具有平移屏蔽结构的微机电光学遮蔽件及其制造工艺

    公开(公告)号:CN116199178A

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202211511741.7

    申请日:2022-11-29

    IPC分类号: B81B3/00 B81B7/02 B81C1/00

    摘要: 本公开的实施例涉及具有平移屏蔽结构的微机电光学遮蔽件及其制造工艺。MEMS遮蔽件包括:由孔径通过的半导体衬底;第一半导体层和第二半导体层,其形成固定到衬底的支撑结构;多个可变形结构,每个可变形结构由第一和第二半导体层之间的至少一个的对应部分形成;多个致动器;多个屏蔽结构,每个屏蔽结构由第一和第二半导体层之间的至少一个的对应部分形成,屏蔽结构围绕下层孔径成角度布置,以提供对孔径的屏蔽,每个屏蔽结构还经由可变形结构耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制为在第一位置和第二位置之间平移对应屏蔽结构,从而改变对孔径的屏蔽;屏蔽结构的第一和第二位置使得在至少一个操作状态下,相邻屏蔽结构对至少部分地彼此重叠。

    具有限定的止裂边缘延伸的压缩夹层

    公开(公告)号:CN110998831B

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN201880055167.4

    申请日:2018-08-23

    IPC分类号: H01L23/00 H01L23/58 B81B3/00

    摘要: 一种半导体器件包括:衬底;结构化夹层,在衬底上并且具有限定的边缘;以及结构化金属化,在结构化夹层上并且也具有限定的边缘。结构化夹层的每个限定边缘与结构化金属化的限定边缘之一相邻,并且在与结构化金属化的相邻限定边缘相同的方向上延伸。结构化夹层的每个限定边缘延伸超出结构化金属化的相邻限定边缘至少0.5微米,使得结构化金属化的每个限定边缘在到达结构化夹层的相邻限定边缘之前终止。结构化夹层在室温下具有压缩残余应力。

    集成芯片结构及其形成方法
    73.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116101968A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202210718017.5

    申请日:2022-06-23

    发明人: 陈亭蓉

    IPC分类号: B81B3/00 B81B7/02 B81C1/00

    摘要: 本发明涉及包括MEMS致动器的集成芯片结构。MEMS致动器包括具有从锚的中心区域向外延伸的第一多个分支的锚。第一多个分支分别包括第一多个指状件。质量块围绕锚并且包括从质量块的内侧壁向内延伸的第二多个分支。如在顶视图中观察的,第二多个分支分别包括与第一多个指状件交错的第二多个指状件。一个或多个弯曲悬臂耦接在质量块和包裹质量块的框架之间。如在顶视图中观察的,一个或多个弯曲悬臂具有弯曲外表面,该弯曲外表面具有一个或多个拐点。本发明的实施例还涉及形成集成芯片结构的方法。

    一种基于N个谐响应MEMS敏感单元集成的声压振速FFT传感器及其工作方法

    公开(公告)号:CN116086593A

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202310054324.2

    申请日:2023-02-03

    摘要: 本发明公开了一种基于N个谐响应MEMS敏感单元集成的声压/振速FFT传感器及其工作方法。敏感芯片安装于信号处理阵列电路板上,通过金丝将敏感芯片的单元输出电极与信号处理阵列电路板上的输入电极相连接,信号处理阵列电路板通过螺钉与结构主体基座相连接,信号处理阵列电路板的下方设置信号处理电路板,信号处理电路板通过螺钉与结构主体基座相连接,结构主体基座被输出电缆穿过,输出电缆的线皮与屏蔽线通过压板固定于结构主体基座上,输出电缆的芯线与信号处理电路板焊接,信号处理阵列电路板与信号处理电路板通过导线焊接。在硅片结构上利用MEMS技术设计由N个谐响应敏感单元构成的集成敏感芯片并与阵列信号处理芯片集成实现具有快速傅里叶变换功能的FFT声压/振速传感器。

    电容式压力传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN115594145B

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202211592331.X

    申请日:2022-12-13

    发明人: 吕萍

    摘要: 本发明提供了一种电容式压力传感器及其制作方法,旨在通过在设置有信号处理电路结构的所述衬底上制作电容式压力传感器,以解决现有的电容式压力传感器的封装尺寸过大以及由于多层材料之间的热膨胀系数的差异所产生的应力,从而导致电容式压力传感器的性能退化的问题。并且所述电容式压力传感器的参考电容的制作方法简单,在施加压力时,能够维持参考电容输出的电容值不变。

