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公开(公告)号：CN100470372C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200510068423.8
申请日：2005-04-29
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： 阿扎特·M·拉蒂博弗
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70441 , G03F7/70283 , G03F7/70291 , G03F7/705 , G03F7/70508 , G03F7/70666
Abstract: 一种计算一空间光调制器阵列的虚拟影像的方法，该方法包含：计算一像素干涉矩阵，该像素干涉矩阵代表该空间光调制器阵列中像素之间的成对干涉；计算对应至该像素的调制状态的有效灰阶值；以及根据该像素干涉矩阵与该有效灰阶值计算该虚拟影像。该有效灰阶值仅依据该像素的调制状态而定。该像素干涉矩阵仅依据位置变量而定。该位置变量为在影像平面中的位置以及在电磁辐射源平面中的位置。该像素干涉矩阵可以是函数矩阵。该像素干涉矩阵可以是四维矩阵。该有效灰阶值使用sinc函数逼近，或是使用多项式函数逼近。
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公开(公告)号：CN101320221A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810109204.3
申请日：2008-02-14
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： 哈里·休厄尔 , 路易斯·约翰·马克亚
CPC classification number: G03F7/70925 , G03F7/70341
Abstract: 提供了一种浸没式光刻设备，其包括：能量源；投影光学系统；台；包括浸没液体供应装置和浸没液体排出装置的喷头在曝光区域内产生液体流；和清洁装置，所述清洁装置使用清洁气体清洁投影光学系统与浸没液体接触的部分。在实施例中，清洁装置包括向曝光区域提供清洁气体流的气体供应装置和气体排出装置。在实施例中，该设备包括含有剂量传感器和/或紫外光源的台。还提供了一种用于在具有向浸没式光刻系统的曝光区域提供浸没流体的浸没流体喷头的浸没式光刻系统中原地清洁最后的透镜元件的方法。
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公开(公告)号：CN101206688A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710300969.0
申请日：2007-12-14
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： 卡斯·塞格·鲁斯特 , 詹森·道格拉斯·赫因特斯汀尔 , 帕特克尔思·阿洛伊修斯·杰克布斯·提纳曼斯 , 温塞斯劳·A·塞布哈 , 罗纳德·P·奥尔布赖特 , 伯纳多·卡斯卓普 , 马丁内斯·亨卓克斯·亨卓克斯·胡克斯
CPC classification number: G03F7/70791 , G03F1/36 , G03F7/70283 , G03F7/70291 , G03F7/70441 , G03F7/705 , G03F7/70558
Abstract: 本发明公开了一种光刻系统、一种器件制造方法、一种定点数据优化方法和一种生产设备。所述定点数据优化方法包括产生用于控制无掩模系统中的独立可控元件阵列的元件动作的优化的定点数据。所述优化基于器件结构和/或剂量图案的估计，所述估计可以利用一种或多种下列因素：投影系统的低通特性、照射系统的构造以及工艺窗口属性。
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公开(公告)号：CN100388026C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510060055.2
申请日：2005-03-31
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： 迈克尔·M·阿尔博特 , 哈利·塞维尔
CPC classification number: G02B5/3075 , G02B5/3058 , G03F7/70566
Abstract: 本发明涉及一种在光刻中使用的形成图形的栅偏振器，它包括对紫外光(UV)透明的基片；和在基片上形成图形的单元阵列，其中的单元使UV光偏振。单元阵列能够形成图形，以产生切向或径向偏振的UV光。
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公开(公告)号：CN101105637A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710102349.6
申请日：2003-02-21
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： 圣地亚哥·E·德尔·普埃尔托 , 埃里克·R·卢普斯特拉 , 安德鲁·马萨尔 , 杜安·P·基什 , 阿卜杜拉·阿里汗 , 伍德罗·J·奥尔松 , 乔纳森·H·费罗斯
CPC classification number: G03F1/66
Abstract: 一种用于保护掩模不被空载的颗粒污染的系统和方法。它们包括提供一个固定在两件式盖子中的模版。该两件式盖子包括用于保护颗粒不受污染的可除去保护部分。该盖子可以保持在用于将盖子从大气部分向真空部分传送通过光刻系统的吊舱或者盒子内。在真空部分，在晶片上形成模版上的图案的曝光过程中移动该可除去的盖子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100349068C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN03120082.6
