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公开(公告)号：CN102569572B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110219433.2
申请日：2011-07-28
申请人： 隆达电子股份有限公司
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/46
摘要： 一种高亮度发光二极管，包含基板、导体层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极、第二电极以及绝缘结构。导体层、第一半导体层、发光层及第二半导体层自基板的上镀化层，依序向上叠设。第一电极与导体层电性连接，而第二电极穿越导体层、第一半导体层及发光层使上镀化层与第二半导体层电性连接。绝缘结构包含至少二保护层，其环周式地裹覆第二电极，且至少二保护层的各个厚度符合分布式布拉格反射镜的厚度，以共同作为高反射率的反射镜。本发明利用裹覆于第二电极的绝缘结构以作为反射镜，借以将朝侧面散射的光线大致上朝单一方向集中利用，借此大幅提高发光二极管的亮度。
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公开(公告)号：CN103594598A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310551576.2
申请日：2013-11-07
申请人： 溧阳市江大技术转移中心有限公司
发明人： 张翠
IPC分类号： H01L33/40
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2933/0016
摘要： 本发明公开了一种GaN基发光二极管，包括：反射电极（1）、衬底（2）、非掺杂GaN或AlN缓冲层（3）、n型GaN层（4）、有源层（5）、p型GaN接触层（6）、p型AlGaN覆盖层（7）、ITO透明电极层（8），其中ITO透明电极层（8）具有开口，该开口贯穿ITO透明电极层（8）且开口底部位于p型AlGaN覆盖层（7）中，开口中的多层p接触电极（9-12）以及其上的键合引线（13）。本发明的GaN基发光二极管具有优良的电特性以及发光效率。
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公开(公告)号：CN103594583A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310551139.0
申请日：2013-11-07
申请人： 溧阳市江大技术转移中心有限公司
发明人： 张翠
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2933/0016
摘要： 本发明提供一种GaN基倒装发光二极管，包括：蓝宝石衬底（1）、n型GaN层（2）、有源层（3）、p型GaN层（4），位于p型GaN层（4）上并借助隔离槽隔离的n型电极（9）和p型电极（8）。隔离槽中形成铜柱（5），n型电极（9）通过铜柱（5）与n型GaN层（2）电连接。n型电极（9）和p型电极（8）与承载基板（10）上相应的焊球和凸块电极（11）焊接。n型电极（9）和p型电极（8）面积相等且相对于隔离槽对称设置。本发明提出的发光二极管能够大幅度提高发光效率以及产品良率。
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公开(公告)号：CN102132426B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980133530.0
申请日：2009-08-28
申请人： 日亚化学工业株式会社
CPC分类号： H01L33/42 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/12032 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种当透光性电极层发生断线时，可以确保电流路径而避免半导体发光元件自身发生接通不良的半导体发光元件。半导体发光元件(10)包含：基板(11)上的第1半导体层(12)；第1半导体层(12)上的发光层(13)；发光层(13)上的第2半导体层(14)；绝缘体层(15)，其设置于第2半导体层(14)上的一部分区域并且包含孔部(19)；透光性电极层(16)，其没有覆盖孔部(19)而覆盖绝缘体层(15)的上面以及第2半导体层(14)；以及第2焊垫电极(18)，其通过孔部(19)而与第2半导体层(14)相接触，并且在夹着透光性电极层(16)而与绝缘体层(15)相对向的位置上与透光性电极层(16)相接触。第2焊垫电极(18)与第2半导体层(14)的接触电阻大于透光性电极层(16)与第2半导体层(14)的接触电阻。
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公开(公告)号：CN102130260B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201010503051.8
申请日：2010-09-30
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42
摘要： 本发明提供了一种发光装置及其制造方法，所述发光装置包括基座、贴装于所述基座上的发光二极管，所述发光二极管包括：连接于基座的电极层，所述电极层具有金字塔阵列结构表面，所述金字塔阵列结构表面作为发光二极管的反射面；位于所述电极层表面的发光二极管管芯，所述发光二极管管芯在发光二极管的出光面具有多孔状表面。本发明发光装置中，发光二极管所产生的发散形的光线通过直接出射或反射被聚集于同一发光方向，且在出光面上形成多孔状表面，在反射面上形成金字塔阵列结构，因此具有较大的出光以及反射面积，进一步提高了出光效率。此外，所述发光装置采用表面贴装式封装结构，具有制造简易的特点。
