公开(公告)号：CN104241363B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201410006584.3

申请日：2014-01-07

申请人： 竹懋科技股份有限公司 ,  金勤海

发明人： 金勤海

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/747 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42308 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66378 ,  H01L29/742 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/861

摘要： 本发明公开了一种沟渠式MOS整流元件及其制造方法，该元件包含：多个沟渠平行形成于重掺杂的n+半导体基板上的n‑外延层内，多个沟渠内具有沟渠氧化层形成于沟渠底部及侧壁；一导电性杂质掺杂第一多晶硅层填满多个沟渠；一平面栅极氧化层形成于多个沟渠相间的平台；一导电性杂质掺杂第二多晶硅层形成于所述平台上，第二多晶硅层及其下的平面栅极氧化层被图案化，而形成平面MOS结构。p型掺杂区形成于平台上MOS结构的两侧作为阳极的一部分；一顶部金属层形成于该半导体基板正面，连接该MOS结构的源、栅极及第一多晶硅层。本发明提供的沟渠式MOS整流元件结构，可充分利用可被利用的平面面积，使得顺向偏压更低，反向漏电更小。

公开(公告)号：CN104241364B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201410097345.3

申请日：2014-03-17

申请人： 竹懋科技股份有限公司 ,  金勤海

发明人： 金勤海

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明公开了双沟渠式MOS晶体管元件及其制造方法，该双沟渠式MOS晶体管元件的结构包含由多个主沟渠相间以平台，形成于重掺杂的n+半导体基板上的n‑外延层内，多个主沟渠内具有主沟渠氧化层先形成于底部及侧壁；再被填入第一多晶硅层。多个凹陷区，各相间一距离接着形成于平台中，凹陷区具有副沟渠栅极氧化层、第二多晶硅层作为MOS栅极；MOS栅极两侧的平台则是离子布植区。布植区和第一多晶硅层作为源极，基板的背面则是漏极。第二实施例中，数列与主沟渠走向垂直的MOS结构通过第二多晶硅层连接，第二多晶硅层和主沟渠内的第一多晶硅层通过氧化层隔离。

公开(公告)号：CN104241283B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201310739980.2

申请日：2013-12-27

申请人： 竹懋科技股份有限公司 ,  金勤海

发明人： 金勤海

IPC分类号： H01L27/08 ,  H01L21/822

摘要： 本发明提供一种双沟渠式整流器及其制造方法，该双沟渠式MOS整流组件的结构包含多个主沟渠平行形成于重掺杂的n+半导体基板上的n‑外延层内，多个主沟渠各相距一平台单位，内具有主沟渠氧化层形成于主沟渠底部及侧壁并有导电的第一多晶硅层填于其中以形成沟渠金属氧化物半导体结构；此外，多个凹陷区于平台中，凹陷区内包含MOS结构，由导电的第二多晶硅层/副沟渠栅极氧化层/n‑外延层组成，多个p型本体(离子注入区)注入于凹陷区MOS结构的两侧；一顶部金属层毯覆式覆盖于包括该些多晶硅层、p型离子注入区的半导体基板正面以做为阳极，一底部金属层作为阴极形成于该重掺杂的n+半导体基板上。

公开(公告)号：CN103887168B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210553498.5

申请日：2012-12-19

申请人： 竹懋科技股份有限公司

发明人： 金勤海

IPC分类号： H01L21/329

摘要： 一种萧特基整流元件的制造方法及形成方法,包含于含n-磊晶层/n+基板形成并图案化一绝缘层以定义主动区，随后，施以离子布植，再形成一绝缘层间隙壁，再以其为硬式罩幕，蚀刻该n-磊晶层，以形成沟渠；接着，在去除硬式罩幕后施以热氧化制造工艺，以全面形成第一氧化层，随后沉积一多晶硅层以填补该些沟渠，至少溢出该些沟渠，再施以非等向回蚀刻制造工艺。随后于定义接触区后，施以自对准金属硅化物制造工艺，再形成一顶部金属层。另一实施例是利用扩散退火制造工艺，替代形成绝缘层间隙壁。其余制造工艺同第一实施例。本发明也包含同时形成终止区沟渠的步骤。

公开(公告)号：CN104241283A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201310739980.2

申请日：2013-12-27

申请人： 竹懋科技股份有限公司 ,  金勤海

发明人： 金勤海

IPC分类号： H01L27/08 ,  H01L21/822

摘要： 本发明提供一种双沟渠式整流器及其制造方法，该双沟渠式MOS整流组件的结构包含多个主沟渠平行形成于重掺杂的n+半导体基板上的n-外延层内，多个主沟渠各相距一平台单位，内具有主沟渠氧化层形成于主沟渠底部及侧壁并有导电的第一多晶硅层填于其中以形成沟渠金属氧化物半导体结构；此外，多个凹陷区于平台中，凹陷区内包含MOS结构，由导电的第二多晶硅层/副沟渠栅极氧化层/n-外延层组成，多个p型本体(离子注入区)注入于凹陷区MOS结构的两侧；一顶部金属层毯覆式覆盖于包括该些多晶硅层、p型离子注入区的半导体基板正面以做为阳极，一底部金属层作为阴极形成于该重掺杂的n+半导体基板上。

