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公开(公告)号：CN108907183B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201810892563.4
申请日：2018-08-07
申请人： 宁波柔创纳米科技有限公司
发明人： 解明
摘要： 本发明属于复合材料技术领域，具体涉及一种双层包覆的金属粉体，金属粉体的表面包覆有无机包覆层，无机包覆层的表面包覆有导电碳层。本发明还提供上述金属粉体的制备方法，1）将金属粉体放入多孔容器中，对反应室抽真空并置换氮气；2）将金属粉体分散；3）采用ALD在金属粉体的表面形成无机包覆层；4）采用MLD在无机包覆层表面形成有机包覆层；5）在真空中炭化后，有机包覆层炭化形成导电碳层，再进行热处理，得到双层包覆的金属粉体。本发明还提供一种上述双层包覆的金属粉体的应用，双层包覆的金属粉体用作导电浆料的导电成份。本发明通过在金属粉体表面形成无机‑有机双层包覆，既可以避免金属粉体被氧化，又不影响导电浆料的导电性。
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公开(公告)号：CN107078036B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201580058667.X
申请日：2015-11-05
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/768 , C23C16/04 , C23C16/06 , H01L23/532
摘要： 在此提供用以选择性地沉积钴层的方法。在一些实施方式中，一种用以选择性地沉积钴层的方法包括以下步骤：暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面，其中该基板包含电介质层与金属层，该电介质层具有暴露的电介质表面，该金属层具有暴露的金属表面；以及使用热沉积工艺来选择性地沉积钴层于该暴露的金属表面上。
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公开(公告)号：CN112236025B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011425391.3
申请日：2020-12-09
申请人： 武汉大学
摘要： 本发明提供一种高温电路器件的加工方法，包括：获得实心体；在实心体上沉积第一层壳体；熔去实心体；在第一层壳体表面沉积夹层；在夹层表面沉积第二层壳体；在第二层壳体外壁上分布有测试点，在每个测试点处加工有从第二层壳体向第一层壳体方向延伸但不贯穿第一层壳体的第一孔；在第一孔中填充绝缘层，在绝缘层设置多个第二孔并在每个第二孔中填充导电层；在第一层壳体内壁上加工有第一凹槽，并在其中设置布线层，布线层一端与第二孔中的导电层电连接；熔去夹层；加工成型传感器并将传感器置于第一凹槽中，设置好的传感器与对应的第一凹槽中的布线层另一端电连接。本发明可制备出加工面光洁、尺寸精确、电连接稳定性强、侧壁薄的高温电路器件。
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公开(公告)号：CN111262374B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010203499.1
申请日：2020-03-20
申请人： 杭州宝玛机电有限公司
摘要： 本发明涉及一种电机后端盖的加工工艺，其包括端盖本体，所述端盖本体的拐角处开设有多个安装孔，所述端盖本体的中部设置有扇叶槽，所述扇叶槽的中部开设有用于供电机输出轴穿过的穿孔，所述扇叶槽的侧壁上开设有多个通风孔，所述端盖本体的外表面通过真空镀膜机镀有锌层。本发明通过在端盖外表面镀锌层，能够降低端盖被锈蚀的可能性，从而能够延长端盖的使用寿命。
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公开(公告)号：CN112384639A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980046332.4
申请日：2019-07-04
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/06 , C23C16/455
摘要： 本发明属于在基材上产生无机薄膜的方法，特别是原子层沉积方法的领域。本发明涉及一种制备含金属或半金属的膜的方法，其包括：(a)将含金属或半金属化合物由气态沉积至固体基材上，和(b)使沉积有含金属或半金属化合物的固体基材与通式(II)、(III)或(IV)化合物接触，其中E为Ge或Sn，R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，R’为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，X为空、氢、卤化物基团、烷基、亚烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、氨基、脒化物基团或胍化物基团，L为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基。
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公开(公告)号：CN110359019B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201910775098.0
申请日：2019-08-21
