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公开(公告)号：CN106935946A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710145289.X
申请日：2017-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电磁功能器件技术领域，提供一种基于超材料的可调谐太赫兹滤波器，采用4层复合结构，包括从下往上依次层叠的高阻硅衬底层、第一聚酰亚胺支撑层、第一超材料层、第二聚酰亚胺支撑层、第二超材料层、第三聚酰亚胺支撑层、第三超材料层与第四聚酰亚胺支撑层；每层超材料层结构相同，均由若干个金属人工结构单元周期性排列构成，金属人工结构单元呈正方形。本发明太赫兹滤波器能够实现较窄的带宽、良好的选择性、损耗低、较强的带外抑制和带内透射，同时可调谐；该滤波器可实现中心频率介于0.3‑3THz之间，3d B带宽≥15％，带内传输系数≥80％，带外抑制≤‑25dB。
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公开(公告)号：CN106785475A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611243901.9
申请日：2016-12-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q17/00
CPC classification number: H01Q17/00
Abstract: 本发明属于电磁功能材料技术领域，具体提供一种基于硅纳米针的太赫兹波宽带吸收材料，用以克服现有太赫兹波吸收器件吸收带宽窄、制作工艺复杂、器件稳定性差、制备成本高昂的缺陷；本发明太赫兹波宽带吸收材料包括硅纳米针阵列和硅衬底两部分，所述硅纳米针阵列由均匀分布于硅衬底上的若干个硅纳米针构成，硅纳米针垂直设置于硅衬底表面；所述硅纳米针阵列和硅衬底为同一材料，均采用n型或p型重掺杂半导体硅、其电阻率≤0.1Ω·cm。通过该硅纳米针阵列结构制作的太赫兹波吸收材料，结构简单，在0.2THz～1.2THz范围内，对太赫兹波的吸收率高达90％；采用简易金属辅助的化学刻蚀方法制备，制备工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN106784064A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611095712.1
申请日：2016-12-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0264 , H01L31/18 , C22C28/00
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0264 , C22C28/00 , H01L31/18
Abstract: 一种GeBi合金薄膜及其制备方法，属于薄膜材料技术领域。包括P型硅衬底，以及采用分子束外延方法形成于P型硅衬底之上的厚度为150～660nm的GeBi合金薄膜。本发明通过控制锗源、铋源的温度和生长时间，制备得到了铋含量高达32.8％的GeBi合金薄膜，远远超过了GeBi合金的最大固溶率，有效提升了薄膜的导电性能；本发明制备得到的GeBi合金薄膜的应用波长范围可完全覆盖C波段和L波段，且截止波长超过2.3μm，可广泛应用于红外光电探测器。
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公开(公告)号：CN106596713A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611033498.7
申请日：2016-11-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N27/90
CPC classification number: G01N27/90 , G01N27/9006 , G01N27/9046
Abstract: 一种高信噪比的无损检测探头系统，包括正弦波发生模块、功率放大模块、无损检测电涡流探头、信号调理模块和数据采集处理模块，所述无损检测电涡流探头包括线圈和位于线圈底部的巨磁电阻传感芯片，所述线圈包括激励线圈和位于激励线圈内部的消除线圈，消除线圈与激励线圈为同轴线圈且串联；所述激励线圈的一端连接功率放大模块的输出端，另一端与消除线圈的一端相连，消除线圈的另一端接地，巨磁电阻传感芯片的输出端连接信号调理模块的输入端。本发明通过对探头结构及相应外围电路的改进，大大提高了信噪比，提高了探头探测的灵敏度，使其可用于航空航天等重要领域的多层导电结构里层和深层缺陷的无损检测与评估。
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公开(公告)号：CN106504891A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611176435.7
申请日：2016-12-19
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01F41/183 , H01F10/145 , H01F10/18
Abstract: 一种准各向同性磁芯膜的制备方法，涉及高频磁性器件特别是片上集成电感类器件中磁性薄膜的制备领域。本发明将基片倾斜，使基片与靶材呈一定角度进行溅射，形成了倾斜柱状结构，引入了单轴各向异性场；本发明磁性薄膜/绝缘层/磁性薄膜三明治结构中，上下两层磁性薄膜为易轴方向相反的倾斜柱状结构，以产生合适的层间交换耦合作用，抵消由于不同长宽比带来的形状各向异性场，使得总的有效各向异性场仅取决于倾斜溅射诱导的各向异性场；本发明磁芯膜由多个三明治结构堆叠形成，相邻三明治结构中磁性薄膜的易轴相互垂直，且通过厚度为20nm以上的隔离层隔离层间交换耦合作用，从而使得磁芯膜各个方向上都有相近的有效各向异性场和较高的磁导率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104201480B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410338832.4