申请日：2003-03-12
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： 丹尼尔·N·加尔伯特
IPC: G03F7/22
CPC classification number: G03F7/70758 , G03F7/70833 , G03F7/709
Abstract: 揭示一种微影系统中反应负荷的管理方法、系统及设备。一隔离结构被一非隔离结构支撑，此隔离结构则支撑着一移动台座。一线性马达包括第一线性马达组件及第二线性马达组件，此第一线性马达组件被连接到该移动台座上。藉由多数挠曲板而将第二线性马达组件安装在该隔离结构上，一挠曲杆系连接在隔离结构与第二线性马达组件之间。
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公开(公告)号：CN1322375C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200410060062.8
申请日：2004-06-25
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： 哈瑞·休厄尔
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/70233
Abstract: 一种液体浸渍光刻系统，其包含一曝光系统，该曝光系统系以电磁辐射曝光一基底、且还包含一聚集电磁辐射于基底上的投射光学系统。一种液体供应系统提供液体于投射光学系统与基底之间。投射光学系统被置于基底底下。
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公开(公告)号：CN1296678C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200310123211.6
申请日：2003-12-19
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： 凯文·J·瓦奥莱特
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/7085 , G03F7/709 , G05D7/0186
Abstract: 用来精确检测测量探头和一个表面之间微小距离的设备和方法，尤其是一个使用恒定液流并探测桥中液体物质流速从而可以检测微小距离的接近探测器。在该装置中，使用由多孔材料制成的限流器和/或缓冲器，和/或使用流速控制器就可以在纳米或者亚纳米的范围内测量微小距离。在另一个实施例中，接近探测器的一个测量通道被连接到多个测量臂上。
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公开(公告)号：CN1261786C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN03159459.X
申请日：2003-09-25
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： 马修·利普森 , 罗纳德·A·维尔科娄
CPC classification number: G03F7/70341 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/003 , G02B7/025 , Y10T156/10
Abstract: 提供一种用于减少通过光学元件发射的散射光，保护用于将光学元件固定在适当位置的粘合剂不受光致降质的影响的方法。在一个实施例中，该方法包括将一薄的有机氧金属化合物涂层涂敷到光学元件将要施加粘合剂的区域，并将该有机氧金属化合物暴露于紫外光。暴露于紫外光，可将该有机氧金属化合物转变成其相应的金属氧化物，以形成光学惰性的光吸收涂层，保护用于将光学元件固定在适当位置的粘合剂不受光致降质的影响。
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公开(公告)号：CN1768415A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200480009210.1
申请日：2004-02-06
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： 罗伯特·P·曼达尔
IPC: H01L21/027 , G03F7/16 , G03F7/09 , H01L21/3065 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67184 , C23C16/5096 , C23C16/54 , G03F7/091 , H01L21/0276 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/67207 , H01L21/67225
Abstract: 本发明提供了一种在晶片流水线系统内进行半导体晶片处理的等离子室。该处理室可以配置成晶片流水线室内的热堆模块，用于将半导体晶片表面暴露于处理等离子体中。喷头电极和晶片卡盘组件可以设置在处理室内，用于对半导体晶片进行等离子增强处理。各种类型的气体供应源可以与喷头电极流体连通，以提供形成期望等离子体的气体混合物。气体流量可以通过控制器和一系列气体控制阀进行调节，以将预选定的气体混合物引入到处理室内，形成使半导体晶片表面暴露于其中的等离子体。对于不同的半导体晶片处理操作，例如表面底漆处理和底部抗反射涂层(BARC)沉积，可以配制预选择的气体混合物。
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