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公开(公告)号：CN101018345A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610159337.2
申请日：2006-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N9/31
CPC classification number: H04N9/3129
Abstract: 本发明提供一种激光显示装置，包括：光源，发射至少一束激光束；光调制单元，根据图像信号调制从光源发射的激光束；扫描单元，沿主扫描方向和子扫描方向扫描在光调制单元中调制的激光束；以及成像单元，图像在其中被形成，且其具有磷光层，通过扫描单元扫描的激光束在该磷光层中产生激发光。
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公开(公告)号：CN1972044A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610149412.7
申请日：2006-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种具有改善的表面形貌特性的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：r面蓝宝石衬底；AlxGa(1－x)N(0≤x＜1＝缓冲层，在900－1100℃的温度下在包含氮气(N2)的气体环境下，在r面蓝宝石衬底上外延生长至100－20000的范围的厚度；以及第一a面GaN层，形成于缓冲层上。
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公开(公告)号：CN103094274B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201110350684.4
申请日：2011-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置，该半导体发光装置具有半导体层叠体，半导体层叠体包括提供第一主要表面的第一导电类型半导体层和提供第二主要表面的第二导电类型半导体层以及有源层。半导体层叠体被划分为第一区域和第二区域。至少一个接触孔形成为从第一区域的第二主要表面穿过有源层。第一电极形成在第二主要表面上以连接到第一区域的第一导电类型半导体层和第二区域的第二导电类型半导体层。第二电极形成在第一区域的第二主要表面上以连接到第一区域的第二导电类型半导体层和第二区域的第一导电类型半导体层。
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公开(公告)号：CN102444849B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201110307781.5
申请日：2011-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F21S8/10 , F21V29/67 , B60Q1/04 , F21W101/10 , F21Y101/02
CPC classification number: F21S45/43 , F21S41/147 , F21S45/33
Abstract: 本发明公开了一种前照灯组件和包括该前照灯组件的车辆。前照灯组件包括：外壳；多个前照灯箱，安装在外壳中，其中，每个前照灯箱包括发光二极管(LED)光源和用来消散从LED光源产生的热的散热器；多个通风扇，分别使所述多个前照灯箱内的空气循环，并且分别安装在所述多个前照灯箱中。相应地，安装在前照灯箱内的通风扇具有相反的排风方向，从而通过通风扇使空气在前照灯箱内循环并由此增强散热效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1617364A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410088165.5
申请日：2004-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/02 , H01S5/2009 , H01S5/3072 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176 , H01S2304/00
Abstract: 提供了一种III－V族GaN基化合物半导体器件及其制造方法。该器件包括在具有多量子阱的有源层和p型GaN基化合物半导体层之间插入的AlGaN扩散阻挡层和InGaN牺牲层。
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公开(公告)号：CN100539212C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510124621.1
申请日：2005-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/2003 , B82Y20/00 , H01L29/045 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0211 , H01S5/2231 , H01S5/34333
Abstract: 提供了一种氮化镓(GaN)基化合物半导体器件，该器件具有改进在衬底上生长的薄膜的表面特性的结构。该GaN基化合物半导体器件包括：AlxInyGa1-x-yN衬底(0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1)，衬底表面相对于(0001)平面朝预定方向倾斜大于0°且小于1°的偏角；以及生长在该衬底上的GaN基化合物半导体层。
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公开(公告)号：CN100483753C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200410088165.5
申请日：2004-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/02 , H01S5/2009 , H01S5/3072 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2301/176 , H01S2304/00
Abstract: 提供了一种III-V族GaN基化合物半导体器件及其制造方法。该器件包括在具有多量子阱的有源层和p型GaN基化合物半导体层之间插入的AlGaN扩散阻挡层和InGaN牺牲层。
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公开(公告)号：CN101110394A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710007940.3
申请日：2007-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02647 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02469 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02551 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02645
Abstract: 本发明提供了具有低缺陷密度以及优异表面形态特性的低缺陷半导体衬底以及制造其的方法。该半导体衬底包括由III－V族半导体材料形成的第一半导体层并且在其上形成有非晶区域和晶质区域，以及形成在该第一半导体层上并且从该晶质区域晶体生长的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN103094274A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110350684.4
申请日：2011-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置，该半导体发光装置具有半导体层叠体，半导体层叠体包括提供第一主要表面的第一导电类型半导体层和提供第二主要表面的第二导电类型半导体层以及有源层。半导体层叠体被划分为第一区域和第二区域。至少一个接触孔形成为从第一区域的第二主要表面穿过有源层。第一电极形成在第二主要表面上以连接到第一区域的第一导电类型半导体层和第二区域的第二导电类型半导体层。第二电极形成在第一区域的第二主要表面上以连接到第一区域的第二导电类型半导体层和第二区域的第一导电类型半导体层。
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