公开(公告)号：CN112750685A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011180671.2

申请日：2020-10-29

申请人： 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

发明人： 李昌锡 ,  申铉石 ,  申铉振 ,  洪锡模 ,  李珉贤 ,  南胜杰 ,  马庆烈

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  B82Y30/00

摘要： 提供氮化硼层、包括其的装置及制造氮化硼层的方法。所述氮化硼层包括氮化硼化合物并且在100kHz的工作频率下具有约2.5或更小的介电常数。

公开(公告)号：CN104685937B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201380050275.X

申请日：2013-09-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 许昌龙 ,  朴根亨 ,  申铉石 ,  金炫树

IPC分类号： H04W52/02

CPC分类号： H04W52/0274 ,  H04W52/028 ,  Y02D70/142 ,  Y02D70/144 ,  Y02D70/164

摘要： 支持低能量短程通信功能的移动终端包括：低能量短程通信单元；切换单元，被配置为从低能量短程通信单元接收低能量通信数据并输出低能量通信数据；第一处理器，被配置为经由切换单元接收从低能量短程通信单元接收的低能量通信数据；以及第二处理器，被配置为经由切换单元接收从低能量短程通信单元接收的低能量通信数据，其中，第二处理器被配置为从第一处理器接收操作状态信息，并在操作状态信息被接收到时，基于操作状态信息控制切换单元将低能量通信数据中继到第一处理器和第二处理器之一。

公开(公告)号：CN106415510A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580028946.1

申请日：2015-05-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申铉石 ,  许昌龙 ,  孙东一 ,  尹勇相 ,  曹治铉 ,  崔钟哲

IPC分类号： G06F13/14 ,  G06F9/06

摘要： 提供了一种操作电子设备的方法。该方法包括：与另外的电子设备进行连接并切换到特定模式，将关于对切换到所述特定模式的请求的信息传送到一个或多个可穿戴设备，从所述可穿戴设备接收检测信息，以及进行与所述检测信息相对应的所述电子设备的功能。

公开(公告)号：CN116960106A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310469579.5

申请日：2023-04-26

申请人： 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

发明人： 崔太镇 ,  金玟秀 ,  申铉石 ,  申铉振

IPC分类号： H01L23/532 ,  C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0216 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及纳米晶氮化硼膜、图像传感器、和电场效应晶体管。公开了具有相对低的介电常数和优异的机械性质的纳米晶氮化硼膜。所述纳米晶氮化硼膜包括具有在5nm至100nm范围内的尺寸的多个纳米晶氮化硼晶体，所述纳米晶氮化硼膜在100kHz工作频率下具有在2.5至5.5的范围内的介电常数，和所述纳米晶氮化硼膜具有1GPa至10GPa的硬度。

公开(公告)号：CN112442734A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010787644.5

申请日：2020-08-07

申请人： 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

发明人： 李昌锡 ,  申铉石 ,  申铉振 ,  洪锡模 ,  马庆烈

IPC分类号： C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78

摘要： 本公开涉及六方氮化硼、其制造方法及电子器件和半导体器件。在此公开了一种制造六方氮化硼的方法，其中六方氮化硼被外延地生长。一种制造六方氮化硼的方法包括：将催化金属放置在腔室中，该催化金属具有六方晶体结构并与腔室中的六方氮化硼(h‑BN)具有15％或更小的晶格失配；以及在将氮源和硼源供应到腔室中的同时，在800℃或更低的温度下在催化金属上生长六方氮化硼。

公开(公告)号：CN106415510B

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201580028946.1

申请日：2015-05-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申铉石 ,  许昌龙 ,  孙东一 ,  尹勇相 ,  曹治铉 ,  崔钟哲

IPC分类号： G06F13/14 ,  G06F9/06

摘要： 提供了一种操作电子设备的方法。该方法包括：与另外的电子设备进行连接并切换到特定模式，将关于对切换到所述特定模式的请求的信息传送到一个或多个可穿戴设备，从所述可穿戴设备接收检测信息，以及进行与所述检测信息相对应的所述电子设备的功能。

公开(公告)号：CN105519203A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480048646.5

申请日：2014-09-03

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 曹治铉 ,  朴根亨 ,  申铉石 ,  许昌龙

IPC分类号： H04W52/02 ,  H04W48/16

CPC分类号： H04W4/80 ,  H04W8/005 ,  H04W52/0216 ,  H04W52/0229 ,  H04W76/14 ,  Y02D70/00 ,  Y02D70/10 ,  Y02D70/14 ,  Y02D70/142 ,  Y02D70/144 ,  Y02D70/164 ,  Y02D70/166 ,  Y02D70/168 ,  Y02D70/20 ,  Y02D70/26

摘要： 提供了一种用于控制近距无线通信的电子设备。该电子设备包括：近距通信模块，被配置为向/从至少一个邻居设备传送/接收近距通信信号；以及控制模块，被配置为当通过近距通信模块建立与第一邻居设备的配对连接时，对开启/关闭用于等待接收来自至少一个第二邻居设备的信号的扫描操作和配置扫描操作的周期中的至少一个进行控制。

公开(公告)号：CN114520259A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202110912210.8

申请日：2021-08-10

申请人： 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

发明人： 薛珉洙 ,  申铉石 ,  申铉振 ,  黄炫泰 ,  李昌锡 ,  尹圣仁

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/778 ,  H01L21/02

摘要： 提供黑磷‑二维材料复合物及其制造方法、制造黑磷片的方法和电子器件。所述黑磷‑二维材料复合物包括：各自具有二维晶体结构并且通过范德华力彼此结合的第一和第二二维材料层；以及在所述第一和第二二维材料层之间并且具有其中多个磷原子共价键合的二维晶体结构的黑磷片。

公开(公告)号：CN116897490A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202180092472.2

申请日：2021-12-03

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 具凡宇 ,  朴在贤 ,  申铉石 ,  李廷万 ,  李钟珉 ,  崔辅焕 ,  韩孝硕

IPC分类号： H02J50/80

摘要： 根据各种实施例，一种操作无线电力接收设备的方法可以包括：基于使用无线电力接收设备的至少一个通信模块从无线电力发送设备接收的第一信号，确认关于无线电力接收设备相对于无线电力发送设备的位置的信息；基于使用至少一个通信模块从无线电力发送设备接收的第二信号，确认关于无线电力发送设备的第一充电范围的信息；以及基于关于无线电力接收设备的位置的信息和关于无线电力发送设备的第一充电范围的信息，在无线电力接收设备的显示器上将无线电力接收设备的位置显示为第一图标和将第一充电范围显示为线或平面。

公开(公告)号：CN116266530A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211410901.9

申请日：2022-11-11

申请人： 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

发明人： 薛珉洙 ,  申铉石 ,  卞卿溵 ,  黄炫泰 ,  李昌锡 ,  金炯俊

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 提供非均质二维材料的复合物、制造其的方法、和电子器件。所述非均质二维材料的复合物可包括：基板；在所述基板上并且具有二维晶体结构的第一二维材料层；以及在所述基板和所述第一二维材料层之间的第二二维材料层。所述第二二维材料层具有其中多个磷原子彼此共价键合的二维晶体结构。