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公开(公告)号：CN105075114A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480014582.7
申请日：2014-03-11
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03F3/68 , H03F1/223 , H03F1/3205 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/489 , H03F2200/492 , H03F2200/541 , H03G1/0023
摘要： 公开了具有可配置增益和线性化电路系统的分路式放大器。一种装置包括第一(430)和第二(440)放大器电路以及可以是放大器的一部分的线性化电路(420)。第一(430)和第二(440)放大器电路并联地耦合至放大器输入端(X)。线性化电路(420)也耦合至放大器输入端(X)。第一(430)和第二(440)放大器电路在高增益模式中被启用。第一(430)和第二(440)放大器电路之一在低增益模式中被启用。线性化电路(420)在第二模式中被启用并在第一模式中被禁用。放大器被拆分成多个部分。每一部分包括放大器电路以及该放大器的一部分。可以在低增益模式中使用一个放大器电路和线性化电路来获得高线性度。
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公开(公告)号：CN103022117B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210262950.2
申请日：2012-07-26
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H02M5/458 , H03F3/189
CPC分类号： H01L29/0607 , H01L21/02115 , H01L21/02266 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H03F1/3247 , H03F3/19 , H03F3/245
摘要： 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。一个化合物半导体器件的实施方案包括：衬底；形成在衬底上的化合物半导体堆叠结构；和形成在衬底和化合物半导体堆叠结构之间的非晶绝缘膜。
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公开(公告)号：CN104953953A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510089471.9
申请日：2015-02-27
申请人： 英特尔IP公司
发明人： E.科亨
CPC分类号： H03F1/0222 , H03F1/0227 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/102 , H03F2200/336 , H03F2200/432 , H03F2200/451
摘要： 本发明涉及用于提供针对供应单元的供应控制信号的装置和方法。一种用于提供针对供应单元200的供应控制信号122的装置100，供应单元200被配置成向功率放大器300提供可变受控功率供应202。装置100包括被配置成确定信号与至少一个标称值的偏差的确定模块110；以及被配置成在基于所确定的偏差的调整之后提供供应控制信号122的调整模块120。
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公开(公告)号：CN104904119A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380068981.7
申请日：2013-10-30
申请人： 阿法克斯公司
发明人： 阿列克桑德尔·戈尔巴乔夫
IPC分类号： H03F3/20
CPC分类号： H03F1/0227 , H03F1/0238 , H03F1/0255 , H03F1/0272 , H03F1/30 , H03F3/19 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F2200/108 , H03F2200/126 , H03F2200/129 , H03F2200/15 , H03F2200/18 , H03F2200/21 , H03F2200/234 , H03F2200/393 , H03F2200/42 , H03F2200/451 , H03F2200/459 , H03F2200/462 , H03F2200/465 , H03F2200/48 , H03F2200/481 , H03F2200/504 , H03F2200/75
摘要： 公开了一种用于GSM/GPRS/EDGE收发器的具有杂散消除的射频(RF)功率放大器电路。具有包括RF输入端、RF输出端和电压电源输入端的功率放大器。此外，具有包括与电池连接的输入端、与生成DC电源电压信号的功率放大器的电压电源输入端连接的输出端在内的可调DC-DC转换器。杂散补偿器响应于DC电源电压信号中的杂散而生成差错控制信号。该差错控制信号被施加到功率放大器的RF输入端。
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公开(公告)号：CN104737444A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054343.X
申请日：2013-10-21
申请人： 三星电子株式会社
发明人： M.布罗布斯顿
IPC分类号： H03F3/60
CPC分类号： H04B15/00 , H03F1/0222 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F3/607 , H03F2200/102
摘要： 一种系统和方法放大无线网络中的波形。检测波形的包络以形成包络波形。整形所述包络波形以形成经整形的波形，该整形基于分配放大器的一个或多个特性。滤波经整形的波形以形成经滤波的波形。放大经滤波的波形以形成经第一放大的波形。分配放大器基于经第一放大的波形而放大所述波形的至少一部分以形成经第二放大的波形。
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公开(公告)号：CN104737443A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054734.1
申请日：2013-10-22
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03F1/26 , H03F1/223 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/68 , H03F3/72 , H03F2200/294 , H03F2200/421 , H03F2200/451 , H03F2200/492 , H03F2200/537 , H03F2200/541 , H03F2203/21145
