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公开(公告)号：CN1499584A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN03104125.6
申请日：2003-02-14
申请人： 三星电子株式会社 , 新能量等离子株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F4/00 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/321 , H01J37/32357 , Y02C20/30 , Y02P70/605
摘要： 一种产生等离子体的方法和装置，以及用等离子体制造半导体器件的方法和装置。气体沿具有与主磁场的磁力线相同偏移的流动路径流动，并对气体施加高频交变电流，从而产生气体等离子体。气体等离子体引入到处理室中，以进行制造半导体器件的工艺。
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公开(公告)号：CN1364097A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN01800494.6
申请日：2001-03-07
申请人： 精工爱普生株式会社
发明人： 南百濑勇
IPC分类号： B01D53/70 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4405 , B01D53/70 , B01D2259/818 , C23C16/4412 , Y02C20/30 , Y02P70/605
摘要： 本发明涉及不损伤真空泵,整备、检查容易而且不需要燃烧处理的PFC的处理方法以及处理装置。在真空室12的后段介有配管14,连续设置真空泵16和反应器导入部17和等离子体处理部18和聚合物回收部20,构成处理装置10。
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公开(公告)号：CN1333555A
公开(公告)日：2002-01-30
申请号：CN01122481.9
申请日：2001-07-10
申请人： ABB半导体有限公司
发明人： N·加尔斯特
IPC分类号： H01L21/263 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/66136 , H01L21/263 , H01L29/861 , Y02P70/605
摘要： 在制造具有软恢复特性(“软恢复”)快速功率二极管(26)的方法上,在此方法上通过具有轴向分布图的一个第一未掩蔽的辐射(14)和通过具有横向分布图的一个随后的第二掩蔽的辐射(15)确定所属半导体衬底(10)之内的载流子寿命,如此来达到改善的截止特性,第一未掩蔽辐射是通过其确定功率二极管开关特性的一种离子辐射(14),并且第二掩蔽的辐射是通过其减少功率二极管激活面积的一种电子辐射(15)。在用一种这样的半导体衬底(10)配备的功率二极管上达到涉及功率二极管激活面积的热阻抗Rth的减小。
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公开(公告)号：CN103403852B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201280010528.6
申请日：2012-02-29
申请人： 应用材料公司
发明人： 马丁·杰夫·萨里纳斯 , P·B·路透 , 阿尼鲁达·帕尔 , 杰瑞德·阿哈默德·里 , I·优素福
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32844 , H01L21/02071 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L21/67201 , Y02C20/30 , Y02P70/605
摘要： 本发明的实施例提供能处理基板的双负载闸室。在一实施例中，双负载闸室包括腔室主体，腔室主体界定互相隔离的第一腔室容积和第二腔室容积。下腔室容积和第二腔室容积中的每一个，经由配置以传送基板的两个开口，能选择性连接至两个处理环境。双负载闸室还包括设在第二腔室容积内的加热基板支撑组件。加热基板支撑组件经配置以支撑及加热放置于上的基板。双负载闸室还包括连接至第二腔室容积的远端等离子体源，用以供应等离子体给第二腔室容积。
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公开(公告)号：CN103028357B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201210279322.5
申请日：2012-07-13
申请人： 韩国机械研究院
CPC分类号： H01J37/32844 , B01D53/32 , B01D53/70 , B01D2257/2047 , B01D2257/2066 , B01D2258/0216 , B01D2259/818 , C23C16/4412 , H01J37/32348 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32834 , H05H1/2406 , H05H2001/2462 , H05H2245/1215 , Y02C20/30 , Y02P70/605
