公开(公告)号：CN101281928A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810005300.3

申请日：2008-02-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘人诚 ,  杨敦年 ,  洪志明 ,  王文德 ,  庄俊杰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L27/146 ,  H01L31/08 ,  H01L31/0248

CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14812

摘要： 本发明是有关于一种半导体装置及其应用。此半导体装置包括半导体基材、形成于半导体基材上的第一磊晶半导体层、形成覆盖在第一磊晶半导体层上的第二磊晶半导体层、以及位在第二磊晶半导体层上的影像感测器。其中第一磊晶半导体层具有第一型掺质及第一掺质浓度，而第二磊晶半导体层则具有第一型掺质及浓度低于第一掺质浓度的第二掺质浓度。

公开(公告)号：CN101271912A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810082779.0

申请日：2008-03-19

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 洪志镐

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14683

摘要： 本文提供了一种图像传感器及其制造方法。依照一个实施例，图像传感器包括：在基板上的包括内连接的电路；在内连接上的下电极；在下电极上的分离的本征层；在分离的本征层上的第二传导型传导层；以及在第二传导型传导层上的上电极。该分离的本征层可具有向内的倾斜侧壁以为单位像素聚焦射入光电二级管的光线。

公开(公告)号：CN100380933C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200380109997.4

申请日：2003-12-24

申请人： 夏普株式会社

发明人： 渡边恭志

IPC分类号： H04N5/335

CPC分类号： H01L27/14601 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/2355 ,  H04N5/35518 ,  H04N5/374

摘要： 本发明提供一种固态摄像装置，能够同时实现宽的动态范围和高的低照度灵敏度。对每个像素，在地和漏极之间串联设置光电二极管和第1晶体管，从上述光电二极管和第1晶体管之间的检测节点输出与根据光输入在上述光电二极管产生的电流或电荷对应的信号。控制部进行使对数型工作期间和线性型工作期间交替重复的控制，在上述对数型工作期间，将上述第1晶体管的栅极电位φR设定在第1电平，得到对数变换后的光电变换信号，在上述线性型工作期间，将上述第1晶体管的栅极电位φR设定在第2电平，得到线性型的光电变换信号。

公开(公告)号：CN101099380A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200580046038.1

申请日：2005-12-21

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 桝山雅之 ,  松长诚之

IPC分类号： H04N5/335 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14806 ,  H04N5/35581 ,  H04N5/374

摘要： 提供一种高动态范围的固体摄像装置，该固体摄像装置包括：多个单位像素(500)，把光转换为信号电荷后存储，排列成矩阵状，输出对应信号电荷的信号电压；使单位像素(500)存储信号电荷的存储期间设定为不同的期间即第1期间及第2期间的行选择电路以及读出晶体管(502)；选择行的行选择电路(110)及垂直选择晶体管(505)；与每列的单位像素(500)相连接的采样电容(210a)、(210b)；以及从采样电容(210a)、(210b)选择任意采样电容的脉冲发生电路(220)及采样晶体管(200a)、(200b)；脉冲发生电路(220)及采样晶体管(200a)、(200b)进行选择，使与上述第1期间及第2期间存储的信号电荷相对应的放大信号，分别存储到采样电容(210a)及采样电容(210b)。

公开(公告)号：CN1979882A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610064758.7

申请日：2006-12-11

申请人： 索尼株式会社

发明人： 川畑升

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/50 ,  H04N5/225

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种半导体成像装置，其包括：安装固态图像传感器的半导体封装载体；电连接形成在固态图像传感器上的第一终端和形成在半导体封装载体上的第二终端的接合线；至少密封与接合线连接的第二终端的密封构件；以及由透光材料制成的且设置在固态图像传感器上面的透光构件，其中通过形成在半导体封装载体上非单一直线上的三个或更多位置处的不同支撑构件支撑透光构件。

公开(公告)号：CN1941393A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610141505.5

申请日：2006-09-28

申请人： 东部电子有限公司

发明人： 黄俊

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/822 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L27/14601 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

