-
公开(公告)号：CN1652343A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510050919.2
申请日：2005-02-04
申请人： 索尼株式会社
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14683 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
摘要： 本发明的固态图像拾取装置(1)包括半导体衬底(2)，其形成有由光电二极管(3)和由晶体管组成的像素(20)。包括该像素(20)的晶体管形成在半导体衬底的表面上，在光电二极管(3)的高浓度区之间形成的pn结部分设置在半导体衬底(2)内并且光电二极管(3)的pn结部分的一部分延伸到在半导体衬底(2)表面上形成的晶体管的下部。根据本发明，提供一种固态图象拾取装置，其中像素大小可微型化而不降低饱和电荷量(Qs)和灵敏度。
-
公开(公告)号：CN101488512B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200910004978.4
申请日：2005-02-04
申请人： 索尼株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/82 , H01L21/20
CPC分类号： H01L27/14683 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
摘要： 本发明的固态图像拾取装置(1)包括半导体衬底(2)，其形成有由光电二极管(3)和由晶体管组成的像素(20)。包括该像素(20)的晶体管形成在半导体衬底的表面上，在光电二极管(3)的高浓度区之间形成的pn结部分设置在半导体衬底(2)内并且光电二极管(3)的pn结部分的一部分延伸到在半导体衬底(2)表面上形成的晶体管的下部。根据本发明，提供一种固态图象拾取装置，其中像素大小可微型化而不降低饱和电荷量(Qs)和灵敏度。
-
公开(公告)号：CN101488512A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910004978.4
申请日：2005-02-04
申请人： 索尼株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/82 , H01L21/20
CPC分类号： H01L27/14683 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
摘要： 本发明的固态图像拾取装置(1)包括半导体衬底(2)，其形成有由光电二极管(3)和由晶体管组成的像素(20)。包括该像素(20)的晶体管形成在半导体衬底的表面上，在光电二极管(3)的高浓度区之间形成的pn结部分设置在半导体衬底(2)内并且光电二极管(3)的pn结部分的一部分延伸到在半导体衬底(2)表面上形成的晶体管的下部。根据本发明，提供一种固态图象拾取装置，其中像素大小可微型化而不降低饱和电荷量(Qs)和灵敏度。
-
公开(公告)号：CN1763965A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510099625.9
申请日：2005-08-30
申请人： 索尼株式会社
发明人： 江崎孝之
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14683
摘要： 本发明提供了一种能够在不使用滤色器的情形下进行像素的颜色分离的背照射型固态成像装置，以及结合有该固态成像装置的相机模块和电子设备模块。该固态成像装置包括：形成在半导体衬底(22)中的光电转换元件PD；读出部分，该读出部分形成在半导体衬底(22)的一个表面侧上并从光电转换元件PD读出信号电荷，半导体衬底的另一表面制备为光入射表面；像素，所述像素通过调节光电转换元件和在光入射表面一侧上的累积层(28)之间的pn结深度h2[h2r，h2g，h2b]来使特定波长或更长的光被光电转换。
-
公开(公告)号：CN100433346C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200510092615.2
申请日：2005-08-10
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： H01L31/18 , H01L27/14601 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687
摘要： 提供一种固态成像装置，能改善衬底的光入射侧中透明绝缘膜的透光率，抑制暗电流，并且防止量子效率的损失，其中像素电路形成在衬底的第一表面中，并且从第二表面接收光，固态成像装置具有：光接收单元，形成在衬底中，用于产生对应于入射光的量的电荷并存储该电荷；透明的第一绝缘膜，形成在第二表面上；以及透明的第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜上，并用于在第一绝缘膜的交接面中或者内部保持与信号电荷具有相同极性的电荷，第一和第二绝缘膜的厚度确定为获得比仅仅利用第一绝缘膜更高的透光度。
-
公开(公告)号：CN101728408B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200910209082.X
申请日：2009-10-30
申请人： 索尼株式会社
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L21/76283 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L27/1464 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48624 , H01L2224/78301 , H01L2224/85181 , H01L2224/859 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/12036 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体器件，包括半导体器件层；由多个布线层和多个层间绝缘膜形成在半导体器件层的一个表面上的多层布线部；在多个布线层之一上形成的外部连接电极；以及从半导体器件层延伸至多层布线部以暴露外部连接电极的表面的被形成为凹形的开口，其中开口在远离外部连接电极的一端的开口直径比在靠近外部连接电极的另一端的开口直径大。
-
公开(公告)号：CN100481473C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510050919.2
申请日：2005-02-04
申请人： 索尼株式会社
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14683 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
摘要： 本发明的固态图像拾取装置(1)包括半导体衬底(2)，其形成有由光电二极管(3)和由晶体管组成的像素(20)。包括该像素(20)的晶体管形成在半导体衬底的表面上，在光电二极管(3)的高浓度区之间形成的pn结部分设置在半导体衬底(2)内并且光电二极管(3)的pn结部分的一部分延伸到在半导体衬底(2)表面上形成的晶体管的下部。根据本发明，提供一种固态图象拾取装置，其中像素大小可微型化而不降低饱和电荷量(Qs)和灵敏度。
-
公开(公告)号：CN100428486C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200510099625.9
申请日：2005-08-30
申请人： 索尼株式会社
发明人： 江崎孝之
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14683
摘要： 本发明提供了一种能够在不使用滤色器的情形下进行像素的颜色分离的背照射型固态成像装置，以及结合有该固态成像装置的相机模块和电子设备模块。该固态成像装置包括：形成在半导体衬底(22)中的光电转换元件PD；读出部分，该读出部分形成在半导体衬底(22)的一个表面侧上并从光电转换元件PD读出信号电荷，半导体衬底的另一表面制备为光入射表面；像素，所述像素通过调节光电转换元件和在光入射表面一侧上的累积层(28)之间的pn结深度h2[h2r，h2g，h2b]来使特定波长或更长的光被光电转换。
-
公开(公告)号：CN101728408A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910209082.X
申请日：2009-10-30
申请人： 索尼株式会社
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L21/76283 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L27/1464 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48624 , H01L2224/78301 , H01L2224/85181 , H01L2224/859 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/12036 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体器件，包括半导体器件层；由多个布线层和多个层间绝缘膜形成在半导体器件层的一个表面上的多层布线部；在多个布线层之一上形成的外部连接电极；以及从半导体器件层延伸至多层布线部以暴露外部连接电极的表面的被形成为凹形的开口，其中开口在远离外部连接电极的一端的开口直径比在靠近外部连接电极的另一端的开口直径大。
-
公开(公告)号：CN1734777A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510092615.2
申请日：2005-08-10
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： H01L31/18 , H01L27/14601 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687
摘要： 提供一种固态成像装置，能改善衬底的光入射侧中透明绝缘膜的透光率，抑制暗电流，并且防止量子效率的损失，其中像素电路形成在衬底的第一表面中，并且从第二表面接收光，固态成像装置具有：光接收单元，形成在衬底中，用于产生对应于入射光的量的电荷并存储该电荷；透明的第一绝缘膜，形成在第二表面上；以及透明的第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜上，并用于在第一绝缘膜的交接面中或者内部保持与信号电荷具有相同极性的电荷，第一和第二绝缘膜的厚度确定为获得比仅仅利用第一绝缘膜更高的透光度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
10 条记录 (耗时 0.021 秒)