申请日：2014-07-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种新型LTCC叠层圆极化微带天线，克服现有微带贴片天线在难以兼顾高增益、宽频带、圆极化以及小型化多方面性能的缺陷。该新型微带天线基于LTCC技术，增加了耦合贴片的数量，优化了现有的一个激励贴片对应一个耦合贴片的传统模式，有效提高微带天线增益，天线单元增益较传统天线单元增益提高了50％以上，中心频率处辐射效率在90％以上，在很宽的频带内具有高增益、高辐射效率，并且天线具有较好的圆极化特性，能够更好地兼顾微带贴片天线高增益、宽频带以及圆极化的性能要求。在要求一定的增益时，利用该天线单元组阵相比传统天线单元有效的减小了天线阵列的面积，实现高增益天线的小型化设计。
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公开(公告)号：CN106252813A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610770300.7
申请日：2016-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P3/12
Abstract: 一种自偏置的自旋波波导及其制备方法，属于自旋波器件技术领域。包括基片，依次形成于基片之上的永磁薄膜、绝缘介质薄膜、软磁薄膜和保护层形成的多层薄膜结构，所述多层薄膜结构在垂直于膜面的磁场中饱和磁化后，采用单极磁头的写入磁场局域翻转永磁薄膜的磁化方向，即可形成自偏置的自旋波波导。本发明采用垂直各向异性的永磁薄膜与软磁薄膜形成交换-弹性结构，由于永磁薄膜上下磁畴形成的磁通使软磁薄膜中的磁矩沿磁通方向整齐排布，这样，在没有偏置磁场的情况下就能形成自旋波波导，实现了自旋波波导的自偏置；其自偏置场的大小可通过永磁材料的种类及厚度调节，有利于实现集成化的自旋波波导，为集成自旋波器件的应用打下了基础。
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公开(公告)号：CN105892103A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610223600.3
申请日：2016-04-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/015 , H01L29/78 , H01L29/16 , H01L21/762
CPC classification number: G02F1/015 , G02F2203/13 , H01L21/7624 , H01L29/1606 , H01L29/78
Abstract: 本发明属于太赫兹功能器件技术领域，提供一种SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器及其制备方法。该SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器，包括衬底，衬底上表面依次设置的Al2O3栅介质层、石墨烯薄膜，以及源电极、漏电极?双频点超材料结构谐振单元组、栅电极；所述衬底为SOI衬底；所述源电极、漏电极?双频点超材料结构谐振单元组设置于石墨烯导电薄膜上，漏电极?双频点超材料结构谐振单元组用于实现双频点调制；所述栅电极为环形栅电极、设置于衬底上表面。本发明SOI衬底石墨烯晶体管太赫兹波双频点选频调制器能够有效降低调制器损耗，减小调制器工作电压，并且可实现调制器双频点的选频应用。
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公开(公告)号：CN105884342A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610098871.0
申请日：2016-02-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 一种Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体基板材料的制备方法，属于磁性材料制备技术领域。所述旋磁铁氧体基板材料采用氧化物烧结制备工艺，经过配料、球磨、氧气氛预烧、二次球磨、造粒成型、烧结过程，控制晶粒均匀致密生长，实现了Bi代LiZnTiMn铁氧体在低温(880～920℃)下的烧结。本发明制备得到的Bi代LiZnTiMn旋磁铁氧体具有低烧结温度、低介电损耗、窄铁磁共振线宽、高饱和磁感应强度和高矩形比。
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公开(公告)号：CN105870605A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610247938.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于天线技术领域，提供一种超宽带低剖面圆极化双臂螺旋天线，用以解决现有螺旋天线兼顾其超带宽、低剖面、圆极化、高增益发展的矛盾。所述螺旋天线包括背腔、辐射器介质基板、天线螺旋臂、巴伦、同轴接头，其中，辐射器介质基板中心开设馈电端口，天线螺旋臂位于辐射器介质基板的上表面，天线螺旋臂通过馈电端口与巴伦上端相连接，巴伦位于背腔内部，巴伦下端与同轴接头相连；所述背腔包括设置于背腔中心的圆柱、以及与圆柱相连的斜面，所述圆柱与斜面共同构成圆台，所述圆柱上开设圆环凹槽、以及用于设置巴伦的窗口。本发明提供螺旋天线更好地兼顾了螺旋天线宽频带、低剖面、圆极化、高增益的性能要求，同时大大提高天线的频带带宽。
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