    双驱动型电磁微夹持器
    76.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116038655A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202310014585.1

    申请日:2023-01-05

    IPC分类号: B25J7/00 B81B3/00

    摘要: 本发明公开了一种双驱动型电磁微夹持器,包括:支撑部,支撑部包括基座、设于基座上的中板和两个侧板,中板位于两个侧板之间,每个侧板背离基座的一端均设置有夹持臂,中板的相对两侧面分别与两个侧板之间形成空腔;永磁体,设置于中板内;线圈机构,线圈机构包括两个FPC线圈,每个FPC线圈设置于对应的空腔内,每个FPC线圈包括多层平面线圈;两个FPC线圈独立通电;当FPC线圈通电时,FPC线圈产生磁场并与永磁体发生作用力,使得对应的侧板运动带动对应的夹持臂运动。本发明线圈采用平面的FPC线圈,实现了电磁微夹持器的微型化,且可靠性好;两个FPC线圈能够独立通电,使得可调节的夹持范围更大;打印质量好,提高夹持精度;位移精度高并能做到快速响应。

    一种正负压对称的SOI压力敏感芯片设计方法

    公开(公告)号:CN115979470A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202211490848.8

    申请日:2022-11-25

    摘要: 本发明公开了一种正负压对称的SOI压力敏感芯片设计方法,包括:针对压力敏感电阻设计敏感膜片的中心和边缘两个不同区域的情况,对敏感膜片进行应力模拟分析;根据发生最大应变力位置确定所述压力敏感电阻的区域,并确定所述压力敏感电阻与所述发生最大应变力位置之间的距离,所述最大应变力位置为腐蚀斜坡的根部位置,当对芯片正面及反面施加同样大小压力时,两个方向的正负应变和位移变化均相等,保证敏感电阻所处于弹性膜片的位置,通过应力对称设计和应力匹配工艺,制作出正负压对称的压力敏感芯片,当正反两侧分别受到同样量值的压力时,输出保持一致,该种结构的敏感芯片正反方向对压力敏感的对称性很好,正面与背面应力相匹配。

    一种可实现高效更换与安装原子气室的高适配性容器

    公开(公告)号:CN111517270B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202010331317.9

    申请日:2020-04-24

    摘要: 本发明公开了一种可实现高效更换与安装原子气室的高适配性容器,包括盛放原子气室的内容器、包裹内容器的外容器以及支撑外容器的支架,外容器经支架固定在三维无矩线圈中;内容器包括凹形底座、顶层盖以及两个推拉壁,凹形底座上具有容置原子气室的凹槽,凹形底座与原子气室的底面以及两个相对的侧壁面相接触,两个推拉壁设置于凹形底座的两侧并与原子气室其余的两个相对的侧壁面相接触,顶层盖设置于凹形底座的上方并与原子气室的顶面相接触,其中,在推拉壁与原子气室的侧壁面之间设置有无磁加热片和特氟龙垫片。本发明的优点是:内容器可将气室独立于加热、测温等系统,从而达到多气室高效更换、加热测温系统始终一致、保护气室等的目的。

    一种具有应力释放功能的双端固支板式MEMS结构

    公开(公告)号:CN110668391B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN201910793511.6

    申请日:2019-08-27

    摘要: 本发明公开一种具有应力释放功能的双端固支板式MEMS结构,包括相互键合的衬底层与可动结构层,衬底层顶部中心设有空腔,衬底层顶部设有环形隔离槽,环形隔离槽位于空腔外周,环形隔离槽与空腔之间形成环形固定锚点;可动结构层包含可动结构外框,可动结构外框内设有双端固支板结构,可动结构外框与双端固支板结构之间形成环形应力释放槽,环形应力释放槽与环形隔离槽相对应;环形固定锚点对双端固支板结构形成支撑;双端固支板结构的四角与可动结构外框的四个内角之间分别对应设有应力释放连接梁;本发明在保证传感器谐振频率不降低的情况下极大地减小了传感器对热应力的敏感度。