申请人： 西北有色金属研究院
IPC分类号： C23C14/32 , C23C14/16 , C23C14/02 , C23C14/24 , C23C14/35 , C23C16/06 , C23C26/00 , C23G1/10 , C25F3/08 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , A61L27/06 , A61L27/30
摘要： 本发明公开了一种表面具有纳米级类骨TiO2膜层的钛合金，由钛合金基材、Ti膜层和纳米级类骨TiO2膜层组成，其制备过程为：对钛合金基材进行前处理，然后采用气相沉积法在经前处理后的钛合金基材表面制备Ti膜层，再采用电解刻蚀法在Ti膜层上制备纳米级类骨TiO2膜层并进行后处理，得到表面具有纳米级类骨TiO2膜层的钛合金。本发明通过在钛合金基材的表面沉积制备Ti膜层，有效阻止了钛合金基材中的有毒或不良元素进入人体，保证了良好的生物相容性，通过在Ti膜层电解刻蚀形成纳米级多孔结构的纳米级类骨TiO2膜层，提高了其成分、组织分布均匀性，进而提高了骨整合性，适用于医用植入材料。
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公开(公告)号：CN111687742A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010641207.2
申请日：2020-07-06
申请人： 深圳市深汕特别合作区应达利电子科技有限公司 , 应达利电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种石英晶片的加工方法，该方法包括：将保护涂料置于待加工石英晶片的预设区域内，得到涂料石英晶片；将所述涂料石英晶片置入滚磨设备中进行滚磨，得到滚磨石英晶片；去除所述滚磨石英晶片预设区域内的所述保护涂料，得到石英晶片成品。本发明通过在待加工石英晶片的预设区域内涂覆保护涂料，从而可以避免在滚磨过程中预设区域内石英晶片表面被滚磨到，从而保证了石英晶片预设区域内的表面光度，提高了石英晶片的质量。
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公开(公告)号：CN109628909B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201910083948.0
申请日：2019-01-29
申请人： 西南科技大学
IPC分类号： C23C16/06 , C23C16/442 , C23C16/448 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种制备Co‑Re合金涂层的化学气相沉积方法，属于CVD制备领域，目的在于解决现有采用CVD法制备Co‑Re合金涂层的设备结构复杂，成本较高的问题。该方法采用的设备包括升华单元、第一反应气体发生器、第二反应气体发生器、反应器、第三反应气体发生器、管道单元、真空单元、控制系统，所述第三反应气体发生器通过管道与反应器相连且第三反应气体发生器能向反应器内充入反应气体，所述真空单元与反应器相连且真空单元能对反应器进行抽真空处理。采用本发明，能够制备出质量较好的Co‑Re合金涂层，且成本低，产品质量好，具有较高的应用价值和较好的应用前景。同时，本申请的制备方法反应条件温和，具有较高的安全性和可操作性，值得大规模推广和应用。
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公开(公告)号：CN111575755A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010308674.3
申请日：2020-04-18
申请人： 无锡荣峻环保科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有强抗菌作用的泡沫铜合金制备方法，包括以下步骤：S1、选用泡沫铜作为基体；S2、在泡沫铜上沉积铁磁性材料；S3、在保护性气氛或还原性气氛或高真空条件下，对沉积后的泡沫铜进行扩散热处理，冷却后得到泡沫铜合金原料；S4、在保护气氛或还原气氛或高真空条件下，将泡沫铜合金原料升温至400℃～600℃进行保温，同时对泡沫铜合金原料施加磁场，保温时间和施加磁场时间大于0.5h；S5、冷却后得到具有强抗菌作用的泡沫铜合金。本发明通过沉积铁磁性材料并对铁磁性材料施加磁场，使得泡沫铜中晶粒内部产生电场，形成电极电位差异较大的铜—铁磁性材料微电池，充分激发了铜离子的杀菌作用，从而具备了高效抗菌效果。
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公开(公告)号：CN111575676A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201910497957.4
申请日：2019-06-10
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/06 , H01M4/88
摘要： 本发明涉及用于表面处理粉末的表面处理设备和方法。该表面处理设备，包括：在其中限定容纳空间的腔室；设置在腔室的第一端的注入部，以便将气体注入到容纳空间中；设置在腔室的与第一端相对的第二端的排放部，以便从容纳空间排放未反应气体；以及至少一个子腔室，该至少一个子腔室装载在腔室的容纳空间中的第一端和第二端之间，其中，粉末被填充在子腔室中，并且子腔室包括设置在子腔室的至少一个表面中的网格结构，以允许气体被引入子腔室中，并且子腔室可以从第一端移动到第二端。
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