公开(公告)号：CN107039418A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611025452.0

申请日：2016-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡铭宪 ,  许森贵 ,  林建民 ,  普翰屏 ,  刘莎莉 ,  薛福隆

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/552

CPC classification number: H03H1/0007 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5286 ,  H01L29/93 ,  H03H7/0115 ,  H01L27/0248 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明的实施例提供一种用于电磁带隙(EBG)噪音抑制的集成电路(IC)管芯。电源网格和接地网格堆叠在覆盖半导体衬底的后道制程(BEOL)区域内，并且电感器布置在电源和接地网格的上方。电感器包括多个互相堆叠的电感器段并且端至端连接以限定电感器的长度。电容器位于电源和接地网格的下方，并且与电感器串联连接。电容器和电感器的各自终端分别地结合至电源和接地网格。也提供了一种用于制造IC管芯的方法。

公开(公告)号：CN107622994A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710438836.3

申请日：2017-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张守仁 ,  普翰屏 ,  黄启铭 ,  潘信瑜 ,  吴凯强 ,  许森贵 ,  万厚德

IPC: H01L23/58

Abstract: 一种半导体装置结构包括一第一装置。半导体装置结构包括一导电部件位于第一装置上方。半导体装置结构包括一导电遮蔽层位于第一装置与导电部件之间。导电遮蔽层具有多个开口，且开口的最大宽度小于第一装置所产生的能量的波长。

公开(公告)号：CN106571694A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610707968.7

申请日：2016-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  庄其达 ,  陈承先 ,  曾明鸿 ,  许森贵 ,  陈玉芬 ,  林彦良

IPC: H02J50/12 ,  H02J7/02 ,  H01F38/14 ,  H01F27/28

CPC classification number: H02J7/025 ,  H01F27/2804 ,  H01F38/14 ,  H01F41/04 ,  H01F41/042 ,  H02J7/0042 ,  H02J7/04 ,  H02J5/005 ,  H01F27/28 ,  H01F2038/143

Abstract: 公开了无线充电器件、无线充电器件制造方法和电子器件的充电方法。在一些实施例中，无线充电器件包括控制器、设置在控制器周围的模塑材料以及设置在模塑材料上方并且连接至控制器的互连结构。该无线充电器件包括连接至控制器的无线充电线圈。该无线充电线圈包括设置在互连结构中的第一部分和设置在模塑材料中的第二部分。该无线充电线圈适应于提供电感以向电子器件充电。

公开(公告)号：CN113451290A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110712544.0

申请日：2021-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许森贵 ,  潘信瑜 ,  林建璋

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522

Abstract: 本公开提供一种半导体封装。半导体封装包括半导体管芯、聚合物层堆叠、多个重布线元件及无源滤波器。聚合物层覆盖半导体管芯的前表面。多个重布线元件及无源滤波器设置在聚合物层堆叠中。无源滤波器包括接地平面及多个导电垫。接地平面与导电垫交叠，且多个导电垫在侧向上彼此隔开。接地平面电耦合到参考电压。多个导电垫电连接到接地平面、电浮置或者电耦合到直流(DC)电压。

公开(公告)号：CN111128951A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201910070388.5

申请日：2019-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许森贵 ,  潘信瑜

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/66

Abstract: 一种封装结构包括第一重布线路结构、第二重布线路结构、半导体管芯、波导结构及天线。半导体管芯夹置于所述第一重布线路结构与所述第二重布线路结构之间且电耦合到所述第一重布线路结构及所述第二重布线路结构。所述波导结构位于所述半导体管芯旁边且电耦合到所述半导体管芯，其中所述波导结构包括所述第一重布线路结构的一部分、所述第二重布线路结构的一部分及多个第一穿孔，所述多个第一穿孔中的每一者连接到所述第一重布线路结构的所述一部分及所述第二重布线路结构的所述一部分。所述天线位于所述半导体管芯上，其中所述第二重布线路结构夹置于所述天线与所述半导体管芯之间，且所述天线经由所述波导结构来与所述半导体管芯电连通。

公开(公告)号：CN106057767B

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201510812563.5

申请日：2015-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 史朝文 ,  余振华 ,  普翰屏 ,  潘信瑜 ,  蔡豪益 ,  许森贵

IPC: H01L23/498

Abstract: 器件封装件包括半导体器件管芯、位于钝化层上方并且电连接至器件管芯的第一导线以及位于钝化层上方并且电连接至器件管芯的第二导线，半导体器件管芯包括顶面处的钝化层。第一导线厚于第二导线，并且第一导线和第二导线形成在相同的器件封装件层中。本发明的实施例还涉及半导体器件中的导电迹线及其形成方法。

公开(公告)号：CN109309063A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201710804579.0

申请日：2017-09-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄立朴 ,  普翰屏 ,  潘信瑜 ,  许森贵

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/467 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06519 ,  H01L2224/09519 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/14519 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/30519 ,  H01L2224/33519 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/351 ,  H01L23/367 ,  H01L23/467 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381

Abstract: 一种半导体封装包括管芯、保护层、多个第一导电性通孔、多个第二导电性通孔、多个导热性通孔以及连接图案。所述管芯包括多个第一接垫及多个第二接垫。所述保护层设置在所述管芯上。所述多个第一导电性通孔及所述多个第二导电性通孔延伸穿过所述保护层并分别接触所述第一接垫及所述第二接垫。所述多个导热性通孔设置在所述保护层之上。所述导热性通孔中的每一个与所述第一导电性通孔及所述第二导电性通孔间隔开。所述连接图案设置在所述保护层上且连接所述第一导电性通孔及所述导热性通孔。所述导热性通孔通过所述连接图案及所述第一导电性通孔连接到所述第一接垫。

公开(公告)号：CN106057767A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201510812563.5

申请日：2015-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 史朝文 ,  余振华 ,  普翰屏 ,  潘信瑜 ,  蔡豪益 ,  许森贵

IPC: H01L23/498

Abstract: 器件封装件包括半导体器件管芯、位于钝化层上方并且电连接至器件管芯的第一导线以及位于钝化层上方并且电连接至器件管芯的第二导线，半导体器件管芯包括顶面处的钝化层。第一导线厚于第二导线，并且第一导线和第二导线形成在相同的器件封装件层中。本发明的实施例还涉及半导体器件中的导电迹线及其形成方法。