公开(公告)号：CN118053874A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311382678.6

申请日：2023-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东镇 ,  林浚熙 ,  尹康五

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H10B12/00 ,  H10B41/27 ,  H10B41/41 ,  H10B43/27 ,  H10B43/40

Abstract: 提供一种半导体装置。半导体装置包括：有源区域；第一源极/漏极区域，其设置在有源区域上；第一接触件，其位于第一源极/漏极区域上；第二源极/漏极区域，其与第一源极/漏极区域间隔开，并且设置在有源区域上；第二接触件，其位于第二源极/漏极区域上；以及第一栅电极，其设置在有源区域上。第一栅电极包括围绕第一接触件的第一环部分，而第二接触件在第一环部分外部延伸。

公开(公告)号：CN117156851A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310603261.1

申请日：2023-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东镇 ,  林浚熙 ,  权烔辉 ,  金鹤善 ,  孙洛辰 ,  李洋熙 ,  李周炫

IPC: H10B41/20 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20

Abstract: 一种半导体器件包括：外围电路区域，包括第一衬底、第一衬底上的电路元件、电连接到电路元件的第一互连结构、以及第一外围区域绝缘层至第四外围区域绝缘层；以及存储单元区域，包括在外围电路区域上并具有第一区域和第二区域的第二衬底、堆叠在第一区域上的栅电极、覆盖栅电极的单元区域绝缘层、穿过栅电极的沟道结构、以及电连接到栅电极和沟道结构的第二互连结构。外围电路区域还包括第一下保护层至第四下保护层，第一下保护层、第二下保护层、第三下保护层和第四下保护层中的至少一个包括氢扩散阻挡层，该氢扩散阻挡层被配置为抑制单元区域绝缘层中包括的氢元素扩散到电路元件并且包括氧化铝。

公开(公告)号：CN115497948A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210684684.6

申请日：2022-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东镇 ,  林濬熙 ,  金鹤善 ,  孙洛辰 ,  金政垠 ,  闵柱盛 ,  李昌宪

IPC: H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。一种半导体器件包括：包括外围电路的下部水平层；和提供在下部水平层上的上部水平层，该上部水平层包括垂直地延伸的存储单元串，其中下部水平层包括：第一基板；器件隔离层，限定第一基板的第一有源区；以及第一栅极结构，包括依次堆叠在第一有源区上的第一栅极绝缘图案、第一导电图案、第一金属图案和第一覆盖图案，其中第一导电图案包括掺杂的半导体材料，器件隔离层覆盖第一导电图案的第一侧表面，并且第一金属图案包括在第一导电图案上的第一主体部分。

公开(公告)号：CN104916268B

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201510106816.7

申请日：2015-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 房珉赫 ,  朴相培 ,  李金玉 ,  李东镇 ,  李定根 ,  郑宰燻 ,  赵庆善 ,  洪性契

IPC: G09G5/00 ,  G09G5/14 ,  G06F3/14

CPC classification number: G06F3/1431 ,  G06F3/1423 ,  G06F3/1446 ,  G09G2310/0232 ,  G09G2340/04 ,  G09G2340/0442

Abstract: 公开了一种显示设备及其控制方法，其中，移动显示器来在可视屏幕上显示由多个图像形成的图像。显示设备包括：第一显示器，被配置为显示第一屏幕；第二显示器，被配置为显示第二屏幕；控制器，被配置为通过改变第一屏幕的区域和第二屏幕的区域之中的至少一个区域来控制由第一屏幕和第二屏幕形成的一个可视屏幕的区域，确定将被显示的图像的第一部分和第二部分，使得可视屏幕的区域与图像的区域相应，并控制将图像分别显示在第一屏幕和第二屏幕上。

公开(公告)号：CN118486676A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202311534823.8

申请日：2023-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔昌玟 ,  金贤慜 ,  朴俊泽 ,  李东镇 ,  李隆彬 ,  林濬熙

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H10B41/20 ,  H10B41/35 ,  H10B43/20 ,  H10B43/35 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件，包括第一衬底、设置在第一衬底上的晶体管、以及连接到晶体管的第一互连层。第一互连层包括在平行于第一衬底的顶表面的第一方向上彼此间隔开的第一导线、第二导线和第三导线。第二导线设置在第一导线和第三导线之间。第二导线的顶表面相对于第一衬底的顶表面位于比第一导线和第三导线的顶表面高的高度处。

公开(公告)号：CN118230770A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311634041.1

申请日：2023-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔昌玟 ,  李隆彬 ,  李东镇 ,  林浚熙

IPC: G11C5/02 ,  G11C5/06 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14 ,  G06F12/0882 ,  G11C16/04

Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置和一种电子系统，该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括在垂直于基板的上表面的第一方向上堆叠在基板上的多条字线以及在多条字线下方的共源极线；多条驱动信号线，其连接到行解码器；以及多个传输晶体管阵列，多个传输晶体管阵列中的每一个包括分别连接多条驱动信号线和多条字线的多个竖直传输晶体管，其中，多个传输晶体管阵列中的每一个还包括有源区域以及向有源区域施加信号的主接触件，该有源区域包括漏极，多个竖直传输晶体管中的至少两个同时接合到该漏极。

公开(公告)号：CN117881191A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311158221.7

申请日：2023-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李素贤 ,  尹康五 ,  李东镇 ,  林濬熙

IPC: H10B43/40 ,  H10B43/27 ,  H10B41/41 ,  H10B41/27 ,  H10B80/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体存储装置和电子系统，半导体存储装置包括：衬底，衬底包括第一区域和第二区域，其中，第一区域包括外围电路和第一有源区域(FAR)，并且第二区域包括存储单元块。FAR包括在第一方向上延伸的FAR第一延伸部、在第二方向上延伸的FAR第二延伸部和在第三方向上延伸的FAR第三延伸部。FAR第一延伸部、FAR第二延伸部和FAR第三延伸部相对于彼此形成大于90度的相应角度。所述装置包括被配置为传输驱动信号的第一通道晶体管电路，并且第一通道晶体管电路包括：位于FAR第一延伸部上的FAR第一栅极结构、位于FAR第二延伸部上的FAR第二栅极结构、位于FAR第三延伸部上的FAR第三栅极结构以及第一共享源极/漏极。

公开(公告)号：CN110890372A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910827503.9

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志永 ,  金大元 ,  李东镇

IPC: H01L27/108 ,  G11C5/02

Abstract: 公开了一种半导体存储器装置及其制造方法。该器件可包括：包括单元阵列区域的第一衬底；覆盖第一衬底的第一层间绝缘层；设置在第一层间绝缘层上的第二衬底，该第二衬底包括电连接到单元阵列区域的芯区域；第一粘合绝缘层，插入在第一层间绝缘层和第二衬底之间；以及接触插塞，穿透第二衬底、第一粘合绝缘层和第一层间绝缘层并将单元阵列区域与芯区域电连接。

公开(公告)号：CN105824393B

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201610044939.7

申请日：2016-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰佑 ,  李东镇 ,  曹基善

IPC: G06F1/324 ,  G06F1/3234 ,  G06F1/3287 ,  G06F1/3296

Abstract: 一种片上系统、管理其功率的方法和电子装置，所述片上系统包括：事件管理器，配置为从外部源接收事件；事件分析器，配置为分析由事件管理器接收的事件，以确定与所分析的事件对应的电压、频率和功率选通；功率管理器，配置为设置通电或者断电并且设置启动电压；时钟管理器，配置为设置启动时钟频率；功率选通(PG)管理器，配置为设置功率选通；主控制器，配置为包括至少一个模块和中央处理单元(CPU)；和唤醒控制器，配置为控制功率管理器、时钟管理器和PG管理器，以发送具有启动电压的功率和具有启动时钟频率的时钟信号，并且发送功率选通信号，以仅将功率施加到操作的至少一个模块之一以便启动主控制器。

公开(公告)号：CN104865831B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201510088734.4

申请日：2015-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相培 ,  李相勋 ,  郑宰燻 ,  赵庆善 ,  洪性契 ,  李东镇 ,  崔美珍

IPC: G05B15/02 ,  G05B19/418

CPC classification number: H04L41/22 ,  G06F3/00 ,  H04N5/247 ,  H04N9/3176 ,  H04N9/3179 ,  H04N21/42207 ,  H04N21/42222 ,  H04N21/42225 ,  H04N21/4223 ,  H04N21/43615

Abstract: 提供一种包括查看传感器的家庭控制系统及控制其的方法。提供一种查看传感器、包括查看传感器的家庭控制系统以及控制家庭控制系统的方法。查看传感器包括：镜头单元，被配置为接收光以捕捉图像或者投射光以显示图像；图像获取器，被配置为通过使用从镜头单元接收的光来获取图像；投影器，被配置为将光提供给镜头单元以显示图像；分束器，被配置为向图像获取器提供从镜头单元接收的光或者将由投影器产生的光发送到镜头单元；控制器，被配置为响应于图像被捕捉，控制分束器向图像获取器提供从镜头单元接收的光，响应于图像被显示，控制分束器向镜头单元提供由投影器产生的光。