公开(公告)号：CN110752204B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201910012228.5

申请日：2019-01-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 卞卿溵 ,  申建旭 ,  金勇勋 ,  申铉振 ,  宋伣在 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  赵连柱

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

摘要： 提供了一种互连结构和包括该互连结构的电子器件。该互连结构包括包含至少一个沟槽的电介质层、填充所述至少一个沟槽的内部的导电布线、以及在导电布线的至少一个表面上的盖层。盖层包括纳米晶石墨烯。纳米晶石墨烯包括纳米尺寸的晶体。

公开(公告)号：CN115918161A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202180046715.9

申请日：2021-06-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 刘炳奇 ,  李昌锡 ,  金素万 ,  尹锡炅 ,  郑东锡 ,  南胜薰 ,  朴钟贤 ,  李起龙

IPC分类号： H04W36/14

摘要： 提供了一种用于在电子装置中提供呼叫功能连续性的方法和装置。该电子装置可以包括：第一通信电路，被配置为支持新无线电(NR)通信和/或长期演进(LTE)通信；第二通信电路，被配置为支持无线LAN通信；以及至少一个处理器，可操作地连接到第一通信电路和第二通信电路，其中，该处理器被配置为控制电子装置，以：经由第一通信电路向NR通信的网络注册；基于处于向NR通信的网络注册的状态，使用无线LAN通信将呼叫连接到外部设备；基于使用无线LAN通信的到外部设备的呼叫连接，限制NR通信的使用；以及基于对NR通信的使用的限制，经由第一通信电路向LTE通信的网络注册。

公开(公告)号：CN109837524B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN201811431633.2

申请日：2018-11-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  李升元 ,  李殷奎

IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  C01B32/186 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 提供纳米晶体石墨烯、形成纳米晶体石墨烯的方法、和设备。所述纳米晶体石墨烯可具有在约50％至99％的范围内的具有sp2键合结构的碳与总碳的比率。另外，所述纳米晶体石墨烯可包括具有约0.5nm至约100nm的尺寸的晶体。

公开(公告)号：CN114578460A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202110799177.2

申请日：2021-07-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔太镇 ,  申铉振 ,  李昌锡 ,  金尚元

IPC分类号： G02B1/113 ,  G02B1/14 ,  G09F9/30 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/054

摘要： 提供非晶氮化硼膜和包括其的抗反射涂层结构体。所述非晶氮化硼膜具有包括sp3杂化键和sp2杂化键的非晶结构，其中所述非晶氮化硼膜中的sp3杂化键相对于sp3杂化键与sp2杂化键之和的比率小于约20％。

公开(公告)号：CN114520259A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202110912210.8

申请日：2021-08-10

申请人： 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

发明人： 薛珉洙 ,  申铉石 ,  申铉振 ,  黄炫泰 ,  李昌锡 ,  尹圣仁

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/778 ,  H01L21/02

摘要： 提供黑磷‑二维材料复合物及其制造方法、制造黑磷片的方法和电子器件。所述黑磷‑二维材料复合物包括：各自具有二维晶体结构并且通过范德华力彼此结合的第一和第二二维材料层；以及在所述第一和第二二维材料层之间并且具有其中多个磷原子共价键合的二维晶体结构的黑磷片。

公开(公告)号：CN113675258A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110318984.8

申请日：2021-03-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申铉振 ,  金尚元 ,  卞卿溵 ,  李殷奎 ,  金昌炫 ,  李昌锡

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/36

摘要： 提供一种导电结构、结合结构和控制金属的功函数的方法。该导电结构包括包含金属的导电材料层和用于通过结合至该导电材料层来控制导电结构的功函数的功函数控制层。功函数控制层包括具有缺陷的二维材料。

公开(公告)号：CN106233453B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201580020424.7

申请日：2015-02-17

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李昌锡 ,  申铉振 ,  朴晟准 ,  任桐贤 ,  朴显 ,  申建旭 ,  李钟鸣 ,  林汉镇

IPC分类号： H01L23/532

摘要： 示例实施方式涉及布线结构、形成该布线结构的方法以及采用该布线结构的电子装置。该布线结构包括第一导电材料层和在第一导电材料层上与金属层直接接触的纳米晶石墨烯层。

公开(公告)号：CN106410002B

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201610601246.3

申请日：2016-07-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 宋伣在 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  李载昊 ,  李昌锡 ,  赵连柱

IPC分类号： H01L33/14

摘要： 本发明涉及包括扩散阻挡层的多层结构体、包括其的器件和电子器件。所述多层结构体包括第一材料层、第二材料层、和扩散阻挡层。所述第二材料层连接至所述第一材料层。所述第二材料层与所述第一材料层隔开。所述扩散阻挡层在所述第一材料层和所述第二材料层之间。所述扩散阻挡层可包括二维(2D)材料。所述2D材料可为非基于石墨烯的材料，如具有2D晶体结构的基于金属硫属化物的材料。所述第一材料层可为半导体或绝缘体，且所述第二材料层可为导体。所述多层结构体的至少一部分可构成用于电子器件的互连。

公开(公告)号：CN106233453A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580020424.7

申请日：2015-02-17

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李昌锡 ,  申铉振 ,  朴晟准 ,  任桐贤 ,  朴显 ,  申建旭 ,  李钟鸣 ,  林汉镇

IPC分类号： H01L21/768 ,  C01B31/04

CPC分类号： H01L23/53276 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E60/13 ,  H01L2924/00

摘要： 示例实施方式涉及布线结构、形成该布线结构的方法以及采用该布线结构的电子装置。该布线结构包括第一导电材料层和在第一导电材料层上与金属层直接接触的纳米晶石墨烯层。

公开(公告)号：CN110970289B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201910892838.9

申请日：2019-09-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申建旭 ,  金昌炫 ,  山本薰 ,  李昌锡 ,  宋伣在 ,  李殷奎 ,  卞卿溵 ,  申铉振 ,  安星柱

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 提供一种形成石墨烯的方法。形成石墨烯的方法包括：当对放置在反应室中的基板施加偏压时用等离子体处理基板的表面；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在基板的表面上生长石墨烯。