公开(公告)号：CN117715413A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311163952.0

申请日：2023-09-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔贤根 ,  申硕浩 ,  慎重赞 ,  李基硕 ,  金根楠 ,  朴硕汉 ,  张殷硕 ,  韩珍优

IPC分类号： H10B12/00 ,  H10B63/00

摘要： 一种半导体器件可以包括基板、在基板上沿第一方向延伸的位线以及在位线上的有源图案。该半导体器件可以包括在有源图案的一侧旁边在垂直于第一方向的第二方向上延伸跨过位线的背栅电极，以及在有源图案的另一侧旁边在第二方向上延伸的字线。有源图案在第二方向上的长度可以大于位线在第二方向上的长度。

公开(公告)号：CN116249347A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211547941.8

申请日：2022-12-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李基硕 ,  姜泰逵 ,  金根楠 ,  朴成珉 ,  安泰炫 ,  李常铉 ,  张殷硕 ,  郑文泳 ,  郑义撤 ,  崔贤根

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 一种半导体存储器件包括：字线，平行于半导体基板的顶表面延伸；沟道图案，与字线交叉并具有平行于所述顶表面的长轴；位线，垂直于所述顶表面延伸并与沟道图案的第一侧表面接触；以及数据存储元件，与沟道图案的与第一侧表面相反的第二侧表面接触。沟道图案包括与位线相邻的第一掺杂区域、与数据存储元件相邻的第二掺杂区域以及在第一掺杂区域和第二掺杂区域之间并与字线重叠的沟道区域。第一掺杂区域和第二掺杂区域中的至少一个包括与沟道区域相邻的低浓度区域和与沟道区域间隔开的高浓度区域。

公开(公告)号：CN117956798A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311408358.3

申请日：2023-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金根义 ,  李基硕 ,  张殷硕 ,  朴硕韩 ,  申硕浩 ,  慎重赞 ,  郑文泳

IPC分类号： H10B41/27 ,  H10B41/30 ,  H10B43/27 ,  H10B43/30

摘要： 一种半导体存储器件可以包括：衬底；在衬底上在第一方向上延伸的位线；在第二方向上延伸以与位线交叉的第一字线和第二字线；在第一字线和第二字线之间在第二方向上延伸的背栅电极；设置在第一和第二字线与背栅电极之间并且连接到位线的第一和第二有源图案；分别联接到第一和第二有源图案的接触图案；在接触图案和背栅电极之间的第一背栅极覆盖图案；以及在接触图案与第一和第二字线之间的第一栅极覆盖图案。第一背栅极覆盖图案和第一栅极覆盖图案可以具有第一接缝和第二接缝，第一接缝和第二接缝在第二方向上延伸并且位于不同的垂直水平处。