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公开(公告)号：CN104744269B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201410840588.1
申请日：2014-12-30
申请人： 塞克姆公司
IPC分类号： C07C211/63 , C07C209/86
摘要： 一种从含有鎓离子和工艺残余物的组合物中回收鎓氢氧化物的方法，包括提供含有鎓离子和工艺残余物的组合物；向所述组合物中添加一定量的表面活性剂以获得表面活性剂改性的组合物；提供阳离子交换介质；通过将所述表面活性剂改性的组合物施加至阳离子交换介质来收集鎓离子，其中鎓离子与所述阳离子交换介质结合并且被所述阳离子交换介质保留，而所述工艺残余物和所述表面活性剂不与所述阳离子交换介质结合并且基本上不被所述阳离子交换介质保留；以及通过将含阳离子的氢氧化物组合物施加至所述阳离子交换介质，将鎓离子作为鎓氢氧化物从所述阳离子交换介质中回收。
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公开(公告)号：CN104936943B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201480004625.3
申请日：2014-01-10
申请人： 塞克姆公司
IPC分类号： C07C211/63 , C11D3/30
CPC分类号： C09K15/22 , C07C209/90 , C07C211/62 , C07C211/63 , C07C211/64 , C07C213/10 , C07C215/40 , C07C215/72 , C07C215/90
摘要： 本发明涉及包含非水溶剂中的季鎓氢氧化物和咪唑烷‑2,4‑二酮的组合物，其中季铵氢氧化物的浓度为该组合物的约5wt％至约50wt％；其中咪唑烷‑2,4‑二酮的浓度为每百万份组合物中约10至约5000份。
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公开(公告)号：CN105899713A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201580004409.3
申请日：2015-01-13
申请人： 塞克姆公司
IPC分类号： C23F1/34 , C23F1/36 , C23F1/38 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L21/44 , C23F1/34 , C23F1/36 , C23F1/38 , H01L21/32134 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 本发明提供了一种用于相对于氧化物半导体膜选择性地蚀刻钼或钛的方法，其包括提供基板，该基板包括氧化物半导体层和在该氧化物半导体层上的包含钼或钛的层；通过施加光致抗蚀剂层于包含钼或钛的层上，然后使光致抗蚀剂层形成图案并展开，以形成包含钼或钛的层的暴露部分来制备基板；提供包含氨或氢氧化铵、氢氧化季铵和过氧化物的组合物；和将所述组合物施加至所述暴露部分，持续足以蚀刻和去除包含钼或钛的层的暴露部分的时间，其中所述蚀刻相对于所述氧化物半导体选择性地去除钼或钛。
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公开(公告)号：CN105400612A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510963228.5
申请日：2013-03-11
申请人： 塞克姆公司
发明人： 查尔斯·B·利特尔
IPC分类号： C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D7/32 , C11D7/50 , C07C217/28 , C07D295/088
CPC分类号： C11D7/5004 , C07C215/40 , C07C217/28 , C07C2601/04 , C07D295/088 , C11D1/62 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3227 , C11D7/3281
摘要： 从表面去除残余物的方法，包括：向表面施加包含以下成分的组合物：(a)如本文中定义的具有通式(I)的季铵氢氧化物：和(b)基本不含水的偶极非质子溶剂；和从表面除去至少大部分的残余物。
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公开(公告)号：CN103958016B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201280059452.6
申请日：2012-10-03
申请人： 塞克姆公司
发明人： 百瑞·L·海莫尔
CPC分类号： C07K1/20 , B01D15/325 , B01D15/422
摘要： 通过反相置换色谱法从混合物中分离有机化合物的方法，包括提供疏水性固定相；向疏水性固定相施加包含待分离的有机化合物的混合物；通过向疏水性固定相施加包含非-表面活性疏水性中性两性离子置换剂分子和任选的有机溶剂的水性组合物而从疏水性固定相置换有机化合物；以及收集从疏水性固定相洗脱的含有被分离的有机化合物的多个馏分；其中所述非-表面活性疏水性中性两性离子置换剂分子包含具有如说明书中所定义的通式[CM-R*-CM’]的疏水性两性离子。
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公开(公告)号：CN104334522A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380016725.3
申请日：2013-03-11
申请人： 塞克姆公司
发明人： 查尔斯·B·利特尔
IPC分类号： C07C217/28 , C07D295/08 , C11D1/62
CPC分类号： C11D7/5004 , C07C215/40 , C07C217/28 , C07C2601/04 , C07D295/088 , C11D1/62 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3227 , C11D7/3281
摘要： 从表面去除残余物的方法，包括：向表面施加包含以下成分的组合物：(a)如本文中定义的具有通式(I)的季铵氢氧化物：和(b)基本不含水的偶极非质子溶剂；和从表面除去至少大部分的残余物。
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公开(公告)号：CN102046562A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980119165.8
申请日：2009-04-03
申请人： 塞克姆公司
发明人： 威尔弗雷德·韦恩·威尔逊
IPC分类号： C04B35/468 , C01B13/36 , C01G23/00
CPC分类号： C04B35/4682 , C01B13/18 , C01G23/002 , C01G23/006 , C01P2002/72 , C01P2004/60 , C01P2004/61 , C04B35/01 , C04B35/016 , C04B35/16 , C04B35/44 , C04B35/447 , C04B35/457 , C04B35/46 , C04B35/47 , C04B35/472 , C04B35/481 , C04B35/486 , C04B35/49 , C04B35/491 , C04B35/495 , C04B35/497 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3298 , C04B2235/449 , C04B2235/5436 , C04B2235/5481
摘要： 一种制备陶瓷粉末的方法，所述方法包括提供在溶液中的多种前体材料，其中所述在溶液中的多种前体材料的每一种进一步包括陶瓷粉末的至少一种离子组成物质；将所述在溶液中的多种前体材料与一种二羧酸鎓沉淀剂溶液合并以引起所述陶瓷粉末前体在混合溶液中的共沉淀；以及将所述陶瓷粉末前体从所述混合溶液中分离。所述方法可进一步包括煅烧所述陶瓷粉末前体。
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公开(公告)号：CN101248516A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200680019359.7
申请日：2006-03-23
申请人： 塞克姆公司
发明人： 威廉·A·沃伊特恰克 , 迪安·德维尔夫
IPC分类号： H01L21/3213
CPC分类号： C09K13/06 , C09K13/00 , C09K13/02 , H01L21/32134
摘要： 在一实施方案中，本发明涉及一种湿蚀刻组合物，其包括过氧化氢、有机鎓氢氧化物和酸。在另一实施方案中，本发明涉及一种相对周围结构选择性地湿蚀刻金属氮化物的方法，该周围结构包含一种或多种硅、氧化硅、玻璃、PSG、BPSG、BSG、氮氧化硅、氮化硅和碳氧化硅或其组合或混合和/或光致抗蚀剂材料，该方法包括步骤：提供一种含有过氧化氢、有机鎓氢氧化物和酸的湿蚀刻组合物；暴露金属氮化物以在一定温度下用湿蚀刻组合物蚀刻一段时间，所述时间和温度使得相对周围结构有效地选择性蚀刻金属氮化物。
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