公开(公告)号：CN103824774B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201210466039.3

申请日：2012-11-16

申请人： 竹懋科技股份有限公司 ,  金勤海

发明人： 金勤海

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/80

摘要： 本发明揭示一种沟渠式MOS整流元件结构，包含：一平面MOS整流结构形成于主动区的平台上，平台相邻的一边则有主动区沟渠。主动区沟渠形成于重掺杂的n+半导体基板上的n‑磊晶层内。主动区沟渠内具有沟渠栅极氧化层形成于沟渠底部及侧壁及p型掺杂的多晶硅层形成于其上。一顶部金属层则形成于主动区上，连接平面MOS结构的栅极、源极及主动区沟渠的多晶硅层。本发明也揭示其制造方法。本发明揭示的沟渠式MOS元件结构及其制造方法，利用沟渠式结构，而使得顺向偏压VF更低，反向漏电更小。

公开(公告)号：CN103824774A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201210466039.3

申请日：2012-11-16

申请人： 竹懋科技股份有限公司

发明人： 金勤海

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/80

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/8725

摘要： 本发明揭示一种沟渠式MOS整流元件结构，包含：一平面MOS整流结构形成于主动区的平台上，平台相邻的一边则有主动区沟渠。主动区沟渠形成于重掺杂的n+半导体基板上的n-磊晶层内。主动区沟渠内具有沟渠栅极氧化层形成于沟渠底部及侧壁及p型掺杂的多晶硅层形成于其上。一顶部金属层则形成于主动区上，连接平面MOS结构的栅极、源极及主动区沟渠的多晶硅层。本发明也揭示其制造方法。本发明揭示的沟渠式MOS元件结构及其制造方法，利用沟渠式结构，而使得顺向偏压VF更低，反向漏电更小。

公开(公告)号：CN1738010A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510066062.3

申请日：2005-04-19

申请人： 竹懋科技股份有限公司 ,  吴协霖

发明人： 吴协霖

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/0623 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

摘要： 一种功率萧特基(Schottky)整流装置，包括多个填满未掺杂多晶硅层的沟渠，其各个沟渠底部皆有一p区域，当逆向偏压发生时用以阻抗逆向电流，并减少顺向偏压时的少数载子电流。因此功率Schottky整流装置可提供高速开关切换的速度。功率Schottky整流装置形成于基板边缘的终止区区域，本发明也提供制造方法。

公开(公告)号：CN104241363A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410006584.3

申请日：2014-01-07

申请人： 竹懋科技股份有限公司 ,  金勤海

发明人： 金勤海

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/747 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42308 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66378 ,  H01L29/742 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66477

摘要： 本发明公开了一种沟渠式MOS整流元件及其制造方法，该元件包含：多个沟渠平行形成于重掺杂的n+半导体基板上的n-外延层内，多个沟渠内具有沟渠氧化层形成于沟渠底部及侧壁；一导电性杂质掺杂第一多晶硅层填满多个沟渠；一平面栅极氧化层形成于多个沟渠相间的平台；一导电性杂质掺杂第二多晶硅层形成于所述平台上，第二多晶硅层及其下的平面栅极氧化层被图案化，而形成平面MOS结构。p型掺杂区形成于平台上MOS结构的两侧作为阳极的一部分；一顶部金属层形成于该半导体基板正面，连接该MOS结构的源、栅极及第一多晶硅层。本发明提供的沟渠式MOS整流元件结构，可充分利用可被利用的平面面积，使得顺向偏压更低，反向漏电更小。

公开(公告)号：CN104241268A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410044043.X

申请日：2014-01-29

申请人： 竹懋科技股份有限公司 ,  金勤海

发明人： 金勤海

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/2652 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/401 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7802

摘要： 一种沟槽型-垂直式双扩散金氧晶体管结构及其制造方法，其结构包含:多个沟渠平行形成于n-外延层内，沟渠氧化层形成于沟渠底部及侧壁，一导电性第一多晶硅层形成于渠内，再被一第一氧化层所填满；一平面栅极氧化层形成于平台上；一导电性第二多晶硅层形成于平面栅极氧化层上，第二多晶硅层及其下的平面栅极氧化层被图案化，以形成垂直于沟渠走向的多列MOS结构；一内金属介电层形成于上述结果的半导体基板上，该内金属介电层还包含多列分立的源极连接介层洞形成于其中，用以连接第一多晶硅层及双离子扩散的源极区；一第二金属层形成于n+半导体基板的背面作为漏极。本发明的双沟渠整流结构，消除了肖特基接触，使得反向漏电大大降低。