摘要： 公开了具有噪声拆分以改善噪声指数的放大器。在示例性设计中，一种装置(例如，无线设备、集成电路等)包括多个放大器电路(550a、550b、550m)和至少一个互连电路(580a、580b)。这些放大器电路(550a、550b、550m)接收输入射频(RF)信号(RFin)。(诸)互连电路(580a、580b)被耦合在多个放大器电路(550a、550b、550m)之间。每个互连电路(580a、580b)被闭合以短接耦合至该互连电路(580a、580b)的两个放大器电路的输出端或内部节点。该多个放大器电路(550a、550b、550m)可包括耦合至多个电流缓冲器(570a、570b、570m)的多个增益电路(560a、560b、560m)，每个放大器电路具有一个增益电路和一个电流缓冲器。
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公开(公告)号：CN104682898A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510081837.8
申请日：2015-02-15
申请人： 上海唯捷创芯电子技术有限公司
发明人： 牛旭
CPC分类号： H03F1/0205 , H03F1/302 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/111 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/408 , H03F2200/411 , H03F2200/451
摘要： 本发明公开了一种用于功率放大器的有源偏置电路及通信设备。该电路包括PTAT电流源电路、基准电压电路、隔离稳压电路以及偏置电压电路；其中，PTAT电流源电路输入端连接到电压源，输出端连接基准电压电路，用于产生与电压源和温度成比例的电流；基准电压电路产生与电流和温度成比例的基准电压；隔离稳压电路隔离基准电压电路和偏置电压电路，通过负反馈的环路为偏置电压电路提供稳定电压；偏置电压电路接收隔离电压电路的电压，同时连接电压源，用于产生功率放大管的偏置电压。本发明能够在一定程度抑制温度漂移导致的偏置状态漂移，同时克服大功率输出状态下温度升高所导致的线性度恶化。
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公开(公告)号：CN104662793A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380046956.9
申请日：2013-09-10
申请人： 伊诺瓦无线电股份有限公司
发明人： 阿米尔胡尚·法拉哈尼萨马尼 , 亚历山大·格雷贝尔 , 杰兰·赫扎维 , 阿里阿斯加尔·塔勒比
CPC分类号： H03F1/0222 , H03F1/0211 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F3/2178 , H03F3/245 , H03F2200/102 , H03F2200/351 , H03F2200/451 , H03F2203/21112
摘要： 本发明涉及功率放大器的控制，通过追踪输入信号(DL)的包络并提供相同的包络到最后一级功率晶体管(PA)的漏极电压中，以提高放大器的效率。该发明可被用在每个无线通信发射器中，因为在天线之前的发射器的最后一部分中明确地具有功率放大器，并且每个功率放大器具有受限的功率性能，取决于调制的类型，由于它的输入-输出曲线。本发明的实施例提供漏极电源模块(DPSM)来驱动功率放大器(PA)的漏极，其中，取决于包络线，并联的放大器(AMP)的阵列被控制，以在不同的阶段开关。
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公开(公告)号：CN102474223B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201080034498.3
申请日：2010-08-04
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 内森·M·普莱彻 , 阿里斯托泰莱·哈奇克里斯托斯 , 巴巴克·内贾蒂
CPC分类号： H03F1/0277 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/222 , H03F2200/27 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/451 , H03F2200/522 , H03F2200/75 , H03F2203/21136 , H03F2203/21139 , H03F2203/21142 , H03F2203/21157 , H03F2203/21175 , H03F2203/21196 , H03F2203/7206 , H03F2203/7236 , H03G1/0088
摘要： 本发明描述一种具有多重操作模式的放大器模块。在一示范性设计中，所述放大器模块包括放大器(例如，功率放大器)、开关及输出电路。在第一模式中，所述放大器接收并放大输入信号且提供经放大的信号。所述开关耦合到所述放大器的输出且在第二模式中将所述放大器旁路并提供旁路信号。所述输出电路耦合到所述放大器及所述开关。在所述第一模式中，所述输出电路为所述放大器执行输出阻抗匹配。所述输出电路还进行以下操作：(i)在所述第一模式中接收所述经放大的信号且提供输出信号，及(ii)在所述第二模式中接收所述旁路信号且提供所述输出信号。所述放大器在所述第一模式中被启用且在所述第二模式中被停用。
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公开(公告)号：CN104641553A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201480002450.2
申请日：2014-07-04
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H03F1/523 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/426 , H03F2200/451 , H03F2200/462
摘要： 本发明不依赖用于向功率放大电路供电的结构，限制流过功率放大电路的电流。功率放大模块，包括：第一放大晶体管，该第一放大晶体管放大并输出无线频率信号；第二放大晶体管，该第二放大晶体管与第一放大晶体管并联连接，且比第一放大晶体管的尺寸小；偏置电路，该偏置电路向第一放大晶体管以及第二放大晶体管提供偏置电压或偏置电流；电流检测电路，该电流检测电路检测流过第二放大晶体管的电流；以及偏置控制电路，该偏置控制电路根据电流检测电路的检测结果，对从偏置电路提供至第一放大晶体管以及第二放大晶体管的偏置电压或偏置电流进行控制。
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