公开(公告)号：CN117641900A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311072951.5

申请日：2023-08-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金泰赫 ,  姜泰逵 ,  申硕浩 ,  李基硕 ,  李相昊 ,  金根楠 ,  朴硕汉 ,  慎重赞 ,  郑文泳 ,  赵银珠

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 一种半导体装置包括：衬底；在第一方向上在衬底上延伸的位线；位线上的第一有源图案和第二有源图案；背栅电极，其在第一有源图案和第二有源图案之间并且在垂直于第一方向的第二方向上与位线交叉地延伸；第一字线，其在第一有源图案的一侧在第二方向上延伸；第二字线，其在第二有源图案的另一侧在第二方向上延伸；以及接触图案，其连接至第一有源图案和第二有源图案中的每一个，其中，接触图案顺序地包括外延生长层、掺杂的多晶硅层和硅化物层。

公开(公告)号：CN117956797A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311400546.1

申请日：2023-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 姜泰逵 ,  金泰赫 ,  申硕浩 ,  金根楠 ,  朴硕韩 ,  慎重赞 ,  李基硕

IPC分类号： H10B41/27 ,  H10B41/30 ,  H10B43/27 ,  H10B43/30 ,  H10B43/40 ,  H10B41/40

摘要： 一种半导体存储器件可以包括：包括单元阵列区和外围电路区的衬底；在衬底的单元阵列区上的有源图案；在衬底的外围电路区上的外围有源图案；设置在外围有源图案的顶表面上的外围栅电极；提供在单元阵列区上以覆盖有源图案的顶表面的第一层间绝缘图案；以均匀的厚度覆盖第一层间绝缘图案和外围栅电极的第一蚀刻停止层；以及设置在第一蚀刻停止层上和外围电路区中的第二层间绝缘图案。在单元阵列区中，第二层间绝缘图案可以具有与第一蚀刻停止层的顶表面位于基本相同的水平的顶表面。

公开(公告)号：CN114171520A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110938165.3

申请日：2021-08-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申硕浩 ,  姜泰逵 ,  姜秉茂 ,  慎重赞

IPC分类号： H01L27/108

摘要： 一种半导体存储器件包括：衬底；半导体图案，在所述衬底上在第一水平方向上延伸；位线，在所述衬底上在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸，所述位线位于所述半导体图案的第一端；字线，在所述半导体图案的侧部在所述衬底上在垂直方向上延伸；电容器结构，位于所述半导体图案的在所述第一水平方向上与所述第一端相对的第二端，所述电容器结构包括连接到所述半导体图案的下电极、与所述下电极间隔开的上电极以及位于所述下电极和所述上电极之间的电容器电介质层；以及电容器接触层，位于所述半导体图案的所述第二端和所述下电极之间，并且包括与所述半导体图案接触的成对的凸表面。

公开(公告)号：CN116249347A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211547941.8

申请日：2022-12-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李基硕 ,  姜泰逵 ,  金根楠 ,  朴成珉 ,  安泰炫 ,  李常铉 ,  张殷硕 ,  郑文泳 ,  郑义撤 ,  崔贤根

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 一种半导体存储器件包括：字线，平行于半导体基板的顶表面延伸；沟道图案，与字线交叉并具有平行于所述顶表面的长轴；位线，垂直于所述顶表面延伸并与沟道图案的第一侧表面接触；以及数据存储元件，与沟道图案的与第一侧表面相反的第二侧表面接触。沟道图案包括与位线相邻的第一掺杂区域、与数据存储元件相邻的第二掺杂区域以及在第一掺杂区域和第二掺杂区域之间并与字线重叠的沟道区域。第一掺杂区域和第二掺杂区域中的至少一个包括与沟道区域相邻的低浓度区域和与沟道区域间隔开的高浓度区域。