公开(公告)号：CN112864119A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011361227.0

申请日：2020-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 戴志轩 ,  翁崇铭 ,  郭鸿毅 ,  谢政杰 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了集成电路封装件及其形成方法。集成电路封装件包括光子集成电路管芯。光子集成电路管芯包括光耦合器。集成电路封装件还包括密封光子集成电路管芯的密封剂、位于光子集成电路管芯和密封剂上方的第一再分布结构以及延伸穿过第一再分布结构并且暴露光耦合器的开口。

公开(公告)号：CN109585309B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201810979949.9

申请日：2018-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄子松 ,  余振华 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/58

Abstract: 本发明的实施例公开了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：在第一介电层上的导电屏蔽件；在第一介电层和导电屏蔽件上的第二介电层，第一和第二介电层围绕导电屏蔽件，第二介电层包括：沿着导电屏蔽件的外围设置的第一部分；延伸穿过导电屏蔽件的中心区域的第二部分；以及延伸穿过导电屏蔽件的通道区的第三部分，第三部分将第一部分连接至第二部分；在第二介电层上的线圈，线圈设置在导电屏蔽件上方；在第二介电层上的集成电路管芯，集成电路管芯设置在线圈的外部；以及围绕线圈和集成电路管芯的密封剂，密封剂、集成电路管芯和线圈的顶表面是平齐的。

公开(公告)号：CN111384043A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911358692.6

申请日：2019-12-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖季晖 ,  郑淑蓉 ,  潘国龙 ,  郭庭豪 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 公开了封装的半导体器件及其形成方法，封装的半导体器件包括设置在电源模块和包含集成电路的封装件之间的包含集成无源器件的封装组件。在实施例中，一种器件包括：第一封装组件，包括第一集成电路管芯；第一密封剂，至少部分地围绕第一集成电路管芯；以及再分布结构，位于第一密封剂上并且耦合至第一集成电路管芯；第二封装组件，接合到第一封装组件，第二封装组件包括集成无源器件；以及第二密封剂，至少部分地围绕集成无源器件；以及电源模块，通过第二封装组件附接到第一封装组件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN107026094B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201710057578.4

申请日：2017-01-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  江宗宪 ,  蔡豪益 ,  郭鸿毅 ,  曾明鸿

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L23/58 ,  H01L23/64

Abstract: 本发明涉及一种线圈结构及其制造方法。根据本发明的一些实施例，所述方法包含：在载体上方形成线圈，将所述线圈囊封于囊封材料中，将所述囊封材料的顶部表面平面化直到暴露所述线圈为止，在所述囊封材料及所述线圈上方形成至少一个电介质层，及形成延伸到所述至少一个电介质层中的多个重布线。所述多个重布线电耦合到所述线圈。

公开(公告)号：CN107134413B

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201710094366.3

申请日：2017-02-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  郭庭豪 ,  刘重希 ,  蔡豪益

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/498

Abstract: 本公开内容提供一种半导体装置以及制造的方法。该半导体装置具有顶部金属层；第一钝化层，在所述顶部金属层上方；第一重布层，在所述第一钝化层上方；第一聚合物层；以及第一导电通路，延伸通过所述第一聚合物层。所述第一聚合物层与所述第一钝化层物理接触。

公开(公告)号：CN106548947B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201610677405.8

申请日：2016-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  陈志华 ,  蔡豪益 ,  陈玉芬

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明描述了封装结构和形成封装结构的方法。一种方法包括在第一衬底的凹部中放置第一封装件。第一封装件包括第一管芯。该方法还包括将第一传感器附接至第一封装件和第一衬底。第一传感器电耦合至第一封装件和第一衬底。

公开(公告)号：CN107017236B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201611135645.1

申请日：2016-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王垂堂 ,  陈韦廷 ,  陈颉彦 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿 ,  郭鸿毅 ,  余振华

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明的实施例涉及具有槽的金属板上的集成扇出线圈。本发明实施例揭示一种结构，其包含囊封材料和包含贯穿导体的线圈。所述贯穿导体在所述囊封材料中，其中所述贯穿导体的顶面与所述囊封材料的顶面共面，且所述贯穿导体的底面与所述囊封材料的底面共面。金属板下伏于所述囊封材料。槽在所述金属板中且塡充有介电材料。所述槽具有与所述线圈重叠的部分。

公开(公告)号：CN106057767B

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201510812563.5

申请日：2015-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 史朝文 ,  余振华 ,  普翰屏 ,  潘信瑜 ,  蔡豪益 ,  许森贵

IPC: H01L23/498

Abstract: 器件封装件包括半导体器件管芯、位于钝化层上方并且电连接至器件管芯的第一导线以及位于钝化层上方并且电连接至器件管芯的第二导线，半导体器件管芯包括顶面处的钝化层。第一导线厚于第二导线，并且第一导线和第二导线形成在相同的器件封装件层中。本发明的实施例还涉及半导体器件中的导电迹线及其形成方法。

公开(公告)号：CN109786267A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201810609924.X

申请日：2018-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄子松 ,  林修任 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿 ,  江宗宪 ,  郭庭豪 ,  林彦良

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/528

Abstract: 在实施例中，器件包括：背侧再分布结构，背侧再分布结构包括：金属化图案，位于第一介电层上；以及第二介电层，位于金属化图案上；通孔，穿过第一介电层延伸以接触金属化图案；集成电路管芯，邻近第一介电层上的通孔；模塑料，位于第一介电层上，模塑料密封通孔和集成电路管芯；导电连接件，穿过第二介电层延伸以接触金属化图案，导电连接件电连接至通孔；以及金属间化合物，位于导电连接件和金属化图案的界面处，金属间化合物仅部分地延伸至金属化图案内。本发明的实施例还涉及半导体封装件和方法。

公开(公告)号：CN107706171A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201610954883.9

申请日：2016-10-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄子松 ,  余振华 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  曾明鸿

IPC: H01L23/522 ,  H01F38/14

Abstract: 一种线圈结构的形成方法。线圈结构包括衬底。多个线圈设置在衬底上，且每一线圈包括形成连续螺旋结构的导电元件。连续螺旋结构在线圈结构的上视图中呈六边形。线圈排列成蜂窝状图案，且每一导电元件与外部电路电连接。