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公开(公告)号：CN103296166A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210085430.9
申请日：2012-03-21
申请人： 新世纪光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/382
摘要： 本发明是有关于一种发光二极管组件及覆晶式发光二极管封装组件，该发光二极管组件是包含一组件基板、一第一型掺杂层、一发光层、一第二型掺杂层、复数个第一沟部、一第二沟部、一绝缘层、一第一接点及一第二接点。该发光二极管组件的特征在于，该第二沟部串接该等第一沟部的一端并贯穿该第二型掺杂层及该发光层，且裸露部分该第一型掺杂层，增加该第一接点与该第一型掺杂层接触的面积，使该发光二极管组件可于高电流密度下使用而不会产生热聚集的问题，并且不会使该发光二极管组件的发光面积变小，而产生该发光二极管组件的发光效率降低的问题。而本发明的发光二极管组件可倒覆于一封装基板进行覆晶封装，以形成一覆晶式发光二极管封装组件。
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公开(公告)号：CN102054914B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010538428.3
申请日：2010-11-09
申请人： 映瑞光电科技(上海)有限公司
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0091
摘要： 本发明提供一种发光二极管及其制造方法、发光装置，发光二极管包括用于连接发光二极管与电源负极的第一电极；依次位于第一电极上的衬底、发光二极管管芯，衬底中形成有多个贯穿衬底的接触孔，接触孔的上孔径尺寸大于下孔径尺寸，接触孔中填充有用于连接第一电极和发光二极管管芯的电极插塞。包括发光二极管的发光装置中，发光装置还包括基座，发光二极管安装于基座上。发光二极管的制造方法，包括：在衬底上依次形成发光二极管管芯、第二电极；图形化衬底背面、形成露出发光二极管管芯的倒梯形接触孔；向倒梯形接触孔中填充导电材料、直至形成覆盖于衬底背面上的第一电极。本发明提高了发光二极管出光效率，并且制造工艺较为简单。
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公开(公告)号：CN103270589A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062370.2
申请日：2011-12-16
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 安德烈亚斯·普洛斯尔
IPC分类号： H01L23/498 , H01L31/02 , H01L33/62
CPC分类号： H01L31/02002 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L31/02005 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , Y10T29/49165 , H01L2924/00
摘要： 提出一种用于制造用于光电子半导体本体的电连接载体的方法，所述方法具有下述步骤：-提供载体装置（1），所述载体装置具有载体本体（11）、设置在载体本体（11）的外面（111）上的中间层（12）和设置在中间层（12）上的有效层（13）；-将在横向方向（L）上彼此间隔开地设置的至少两个开口（4）经由有效层（13）的外面（131）引入到有效层（13）中，其中开口在竖直方向（V）上完全地穿过有效层（13）延伸；-将开口（4）的侧面（41）和有效层（13）的外面（131）电绝缘；-将导电材料（6）设置在开口（4）中，其中，-在制成连接载体（100）之后，导电材料（6）在其沿着有效层（13）的外面（131）的延伸中在横向方向（L）上在相邻的开口（4）之间具有中断部（U）。
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公开(公告)号：CN101740698B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200910224761.4
申请日：2009-11-17
申请人： LG伊诺特有限公司
发明人： 朴炯兆
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405
摘要： 提供一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括多个化合物半导体层、第一电极、第二电极层和导电支撑构件。所述多个化合物半导体层包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层。所述第一电极形成于所述化合物半导体层下方。所述第二电极层形成于所述化合物半导体层上方。所述第二电极层具有不平坦结构。所述导电支撑构件形成于所述第二电极层上方。
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公开(公告)号：CN102132427B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN200980133120.6
申请日：2009-07-07
申请人： LG伊诺特有限公司
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/14 , H01L33/0033 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/40
摘要： 提供了一种根据实施例的发光器件以及制造发光器件的方法。发光器件包括：第二电极层；第二电极层上的第三导电半导体层，该第三导电半导体层包括肖特基势垒特性区域和欧姆势垒特性区域；第三导电半导体层上的第二导电半导体层；第二导电半导体层上的有源层；有源层上的第一导电半导体层；以及第一导电半导体层上的第一电极层。
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