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公开(公告)号：CN104049474A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410308999.6
申请日：2014-07-01
申请人： 中国科学院光电技术研究所
IPC分类号： G03F7/207
摘要： 本发明提供一种叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法，所述的方法在照明系统经扩束后由光纤引入光路，经过聚光镜均匀照明标记光栅，标记光栅经第一远心成像系统，再由棱镜成像在硅片表面，被反射后经过棱镜，第二远心成像系统；通过分光棱镜将光路分成两支，两支光路结构相同，每支光路都通过横向剪切板，平行平板形成干涉图样和目标像由检测光栅调制，经过检偏器，再由光电探测器和电路解调，硅片焦面位置的移动引起调制光强发生正弦变化，根据两支光路光强的正弦变化，求出标记光栅相位变化，确定标记光栅像的平移量，从而求出焦面位置的变化量。
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公开(公告)号：CN103744271A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410042111.9
申请日：2014-01-28
申请人： 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
摘要： 一种激光直写系统与光刻方法，包括焦距测量系统和曝光系统，所述焦距测量系统采用离线的方式测量整个待刻物体表面的三维形貌信息之后，将所述三维形貌信息转化为调焦信息并发送给所述曝光系统，所述曝光系统根据所述调焦信息，在对所述待刻物体表面进行光刻过程中，调节焦距以适合所述待刻物体表面的凹凸程度，使曝光点始终聚焦于所述光刻物体的表面。
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公开(公告)号：CN102053505B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200910197949.4
申请日：2009-10-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 刘艳松
摘要： 本发明公开了一种动态调整光刻成像设备中的聚焦透镜焦深的方法，包括下列步骤：(a)选取晶片中的任一成像块，测量该成像块的表面距离聚焦透镜中心的距离d；(b)判断所述距离d是否满足f-|DOF|≤d≤f+|DOF|，其中f是聚焦透镜的焦距，f＞0，DOF是聚焦透镜的焦深；(c)若满足，则进入步骤(d)；若判断出d＜f-|DOF|，则驱动所述驱动机构使晶片沿着与晶片表面垂直的方向，向远离聚焦透镜的方向移动，直到d≥f-|DOF|，进入步骤(d)；若判断出d＞f+|DOF|，则驱动所述驱动机构使晶片沿着与晶片表面垂直的方向，向靠近聚焦透镜的方向移动，直到d≤f+|DOF|，进入步骤(d)；(d)对所述成像块进行曝光成像，返回步骤(a)。
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公开(公告)号：CN101807012B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010143766.7
申请日：2010-04-07
申请人： 芯硕半导体(中国)有限公司
IPC分类号： G03F7/207
摘要： 本发明公开了一种直写光刻机的自动聚焦光路结构，即直写光刻机的自动聚焦系统。由直写光刻机的图形发生器生成的图案经过光刻物镜并返回后，通过光路分成两束，这两束光故意造成一定的光程差，分别成像在CCD相机的上、下表面，根据CCD相机上、下图案对比度的差异即可判断离焦的情况，从而驱动平台运动，达到快速聚焦的目的。具有速度快、精度高、结构简单等特点。
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公开(公告)号：CN102073225A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201110038321.7
申请日：2011-02-14
申请人： 中国科学院光电技术研究所
摘要： 一种纳光子直写头精密旋转定位调焦系统，属于直写光刻设备领域，(1)直写头调节装置可以进行纳米级Z向移动；(2)直写头调节装置可以进行0～90°转动；(3)基片台可以进行高速转动；(4)直写头悬臂具有一定弹性变形量；(5)直写头采用空气动力学原理设计结构，可以在基片台转动产生的气流作用下浮起基片表面。基片台高速转动时产生的气流可以实现直写头浮起基片表面几十纳米范围，保证光刻时两者距离处于近场倏逝波作用范围，突破衍射极限限制，实现高分辨力的光刻结果。
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公开(公告)号：CN101976020A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010503788.X
