艺腔室的方法与设备。在一个实施例中，本发明提供一种工艺腔室，包括远程等离子源与工艺腔室，所述工艺腔室具有至少两个工艺区域。各工艺区域包括：基材支撑组件，设置在所述工艺区域中；气体散布系统，配置以提供气体到所述基材支撑组件上方的所述工艺区域内；以及气体通道，配置以提供气体到所述基材支撑组件下方的所述工艺区域内。第一气体导管是配置以将清洁试剂从所述远程等离子源经由所述气体散布组件流入各所述工艺区域，而第二气体导管是配置以将来自所述第一气体导管的所述清洁试剂的一部分转向到各所述工艺区域的所述气体通道。

公开(公告)号：CN102869810A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180008781.3

申请日：2011-02-01

申请人： 美国迅力光能公司

发明人： 曹新民 ,  布莱德利·S·牟林

IPC分类号： C23C16/54 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1884 ,  C23C14/086 ,  C23C14/562 ,  C23C14/564 ,  C23C14/568 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/545 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供了用于连续形成太阳电池材料的装置和方法，其包括降低处于不同压力下的相邻形成区之间的交叉污染的一隔离腔室。

公开(公告)号：CN1917120B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200610115521.7

申请日：2006-08-15

申请人： 佳能株式会社

发明人： 高津和正

IPC分类号： H01J9/02 ,  H01J9/00 ,  H01J31/12

CPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/04 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45589 ,  H01J37/32009

摘要： 一种用于在密封容器中处理衬底的衬底处理装置，该密封容器装配有排气管和气体引入管，气体引入管的引入口位于排气管内，以便在密封容器中、在排气管的排气口附近形成均匀的气氛。

公开(公告)号：CN100443630C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN03811949.8

申请日：2003-03-19

申请人： 皮尔金顿北美公司

发明人： D·M·纳尔逊

IPC分类号： C23C16/448

CPC分类号： C23C16/4409 ,  B01D1/225 ,  B01D1/228 ,  C23C16/4481

摘要： 选择一种或多种涂层前体(30)。汽化室具有将液体涂层前体连续注入室中以产生蒸汽(42)的结构。无密封的磁驱动部分(24)使得用于将所述液体涂层前体分布在所述室中的结构旋转。在一个实施方案中，在邻近汽化室的位置处注入隔离气体(102)，其速度大于蒸汽的扩散速度，以阻止蒸汽与磁驱动部分接触。在另一个实施方案中，磁驱动部分的第一部分被连接于将所述液体涂层前体分布在所述室中的结构。但是与第一部分邻近的第二部分位于汽化室外，该部分与第一部分磁耦合，并且使第一部分旋转。

公开(公告)号：CN100374765C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200410047873.4

申请日：2004-06-17

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 李相坤

IPC分类号： F16K11/085 ,  F16K41/00 ,  C23C26/00

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45574

摘要： 本发明提供一种用于沉积装置的气阀组件，其包括：一个其中包括多个气体供应通道的驱动机械轴：一个围绕驱动机械轴并且其中包括多个通孔的外壳；在驱动机械轴和外壳之间的多个磁性密封对，所述磁性密封对包括磁性流体；和一个在机械轴和外壳之间的防漏构件，所述防漏构件防止磁性流体泄露。

公开(公告)号：CN101134879A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710142878.9

申请日：2007-08-01

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 珍妮弗·Y·孙 ,  丽·许 ,  塞恩·撒奇 ,  凯利·A·麦克多诺 ,  罗伯特·斯科特·克拉克

IPC分类号： C09J11/04 ,  C09J133/00 ,  C09J183/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67

CPC分类号： C23C16/4409 ,  H01J37/32467

摘要： 本发明的实施方式提供了适合用于连接半导体腔室部件的牢固粘接材料。其他实施方式提供了使用具有在粘合层中沉积的金属填充物的粘接材料连接的半导体处理腔室部件。其他实施方式提供了用于制造具有包括在粘合层中沉积的金属填充的粘接材料的半导体处理腔室部件的方法。金属填充物适合与含卤素等离子体反应从而在其暴露于等离子体时卤素基金属层形成在粘接材料的暴露部分上。