摘要： 提供了一种CIS及其制造方法。该CIS包括器件隔离层，形成在第一导电类型的衬底的器件隔离区上，该衬底包括有源区和器件隔离区，该有源区包括光电二极管区和晶体管区；第一导电类型的高浓度扩散区，围绕器件隔离层而形成；栅电极，形成在衬底的有源区上，在其中间插入栅绝缘层；第二导电类型的低浓度扩散区，形成在光电二极管区上并距离器件隔离层预设距离；以及第二导电类型的高浓度扩散区，形成在晶体管区上。

公开(公告)号：CN1933167A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200510097439.1

申请日：2005-12-28

申请人： 美格纳半导体有限会社

发明人： 金相荣

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/8232

CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14689

摘要： 提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)装置及其制造方法。该CMOS图像传感器包括：沟槽的第一传导型基片；沟道停止层，通过在沟槽内表面之上使用第一传导型外延层而形成；装置隔离层，形成于沟道停止层上以填充沟槽；第二传导型光电二极管，形成于沟道停止层一侧中基片的部分中；以及转移栅结构，形成于基片上，邻近光电二极管，以转移从光电二极管所产生的光电子。

公开(公告)号：CN1917225A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610159235.0

申请日：2006-06-02

申请人： 阿瓦戈科技通用IP(新加坡)股份有限公司

发明人： F·P·拉马斯特 ,  J·H·斯坦贝克 ,  C·P·帕尔苏尔 ,  T·E·邓甘

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14601 ,  H01L29/66659 ,  H01L31/035281

摘要： 一种像素，包括第一导电类型的衬底、具有与第一导电类型相反的第二导电类型并且被配置来将入射光转换成电荷的光电探测器、第二导电类型的浮动扩散以及在光电探测器与浮动扩散之间的传输区域。在传输区域上形成栅，该栅与光电探测器部分重叠并且被配置成从光电探测器向浮动扩散传输电荷。第一导电类型的钉扎层从所述栅至少延伸跨越光电探测器。第一导电类型的沟道区域一般从该栅的中点至少延伸跨越光电探测器，该沟道区域是通过注入第一导电类型的掺杂剂而形成的，并且其浓度使得该传输区域的接近光电探测器的掺杂剂浓度高于接近浮动扩散的掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN1741280A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510097604.3

申请日：2005-08-25

申请人： 株式会社东芝

发明人： 井原久典 ,  后藤浩成 ,  田中长孝

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14689

摘要： 一种固态图象传感器，包括：第一导电类型的阱；具有在该阱中形成的并存储从光电转换获取的电荷的第二导电类型的光电转换区；具有在阱中形成的与阱的表面分离的第二导电类型的漏极区；及通过栅极绝缘体在阱的表面上形成的栅电极，该栅电极将电荷从光电转换区传送至漏极区。另选地，一种晶体管，包括：具有第一导电类型的第一半导体区；在第一半导体区中形成的具有第二导电类型的第二和第三半导体区，所述第二和第三半导体区通过用作沟道的一部分第一半导体区相互分隔；设置第一半导体区的表面上在与沟道区接触的绝缘层；设置在绝缘层上的栅电极；且该第一导电类型包括一个设置在第一半导体区与第二和第三半导体区中至少一个之间的屏蔽半导体区，使得第二和第三半导体区中至少一个夹在屏蔽区和第一半导体区之间。

公开(公告)号：CN1734777A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510092615.2

申请日：2005-08-10

申请人： 索尼株式会社

发明人： 神户秀夫 ,  江崎孝之

IPC分类号： H01L27/14 ,  H04N5/335

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687

摘要： 提供一种固态成像装置，能改善衬底的光入射侧中透明绝缘膜的透光率，抑制暗电流，并且防止量子效率的损失，其中像素电路形成在衬底的第一表面中，并且从第二表面接收光，固态成像装置具有：光接收单元，形成在衬底中，用于产生对应于入射光的量的电荷并存储该电荷；透明的第一绝缘膜，形成在第二表面上；以及透明的第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜上，并用于在第一绝缘膜的交接面中或者内部保持与信号电荷具有相同极性的电荷，第一和第二绝缘膜的厚度确定为获得比仅仅利用第一绝缘膜更高的透光度。