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公开(公告)号：CN1519957A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410007426.6
申请日：2004-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/103 , H01L33/00 , H01L27/14 , H01L27/15
CPC classification number: H01L33/34 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G01Q80/00 , H01L27/14601 , H01L27/14621 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/156 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/035281 , H01L31/1804 , H01L33/0054 , H01L33/24 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种制造硅光电器件的方法、由该方法制造的硅光电器件以及包含该硅光电器件的图像输入和/或输出设备。该方法包括准备n或p型硅基衬底，通过蚀刻沿衬底表面形成微缺陷图形，在微缺陷图形上形成具有开口的控制薄膜，以及在具有微缺陷图形的衬底表面上以如下方式形成掺杂区域，通过控制薄膜的开口将与衬底相反类型的预定杂质注入到衬底中并掺杂到一定深度，以便通过p－n结中的量子限制效应产生引起光发射和/或接收的光电转换效应。该硅光电器件具有优越的发光效率，至少可以作为光发射器件和光接收器件之一使用，并且具有高的波长选择性。
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公开(公告)号：CN101643196B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN200910004187.1
申请日：2009-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y40/00 , C01B33/113 , H01L29/0669 , H01L29/068 , H01L29/66 , H01L33/18
Abstract: 本发明公开了纳米线、纳米线的生产方法及电子装置。所述纳米线包含富硅氧化物。所述纳米线表现出优良的导电性质和光学特性，因此所述纳米线有效地应用在包括例如太阳能电池、传感器、光电探测器、发光二极管、激光二极管、EL装置、PL装置、CL装置、FET、CTF、表面等离子波导、MOS电容器等的各种应用中。
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公开(公告)号：CN101643196A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910004187.1
申请日：2009-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y40/00 , C01B33/113 , H01L29/0669 , H01L29/068 , H01L29/66 , H01L33/18
Abstract: 这里公开了纳米线、纳米线的生产方法及电子装置。所述纳米线包含富硅氧化物。所述纳米线表现出优良的导电性质和光学特性，因此所述纳米线有效地应用在包括例如太阳能电池、传感器、光电探测器、发光二极管、激光二极管、EL装置、PL装置、CL装置、FET、CTF、表面等离子波导、MOS电容器等的各种应用中。
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公开(公告)号：CN101008099A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610172885.9
申请日：2006-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种生产纳米线的方法。该方法包括以下步骤：提供具有多个管道形式的孔的多孔模板，将纳米颗粒或纳米颗粒前体填充到该管道中，以及将填充的纳米颗粒或纳米颗粒前体形成为纳米线。根据该方法，可以以简单方式生产高直线性并排列有序的纳米线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1525572A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200410006620.2
申请日：2004-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/156 , H01L31/125 , H01L33/34
Abstract: 一种硅光电器件和一种光信号输入和/或输出装置。该硅光电器件包括：n或p型硅基衬底；掺杂区，在所述衬底的表面内掺杂成衬底的相反型而形成，并且光线的发射和接收发生于该掺杂区中；和光线发射器件部分和光线接收器件部分，它们共同使用所述掺杂区，并且形成在形成有掺杂区的同一衬底表面上。该硅光电器件具有一个执行放大功能的内建电路，能够选择性地进行光线的发射和接收，并且能够容易地控制光线的发射和接收持续时间。
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公开(公告)号：CN1381908A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN02120170.6
申请日：2002-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/105 , H01L33/34 , H01L33/42 , H01L33/465
Abstract: 本发明提供一种发光器件和使用该设备的发光设备。所述发光器件包括n型或p型衬底;掺杂区,其在衬底一个表面上用预定掺杂剂形成并达到超浅深度,其中所述预定掺杂剂是与衬底掺杂剂相反的类型,由此通过量子约束效应从掺杂区和衬底之间的p－n结中发光;共振器,其提高从p－n结中发射光波长的选择性;和第一和第二电极,分别在衬底一个表面和另一表面上形成,用于喷射电子空穴和电子。该发光器件包括超浅掺杂区,由此它可以利用p－n结中量子约束效应来发光。增加一种只用于共振特定波长范围光的共振器结构,由此光波长的选择性得到明显提高并具有良好效率。通过共振器结构光发射强度得到增强,并且发射光的方向性与传统的发光设备相比得到进一步提高。
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公开(公告)号：CN113156579A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202010539984.6
申请日：2020-06-12
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
Abstract: 提供了一种光检测设备，包括：光输入器件，被配置为接收光；多个波导，从光输入器件延伸，所述多个波导被配置为分别传输由光输入器件接收的光的多个部分；多个调制器，设置在所述多个波导上，并且被配置为分别调制在所述多个波导中传输的光的多个部分的相位；至少一个石墨烯层，被配置为吸收在所述多个波导中传输的光的多个部分；以及至少一个第一电极和至少一个第二电极，分别电连接至所述至少一个石墨烯层。
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公开(公告)号：CN101834277B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201010171667.X
申请日：2010-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/502 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L33/14 , H01L51/0003 , H01L51/0007 , H01L51/5036 , H01L51/5048 , H01L51/5096
Abstract: 本发明提供一种量子点发光器件及其形成方法，所述量子点发光器件包括：衬底、设置在衬底上的第一电极、基本上与第一电极相对设置的第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的第一电荷传输层、设置在第一电极和第二电极其中之一与第一电荷传输层之间的量子点发光层、以及设置在量子点发光层和第一电荷传输层之间的至少一个量子点包含层，其中所述至少一个量子点包含层的能级不同于量子点发光层的能级。
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