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公开(公告)号：CN114959887B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202210606746.1
申请日：2022-05-31
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法，涉及碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶长晶余料再次用于晶体生长的方法。本发明的方法余料返料切割为块状，至少为一块设置在长晶坩埚中，籽晶长晶表面与最上层余料返料的上表面之间的距离为30~50mm，余料返料下依次设置硅粉层及碳化硅粉料。使用该方法，相比较传统的余料使用方法或处理工艺，有良好的效果：一是，余料用于再次长晶，避免了资源的浪费，降低了长晶成本；二是，处理的流程较为简单，不容易在处理过程中引入新的杂质；三是，生长的晶体品质与完全使用粉料长晶达到了同样的水平。
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公开(公告)号：CN114622272B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210196199.4
申请日：2022-03-01
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明属于锗单晶生长技术领域，具体公开一种夹渣含杂锗废料除杂方法，包括以下步骤：单晶锗生长废料融化；废料夹渣降温再结晶：锗废料完全融化为熔融态后，调整加热功率使温度下降15℃~50℃，使熔体再结晶；腔室流场控制：经过再结晶处理后的锗熔体，控制压强、坩埚旋转速度，保持真空泵蝶阀的开度为60%~80%；使锗熔体表面的氧化物浮渣向熔体中心移动；浮渣提拉沾附：控制籽晶杆转速，向下移动与浮渣进行接触，提拉籽晶杆，结晶长大到直径80mm~100mm时，结晶体快速冷却，去除杂质，通过本发明的方案，对单晶锗生长过程中产生的夹渣含杂锗废料进行除杂，经过除杂的锗废料，纯度达到6N以上，成为完全符合P型和N型单晶锗直拉法生长所需的原料。
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公开(公告)号：CN114959887A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210606746.1
申请日：2022-05-31
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法，涉及碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶长晶余料再次用于晶体生长的方法。本发明的方法余料返料切割为块状，至少为一块设置在长晶坩埚中，籽晶长晶表面与最上层余料返料的上表面之间的距离为30~50mm，余料返料下依次设置硅粉层及碳化硅粉料。使用该方法，相比较传统的余料使用方法或处理工艺，有良好的效果：一是，余料用于再次长晶，避免了资源的浪费，降低了长晶成本；二是，处理的流程较为简单，不容易在处理过程中引入新的杂质；三是，生长的晶体品质与完全使用粉料长晶达到了同样的水平。
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公开(公告)号：CN112882210B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110142328.7
申请日：2021-02-02
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司
摘要： 本发明属于一种红外光学系统，特别是公开了一种非制冷型中长波宽波段光学系统，包括从物面到焦面依次排列固联的物镜组、成像镜组、滤光片；所述物镜组、成像镜组、滤光片中心轴线同轴，物镜组和成像镜组均具有正光焦度，物镜组为四分离透镜结构，从物面至焦面沿光轴方向依次为第一正透镜、第一负透镜、第二正透镜和第二负透镜，成像镜组为单透镜结构，由第三正透镜构成，本发明光学系统采用普通红外光学材料，能够对与大孔径化相伴而生的像差良好地进行校正，可实现中长波红外宽波段范围的共焦成像，以及不小于F数1.1的相对孔径，并实现了光学系统的无热化，光学系统易于制造、成像品质高、稳定性好。
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公开(公告)号：CN112764209A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110236637.0
申请日：2021-03-03
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司
IPC分类号： G02B15/14
摘要： 轻量化三动组连续变焦结构，涉及红外光学领域，尤其是一种连续变焦、成像质量好的轻量化三动组连续变焦结构。本发明的轻量化三动组连续变焦结构，其特征在于该变焦结构包括镜筒、镜片组、变焦机构和调焦机构，镜片组安装在镜筒内，变焦机构安装在镜筒上，调焦机构安装在镜筒尾部。本发明的轻量化三动组连续变焦结构，结构合理、设计科学，操作简便，采用三动组变焦机构，形式简单，尺寸小，移动座与镜筒内壁研磨配合，变焦精度高；利用三条曲线状的驱动槽，经过精密加工，以确保各移动座之间点点对应，以提高连续变焦过程中的清晰度。
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公开(公告)号：CN112692679A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011641546.7
