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公开(公告)号：CN110998831A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880055167.4
申请日：2018-08-23
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 一种半导体器件包括：衬底；结构化夹层，在衬底上并且具有限定的边缘；以及结构化金属化，在结构化夹层上并且也具有限定的边缘。结构化夹层的每个限定边缘与结构化金属化的限定边缘之一相邻，并且在与结构化金属化的相邻限定边缘相同的方向上延伸。结构化夹层的每个限定边缘延伸超出结构化金属化的相邻限定边缘至少0.5微米，使得结构化金属化的每个限定边缘在到达结构化夹层的相邻限定边缘之前终止。结构化夹层在室温下具有压缩残余应力。
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公开(公告)号：CN107393903B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710293949.9
申请日：2017-04-28
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532
摘要： 本发明公开多层金属焊盘。一种用于制造半导体器件的方法包括在第一区中在第一着陆焊盘之上以及在第二区中在第二着陆焊盘之上形成导电衬垫。方法还包括在形成于导电衬垫之上的抗蚀剂层内的第一开口内沉积第一导电材料。第一导电材料满溢以形成第一焊盘以及第二焊盘的第一层。方法还包括在第一导电材料之上沉积第二抗蚀剂层，并且图案化第二抗蚀剂层以形成暴露第二焊盘的第一层而不暴露第一焊盘的第二开口。在第二焊盘的第二层之上沉积第二导电材料。
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公开(公告)号：CN110998831B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201880055167.4
申请日：2018-08-23
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 一种半导体器件包括：衬底；结构化夹层，在衬底上并且具有限定的边缘；以及结构化金属化，在结构化夹层上并且也具有限定的边缘。结构化夹层的每个限定边缘与结构化金属化的限定边缘之一相邻，并且在与结构化金属化的相邻限定边缘相同的方向上延伸。结构化夹层的每个限定边缘延伸超出结构化金属化的相邻限定边缘至少0.5微米，使得结构化金属化的每个限定边缘在到达结构化夹层的相邻限定边缘之前终止。结构化夹层在室温下具有压缩残余应力。
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公开(公告)号：CN103594388A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310357770.7
申请日：2013-08-16
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488 , H01L25/07
CPC分类号： H01L24/06 , H01L21/563 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/94 , H01L2224/02166 , H01L2224/0219 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/03614 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05025 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/0556 , H01L2224/05562 , H01L2224/05583 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/11334 , H01L2224/131 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/27334 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48472 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48764 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81801 , H01L2224/8185 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/85444 , H01L2224/85447 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12032 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/01028 , H01L2924/014 , H01L2924/06 , H01L2924/01024 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01026 , H01L2924/01039 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明涉及具有侧壁间隔物的接触垫及其制作方法。公开了一种芯片接触垫和一种制作芯片接触垫的方法。本发明的实施例包括：在工件上形成多个接触垫，每个接触垫具有下侧壁和上侧壁；以及减小每个接触垫的下宽度，使得每个接触垫的上宽度大于下宽度。方法进一步包括在多个接触垫上形成光刻胶以及去除光刻胶的部分从而沿下侧壁形成侧壁间隔物。
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公开(公告)号：CN107393903A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710293949.9
申请日：2017-04-28
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532
摘要： 本发明公开多层金属焊盘。一种用于制造半导体器件的方法包括在第一区中在第一着陆焊盘之上以及在第二区中在第二着陆焊盘之上形成导电衬垫。方法还包括在形成于导电衬垫之上的抗蚀剂层内的第一开口内沉积第一导电材料。第一导电材料满溢以形成第一焊盘以及第二焊盘的第一层。方法还包括在第一导电材料之上沉积第二抗蚀剂层，并且图案化第二抗蚀剂层以形成暴露第二焊盘的第一层而不暴露第一焊盘的第二开口。在第二焊盘的第二层之上沉积第二导电材料。
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公开(公告)号：CN103594388B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201310357770.7
申请日：2013-08-16
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488 , H01L25/07
CPC分类号： H01L24/06 , H01L21/563 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/94 , H01L2224/02166 , H01L2224/0219 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/03614 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05025 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/0556 , H01L2224/05562 , H01L2224/05583 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/11334 , H01L2224/131 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/27334 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48472 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48764 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48864 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81801 , H01L2224/8185 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/85444 , H01L2224/85447 , H01L2224/85455 , H01L2224/85464 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12032 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/01028 , H01L2924/014 , H01L2924/06 , H01L2924/01024 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01026 , H01L2924/01039 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明涉及具有侧壁间隔物的接触垫及其制作方法。公开了一种芯片接触垫和一种制作芯片接触垫的方法。本发明的实施例包括：在工件上形成多个接触垫，每个接触垫具有下侧壁和上侧壁；以及减小每个接触垫的下宽度，使得每个接触垫的上宽度大于下宽度。方法进一步包括在多个接触垫上形成光刻胶以及去除光刻胶的部分从而沿下侧壁形成侧壁间隔物。
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