公开(公告)号：CN105144412B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201480023548.6

申请日：2014-04-23

申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

发明人： A.勒夫勒 ,  T.迈尔 ,  A.鲍尔 ,  C.莱雷尔

IPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/06

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/04 ,  H01L33/14 ,  H01L33/325

摘要： 光电子器件（10）包括半导体层结构（100），所述半导体层结构具有作为有源层（140）的量子薄膜结构和p型掺杂层（160），所述p型掺杂层被布置在量子薄膜结构（140）之上。所述p型掺杂层（160）包括至少一个第一子层（161）和第二子层（162）。所述第二子层（162）具有高于第一子层（161）的掺杂度（323）。

公开(公告)号：CN104377114B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201310351839.5

申请日：2013-08-13

申请人： 国家纳米科学中心

发明人： 李振军 ,  白冰 ,  杨晓霞 ,  王小伟 ,  许应瑛 ,  戴庆 ,  裘晓辉

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/15

CPC分类号： H01L21/0259 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02532 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  Y02E10/547

摘要： 本发明涉及一种锗量子点的生长方法，所述方法为在石墨烯层上生长锗量子点。本发明在常规基底表面引入均匀性极高的石墨烯界面，在界面上实现了Ge量子点的生长，避免了为得到高质量界面对常规基底进行繁杂的清洗程序，简化了工艺流程；且保证了锗量子点的低杂质元素含量和低缺陷密度，且保证了锗量子点的自组织生长过程，形成了形貌统一和密度均匀的锗量子点。

公开(公告)号：CN106252211A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610837299.5

申请日：2016-09-21

申请人： 中山大学

发明人： 江灏 ,  吴华龙

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02458 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明公开一种高质量AlN外延层的制备方法，包括以下步骤：（1）将置于反应腔中的衬底进行高温烘烤；（2）沉积成核层前预铺TMAl或者TEAl；（3）沉积一层低温成核层，其中在低温成核层沉积阶段通入表面迁移改善剂以调节成核层晶粒的尺寸（；4）升温退火；（5）高温生长AlN外延层。本发明的技术方案对于AlN成核层的调节具有更加高效直接的特点。通过在成核层阶段通入少量的表面迁移改善剂，能够改善扩散原子Al的迁移能力，从而改变AlN的成核晶粒状态。相比现有技术，该方法能够规避成核层温度和反应源流量调节带来的其他附加影响，调节过程更加简单，改善效果明显。

公开(公告)号：CN104952912A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510398151.1

申请日：2015-07-08

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 冯倩 ,  李付国 ,  代波 ,  谢文林 ,  徐通 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/363

CPC分类号： H01L29/0684 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24

摘要： 本发明公开了一种基于MgO衬底的多层氧化镓薄膜及其生长方法，主要解决现有氧化镓薄膜的表面形貌差和晶粒尺寸小的问题。该氧化镓薄膜包括MgO衬底和氧化镓外延层，其特征在于：氧化镓外延层设为多层，且自下而上每层氧化镓外延层的下面设有5～10nm厚的氧化镓缓冲层，以在衬底上形成缓冲层与外延层交替分布的复合结构。本发明降低了Ga2O3薄膜表面的粗糙度，改善了Ga2O3薄膜的表面形貌，增大了Ga2O3晶粒尺寸，可用于制作半导体功率器件。

公开(公告)号：CN104143497A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201310167780.4

申请日：2013-05-08

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 刘继全 ,  彭仕敏

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254

摘要： 本发明公开了一种GaN外延或GaN衬底的制作方法，包括步骤：1）在第一硅衬底背面生长氧化硅；2）把带有氧化硅的第一硅衬底的背面和第二硅衬底的背面键合在一起，形成第三硅衬底；3）在第三硅衬底的上下两面生长氮化硅或氮氧化硅；4）双面刻蚀第三硅衬底上的氮化硅或氮氧化硅，形成所需图形；5）在第三硅衬底的双面，进行GaN选择性外延生长；6）剥离第一硅衬底和第二硅衬底，形成两片GaN外延片或GaN衬底。本发明可有效的缓解GaN应力，防止GaN龟裂以及晶格缺陷，同时降低生长成本。