摘要： 本发明涉及用于污染物的除去的等离子体反应器。提供了用于污染物的除去的等离子体反应器，其被安装在处理室和真空泵之间且除去从处理室放出的污染物。等离子体反应器包括：至少一个介电体，在该介电体中形成了等离子体产生空间；接地电极，其被连接到介电体的至少一端；及至少一个驱动电极，其被固定到介电体的外周表面，且被连接至AC电源单元以接收AC驱动电压。接地电极具有沿着等离子体反应器的纵向方向的非均一直径。
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公开(公告)号：CN105047515A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510212610.2
申请日：2015-04-29
申请人： 韩国机械研究院
IPC分类号： H01J37/36
CPC分类号： H01J37/32844 , B01D53/32 , B01D2259/818 , H01J37/32091 , H01J37/32834 , H05H1/46 , H05H2001/4667 , H05H2245/1215 , Y02C20/30 , Y02P70/605
摘要： 本发明涉及用于减少有害物质的等离子体反应器。提供了一种用于在被安装在处理气体朝向真空泵的排气路径上时减少包括在处理气体中的有害物质的等离子体反应器。等离子体反应器包括绝缘体、第一接地电极、第二接地电极和驱动电极，该绝缘体具有管形状，处理气体穿过该管形状，该第一接地电极连接到绝缘体的面向处理腔室的前端，该第二接地电极连接到绝缘体的后端且设置有沿处理气体的移动方向面向绝缘体内部的中心的面向部件，该驱动电极被固定到绝缘体的外周表面且被连接到施加AC电压或RF电压的电源。
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公开(公告)号：CN102903841B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210346506.9
申请日：2012-09-18
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
CPC分类号： Y02P70/605
摘要： 本发明提供了一种温度控制的磁电子器件，包括衬底以及位于衬底表面的磁性材料层；该衬底具有各向异性热膨胀系数；该磁性材料层的磁致伸缩系数不为零；工作状态时，控制环境温度变化或者衬底温度变化，引起衬底各向异性的热膨胀（或热收缩），所产生的应力通过衬底与磁性材料层的界面传递至磁性材料层，使磁性材料层的磁性能发生变化。与现有技术相比，本发明具有结构简单、制备方法、对器件磁性能调控效果显著、可扩展性强、温度源选用灵活等优点，在磁电子器件、废热回收等领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102881600B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210346052.5
申请日：2012-09-18
申请人： 奈电软性科技电子(珠海)有限公司
CPC分类号： Y02P70/605
摘要： 本发明公开了一种QFN封装返拆工艺，属于微电子技术领域。通过将元器件拆除后返修再封装使用，以最大限度的达到节约能源、降低成本、减少浪费的目的，符合现在社会节能减排的发展趋势，并且实现了产业的可持续发展。
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公开(公告)号：CN104056547A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410103925.9
申请日：2014-03-19
申请人： 昭和电工株式会社
CPC分类号： Y02C20/30 , Y02P70/605
摘要： 本发明提供能够从分解气体更切实地除去酸成分，并且能够减少用于干式除去酸成分的药剂的消耗量的过氟化物处理装置等。一种过氟化物处理装置（2），其特征在于，具备：对装置入口排气以及水进行加热，并且利用预先确定的催化剂水解过氟化物而生成含有HF的分解气体的加热单元（第1加热器（221）、第2加热器（222））；配置在加热单元的前段和后段，在装置入口排气以及水与分解气体之间进行热交换的热交换器（231）；利用药剂从分解气体干式除去HF的酸成分除去装置（232）；检测从酸成分除去装置（232）流出的排气中所含的HF的浓度的HF浓度传感器（236）；和执行向酸成分除去装置（232）进行药剂的排出以及供给的控制的控制装置（24）。
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公开(公告)号：CN103712298A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310359454.3
申请日：2013-08-16
申请人： 株式会社EGENC
发明人： 金权中
CPC分类号： Y02P70/605
摘要： 本发明涉及一种对向半导体制造设备的无尘室供给的空气进行过滤并对温度和湿度进行控制的空调装置，特别是涉及一种用于精密控制废热利用高效率无尘室恒温恒湿器的空调装置，其回收从现有的空调系统排放至大气的废热，无需供给相当于该废热能量的另外的能量而调节湿度，将废热再利用线圈及冷凝线圈以分级（STEP）划分为多段，以根据室内负荷或外气负荷的变动而改变蒸发器的除湿负荷，从而能够有效地精密控制冷凝器中发热的热量变化。
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