申请日：2010-10-12
申请人： 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
摘要： 一种光刻装置及光刻方法，该光刻装置根据光路的可逆原理在光阑的共轭位置处设置检测装置，可以检测光束在待刻物件表面的汇聚和成像信息，提高光刻光点的品质，同时该光刻方法应用上述光刻装置实现在刻蚀过程中无论由待刻物件表面的凹凸情况引起的离焦现象，还是由填充液加热导致的折射率变化而引起的离焦现象，都能即时地、精确地进行自动调焦，从而保证了移动式曝光的光刻质量。
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公开(公告)号：CN101261455B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810036207.9
申请日：2008-04-17
申请人： 上海微电子装备有限公司
摘要： 一种用于光刻机调焦系统性能评价的装置和方法，其特点是：装置的运动系统将粗动系统和精动系统分开设计，在满足水平X向和垂向大行程运动及垂向高精度定位的同时保证了装置拆装灵活性和扩展性，保证控制精度的同时减少控制的复杂程度，实现了垂向大行程高精度的精密运动控制，保证了被评价调焦系统的测量光斑可以在硅片上的任意位置，实现了检测灵活性，对调焦系统性能评价方法和流程简便，可在精动系统一个行程内将调焦的重复性和精度全部验证完毕，节省时间，代码实现简便，同时整套装置亦可用于其他系统垂向性能检测和评价。
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公开(公告)号：CN100524041C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510081963.X
申请日：2005-07-07
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·B·杰尤宁克 , M·阿克斯萨 , J·J·M·巴塞曼斯 , F·A·C·M·科米斯萨里斯 , R·M·范迪克 , S·德戈鲁特 , W·T·特 , A·H·M·范德霍夫 , A·范德是塔特
IPC分类号： G03F7/207
CPC分类号： G03F7/70891 , G03F7/70258 , G03F7/70491 , G03F7/705 , G03F7/706 , G03F9/7046
摘要： 为对特定应用最重要的这些像差要比对特定应用不太重要的像差给予优先补偿，在光刻投射装置中被使用这样一种制造方法。在具有接受图像的目标部分的衬底，按照所要的图案化应用赋予图案的掩模和将选择的辐射束投射在掩模上产生特定要求的图案化束从而在目标部分形成图案的图像的投射系统中，该方法包括：预测投射系统像差随时间变化；确定这样预测的投射系统像差变化相对一些测量的像差值对一些图像参数的应用相关影响；按照投射系统中这种预测的投射系统像差随时间的变化和它们对一些图像参数的应用相关影响产生针对所要求图案化束的控制信号；以及按照控制信号执行图像调节以补偿预测的图像像差变化应用相关影响。
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公开(公告)号：CN100474124C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610030117.X
申请日：2006-08-16
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种多平台光刻机硅片水平控制和自动对焦系统。该系统包括：至少一个曝光平台、至少一个校准平台、主透镜、校准板、分束板、投影透镜、焦平面空间像收集探测器阵列和反馈控制系统。探测光束与曝光光束同光路直接通过主透镜照射到硅片表面并通过收集原光路返回的反射光进行探测，然后由反馈控制系统对硅片位置进行调节。本发明还公开了利用上述多平台光刻机硅片水平控制和自动对焦系统实现多平台光刻机硅片水平控制和自动对焦的方法。本发明能提高硅片水平控制系统的探测精度，从而提高光刻机对硅片水平位置的控制精度，可以提高工艺水平和降低工艺成本，还能提高光刻机的生产速度。
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公开(公告)号：CN100442470C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200480005685.3
申请日：2004-03-01
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 和田荣希
CPC分类号： H01L21/67276 , G03F7/70508 , G03F7/70991
摘要： 涂敷显影装置至少包含：向被联机连接的曝光装置请求关于曝光装置的信息即简档信息的交接的步骤；涂敷显影装置从曝光装置接收所述简档信息的步骤；涂敷显影装置对应于所述简档信息选择在涂敷显影装置中使用的软件文件的步骤。
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