公开(公告)号：CN103606535A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310611655.8

申请日：2013-11-26

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 胡国仁

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/78606 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532

摘要： 本发明提供一种软性显示器组件的制作方法及其制作的软性显示器组件，所述方法包括：步骤1、提供软性基底（22）；步骤2、在该软性基底（22）上形成石墨烯层（24）；步骤3、在石墨烯层（24）上形成保护层（26）；步骤4、在保护层（26）上形成低温多晶硅层（28）。本发明的软性显示器组件的制作方法及其制作的软性显示器组件，通过在软性基底上形成石墨烯层，有效导出低温多晶硅层制程中所产生的热量，进而避免热量对软性基底的影响，同时，不需要增加保护层的厚度，减小了内部应力，且利于薄型化。

公开(公告)号：CN103151251A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201110402562.5

申请日：2011-12-07

申请人： 无锡华润华晶微电子有限公司

发明人： 唐红祥 ,  孙永生 ,  计建新 ,  马卫清

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L21/24 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02634 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395

摘要： 本发明提供一种沟槽型绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT）及其制备方法，属于IGBT技术领域。该制备方法包括步骤：（1）提供半导体衬底；（2）在所述半导体衬底的第一面上外延生长外延层；（3）在所述半导体衬底的第二面上制备形成所述沟槽型IGBT的栅极和发射极；（4）对所述外延层进行减薄以形成集电区；（5）在所述集电区上金属化以形成集电极。该制备方法成本低、制备形成的沟槽型IGBT的器件性能好。

公开(公告)号：CN108807617A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810702976.1

申请日：2018-06-30

申请人： 华南理工大学

发明人： 高芳亮 ,  李国强 ,  张曙光 ,  徐珍珠 ,  余粤锋

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L33/20 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

摘要： 本发明公开了生长在硅/石墨烯复合衬底上的GaN基纳米柱LED外延片及其制备方法，包括生长在硅/石墨烯复合衬底上的非掺杂GaN纳米柱，生长在非掺杂GaN纳米柱上的n型掺杂GaN层，长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层。本发明的制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。

公开(公告)号：CN108140552A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680059078.8

申请日：2016-09-08

申请人： 麻省理工学院

发明人： J·金

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/532 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L21/02444 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02658 ,  H01L23/532

摘要： 公开一种基于石墨烯的层转移(GBLT)技术。在此方法中，在石墨烯层上制造包括III-V半导体、Si、Ge、III-N半导体、SiC、SiGe或II-VI半导体的设备层，所述石墨烯层进而设置在衬底上。所述石墨烯层或所述衬底可以与所述设备层晶格匹配以减少所述设备层中的缺陷。然后可以通过例如附接到所述设备层的应力物从所述衬底移除所述制造的设备层。在GBLT中，所述石墨烯层充当用于生长设备层的可重新使用且通用的平台，并且还充当允许在石墨烯表面处快速、精确且可重复地释放的释放层。

公开(公告)号：CN104779141A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510180960.5

申请日：2015-04-16

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 闫果果 ,  孙国胜 ,  张峰 ,  刘兴昉 ,  王雷 ,  赵万顺 ,  曾一平

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/32 ,  C30B29/36

CPC分类号： H01L21/02378 ,  C23C16/325 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262

摘要： 一种低偏角碳化硅同质外延材料的制作方法，包括如下步骤：对低偏角的衬底进行清洗并放入低压CVD设备的生长室，并将反应室抽真空；设定设备反应室压强，并向反应室通入H2和刻蚀HCl气流，开始升温；加热到刻蚀温度，对衬底进行刻蚀，去掉表面的损伤和氧化层；升高反应室温度，达到预生长温度时，通入生长气体和掺杂气体，在衬底上进行缓冲层生长；调整反应室的生长气体和掺杂气体流量，在缓冲层上进行SiC外延层生长；生长结束后，关闭反应室的生长气体、掺杂气体和刻蚀HCl气体，并停止加热，在H2氛围中冷却。本发明可以解决三角缺陷和台阶聚集问题，得到表面质量良好、无BPD缺陷的SiC外延层。