公开(公告)号：CN117542888A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202310806799.2

申请日：2023-07-03

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 俞贞恩 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  申建旭 ,  李殷奎

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/08

摘要： 一种半导体器件可以包括包含二维(2D)半导体材料的沟道层、在沟道层的中央部分上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅电极、以及分别接触沟道层的相反侧的第一导电层和第二导电层。第一导电层和第二导电层中的每个可以包括金属硼化物。

公开(公告)号：CN117423728A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202310879146.7

申请日：2023-07-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金昌炫 ,  薛珉洙 ,  权俊荣 ,  申建旭 ,  俞敏硕

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H10B10/00 ,  H10B41/35 ,  H10B43/35

摘要： 本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子装置。一种半导体器件包括：沟道，包括二维(2D)半导体材料；源电极和漏电极，分别电连接到沟道的相对两侧；过渡金属氧化物层，在沟道上并包括过渡金属氧化物；电介质层，在过渡金属氧化物层上并包括高k材料；以及栅电极，在电介质层上。

公开(公告)号：CN114121781A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110569591.4

申请日：2021-05-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申铉振 ,  申建旭

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 提供形成碳层的方法和形成互连结构的方法。形成碳层的方法包括：提供包括第一和第二材料层的基板；在第一和第二材料层的至少一个上形成表面处理层；以及在第一材料层和第二材料层之一上选择性地形成碳层。所述碳层具有sp2键合结构。

公开(公告)号：CN108987463A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201711443416.0

申请日：2017-12-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申建旭 ,  申铉振 ,  赵连柱 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  李润姓

IPC分类号： H01L29/16

CPC分类号： H01L29/1606 ,  C01B32/186 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/3065 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66015

摘要： 本公开提供了包括石墨烯的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件包括基板和石墨烯层。基板包括绝缘体和半导体。石墨烯层生长在半导体的表面上。半导体包括IV族材料和III-V族化合物中的至少一种。公开了一种制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN110880447B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201910552879.3

申请日：2019-06-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 山本薰 ,  金昌炫 ,  宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  安星柱 ,  李章熙 ,  李昌锡 ,  全基荣 ,  郑根吾

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513

摘要： 提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。

公开(公告)号：CN117393612A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202310850230.6

申请日：2023-07-12

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 薛珉洙 ,  权俊荣 ,  申建旭 ,  俞敏硕

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34

摘要： 本发明涉及半导体器件、制造其的方法和包括其的电子设备。半导体器件可包括：二维材料层，其包括具有多晶结构的二维半导体材料；部分地在所述二维材料层上的金属性纳米颗粒；分别在所述二维材料层的两侧上的源电极和漏电极；以及在所述源电极和所述漏电极之间在所述二维材料层上的栅极绝缘层和栅电极。

公开(公告)号：CN115995485A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202210942713.4

申请日：2022-08-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申建旭 ,  卞卿溵 ,  李相受 ,  金昌炫 ,  李昌锡

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/06 ,  H01L29/792

摘要： 提供了一种包括二维材料的薄膜结构、电子器件和电子设备，该薄膜结构包括衬底、在衬底上并与衬底间隔开的金属层、以及在衬底和金属层之间的二维材料层。二维材料层可以被配置为限制和/或阻挡衬底和金属层之间的电子转移。二维材料层上的金属层的电阻率可以通过二维材料层降低。

公开(公告)号：CN106410002A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610601246.3

申请日：2016-07-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 宋伣在 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  李载昊 ,  李昌锡 ,  赵连柱

IPC分类号： H01L33/14

摘要： 本发明涉及包括扩散阻挡层的多层结构体、包括其的器件和电子器件。所述多层结构体包括第一材料层、第二材料层、和扩散阻挡层。所述第二材料层连接至所述第一材料层。所述第二材料层与所述第一材料层隔开。所述扩散阻挡层在所述第一材料层和所述第二材料层之间。所述扩散阻挡层可包括二维(2D)材料。所述2D材料可为非基于石墨烯的材料，如具有2D晶体结构的基于金属硫属化物的材料。所述第一材料层可为半导体或绝缘体，且所述第二材料层可为导体。所述多层结构体的至少一部分可构成用于电子器件的互连。

公开(公告)号：CN110970289B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201910892838.9

申请日：2019-09-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申建旭 ,  金昌炫 ,  山本薰 ,  李昌锡 ,  宋伣在 ,  李殷奎 ,  卞卿溵 ,  申铉振 ,  安星柱

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 提供一种形成石墨烯的方法。形成石墨烯的方法包括：当对放置在反应室中的基板施加偏压时用等离子体处理基板的表面；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在基板的表面上生长石墨烯。

公开(公告)号：CN110911492B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201910226482.5

申请日：2019-03-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 许镇盛 ,  李润姓 ,  赵常玹 ,  申建旭 ,  申铉振

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336

摘要： 提供了一种电子器件和制造该电子器件的方法。一种电子器件可以包括：衬底；在衬底上的栅电极；在衬底和栅电极之间的铁电层；以及在衬底和铁电层之间的碳层。该碳层可以具有sp2键合结构。