公开(公告)号：CN101091006A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200680001442.1

申请日：2006-06-07

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 田中惠一

IPC分类号： C23C16/44 ,  F16J15/10 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

CPC分类号： F16J15/06 ,  C23C16/4409 ,  F16J15/324

摘要： 本发明涉及一种使真空容器(2)和与真空容器(2)的开口部连接并封闭该开口部的部件的盖体(3)之间密封的密封结构。在存在于真空容器(2)与盖体(3)之间的弹性体制的O形环(64)的内部形成有空腔(66)，在空腔(66)内配置有冷却管(65)。制冷剂在冷却管(65)内流动，冷却O形环(64)。因为透过固体内部的气体的透过率随温度而变化，因此，通过冷却O形环(64)能够减少透过O形环(64)的气体、特别是氧气的透过量，能够维持真空容器(2)内的高的真空度。因为O形环(64)从内侧冷却，所以能够局部地只冷却O形环(64)，O形环(64)的冷却不会对真空装置其它部分的温度控制产生影响。

公开(公告)号：CN106505013B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201610805599.5

申请日：2016-09-05

申请人： 株式会社国际电气

发明人： 芦原洋司 ,  泽田元司

IPC分类号： H01L21/67 ,  C23C16/54

CPC分类号： C23C16/4405 ,  C23C14/50 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4583 ,  H01J37/32871 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68792

摘要： 一种可抑制颗粒产生的衬底处理装置及半导体装置的制造方法。具有：处理衬底的处理容器；向处理容器供给处理气体的气体供给部；在处理容器内设置的衬底载置台；轴，其贯通在处理容器的底壁设置的孔、且在上部设置有衬底载置台；波纹管，其在处理容器的外侧以围绕轴的外周的方式构成、且将内侧空间与处理容器的空间连通；部件落下防止部，其在所述处理容器的底部，并且包括第一结构及第二结构且至少由第一结构及第二结构构成，第一结构沿孔的一部分构成，第二结构沿孔的其他部分构成且与第一结构相邻。

公开(公告)号：CN105493230B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201480046535.0

申请日：2014-07-18

申请人： 应用材料公司

发明人： 乔尔·M·休斯顿 ,  阿伦·库瓦尔齐 ,  迈克尔·P·卡拉津 ,  约瑟夫·尤多夫斯凯

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01J37/32477 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/46 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32724

摘要： 于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备包含室主体，该室主体封闭处理空间，该室主体包括室地板、与该室地板耦合的室壁、及与该室壁可移除地耦合的室盖，其中该室地板、该室壁及该室盖的至少一者包括用于热控制介质的流动的通路；加热板，该加热板与该室地板相邻且间隔开来设置；套管，该套管与该室壁相邻且间隔开来设置，该套管由该加热板而受支持；及第一密封性元件，该第一密封性元件在该室壁及该室盖间的第一界面处设置。

公开(公告)号：CN105742211B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201510993622.3

申请日：2015-12-25

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 网仓学 ,  日向寿树

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45587 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/0268 ,  H01J2237/16 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719

摘要： 本发明提供一种用于在处理容器内独立且面内均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置。晶圆处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳晶圆；载置台，其设有多个，该载置台用于在处理容器内载置晶圆；处理气体供给部，其用于自载置台的上方朝向晶圆供给处理气体；排气机构，其用于对处理容器内进行排气；分隔壁，其配置在处理容器内，该分隔壁以与各载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围载置台；以及内壁，其为圆筒形状，该内壁配置在处理容器的底面且以与载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台，在内壁上形成有狭缝，经由狭缝进行处理空间内的处理气体的排气。在内壁上设有使处理空间内的处理气体以不直接流入狭缝的方式迂回的分隔板。