申请日：2020-12-31
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司
摘要： 本发明涉及棱镜精加工领域，具体公开一种高精度棱镜粘接装置和加工方法，包括工装和光胶板，工装远离光胶板的一端和抛光机相连接，工装由圆形连接模和实体部粘结而成，实体部由一方形基块和对光块粘结而成，实体部的侧面粘结有棱镜，棱镜为透可见光棱镜，对光块的材质与棱镜相同，使用时先用工装结合光胶板将棱镜粘结好，然后置于抛光机上进行抛光，本发明运用光的反射原理观察棱镜待加工面和基准面之间的干涉条纹状态，保证了零件胶合过程中加工面与基准面的平行度，加工过程中，用平面激光干涉仪对工装和棱镜进行实时检测，从而更精确地控制零件的面型精度和第二平行差，保证加工时产生误差及时发现并修改，从而极大的提升了加工效率。
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公开(公告)号：CN107932760A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711394683.3
申请日：2017-12-21
申请人： 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司
CPC分类号： B28D5/02 , B28D5/0076 , B28D5/0082
摘要： 一种立式多晶棒料切割机，涉及多晶棒料加工领域，尤其是一种立式多晶棒料切割机，其特征在于，该切割机包括操作台和支撑机架，操作台内部设置有夹持部和切割部；所述的切割部包括刀片、转轴、环形垫块、六角螺栓、传动轴和电机；所述的夹持部分别对称设置在刀片两侧，所述的夹持部包括夹持块、滑道、紧固条、紧固螺丝和支撑块。本发明的一种立式多晶棒料切割机，结构设计科学合理，使用成本价格低廉，有利于提高企业经济效益，与现有普通切割机相比，具有在切割多晶棒料时损耗低、安全性高，便于收集切割时的残渣，保证工作环保的清洁度，同时提高切割效率高，能方便、快速地切割不同尺寸的多晶棒料，适用范围广。
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公开(公告)号：CN114892274A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210525822.6
申请日：2022-05-13
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法，属于PVT法碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种碳化硅单晶生长工艺中晶体生长的控制工艺。本发明的工艺步骤包括，高压升温、降压变压生长以及升压结束生长和退火过程，其中降压变压生长维持炉内温度2200‑2400℃，经3‑5h缓慢降低炉内气压达到10‑20mbar的低压，再经60‑100h把10‑20mabr的炉内压力线性降低到6‑8mbar，长晶炉的线圈以0.1‑0.5mm的速度向下移动。利用本申请的方法可以使碳化硅晶体厚度由目前15‑25mm的水平提高到30mm以上，解决了目前PVT法碳化硅晶体生长工艺中原料利用率低，生产效率低，剩料多回收困难的问题。
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公开(公告)号：CN112684598A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202110069261.9
申请日：2021-01-19
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司
IPC分类号： G02B15/173
摘要： 本发明属于连续变焦光学系统领域。具体的，本发明公开一种紧凑型非制冷长波红外连续变焦光学系统，包括沿光轴从物面到焦面依次设置有前固定镜组、变倍镜组、补偿镜组、像差稳定镜组、后固定镜组和滤光片，变焦镜组、补偿镜组和像差稳定镜组沿光轴方向按着设定规律前后直线移动实现连续变焦，后固定镜组沿光轴方向前后移动实现离焦补偿，本发明光学系统采用机械补偿变焦方式，变焦核由变焦组、补偿组和像差稳定镜组构成，为三动组结构，能够实现焦长比不小于1、变倍比不小于6、相对孔径不大于1.2的连续变焦功能，在焦距连续变化的过程中，所有焦距中心视场及边缘视场均具有较好的成像质量。
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公开(公告)号：CN106057645A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610438124.7
申请日：2016-06-20
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02096
摘要： 本发明涉及一种半导体晶片的清洗方法，特别涉及锗单晶抛光片的一种清洗方法。本发明公开了一种锗单晶抛光片的清洗方法，其特征在于包括以下步骤：(1)SPM清洗：用浓度95％～98％浓硫酸和浓度30％～32％过氧化氢按照体积比为7:1配制清洗液；(2) SOM清洗：将步骤(1)清洗后的锗抛光片放入由浓度95％～98％浓硫酸、浓度10mg/L臭氧水及去离子水按照体积比为1:1:4混合的清洗液中；(3)APM清洗：将步骤(2)清洗后的锗抛光片放入浓度28％～30％氨水、30％～32％过氧化氢及去离子水按照体积比为1:2:15混合的清洗液中清洗。在不破坏锗抛光片表面的情况下，能够有效去除其表面颗粒、金属、有机物，获得高洁净且生长有薄而均匀的氧化层的表面，达到免清洗(Epi‑ready)的要求。
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