体声波谐振器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111010113A

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201910720464.2

    申请日:2019-08-06

    摘要: 本公开提供了一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括:基板;种子层,设置在所述基板上,并且所述种子层具有六方晶体结构;底电极,设置在所述种子层上;压电层,至少部分地设置在所述底电极上;以及顶电极,设置在所述压电层上,其中,所述底电极和所述顶电极中的任意一个或两个包括含钪(Sc)铝合金层。

    半导体封装件及其制造方法

    公开(公告)号:CN109755226A

    公开(公告)日:2019-05-14

    申请号:CN201810884731.5

    申请日:2018-08-06

    IPC分类号: H01L23/66 H01Q1/22

    摘要: 公开了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括具有至少一个电子器件的下封装件以及设置在所述下封装件的上表面上的天线单元,其中,所述天线单元包括:接地部,设置在所述下封装件的上表面上;辐射部,设置为与所述接地部分开;以及支撑部,将所述辐射部和所述接地部分开,位于所述辐射部与所述接地部之间的至少一部分是空的空间。

    体声波谐振器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107733396A

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201710392277.7

    申请日:2017-05-27

    IPC分类号: H03H9/17 H03H9/54

    摘要: 本发明提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器可包括:基板;谐振部,包括顺序地堆叠在基板上的第一电极层、压电层和第二电极层,所述谐振部被分为有效区域和非有效区域;以及框架电极层,包括多个框架电极,所述多个框架电极被设置为在所述有效区域内沿着所述有效区域的外周部彼此分开。

    半导体封装件及其制造方法

    公开(公告)号:CN109755226B

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN201810884731.5

    申请日:2018-08-06

    IPC分类号: H01L23/66 H01Q1/22

    摘要: 公开了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括具有至少一个电子器件的下封装件以及设置在所述下封装件的上表面上的天线单元,其中,所述天线单元包括:接地部,设置在所述下封装件的上表面上;辐射部,设置为与所述接地部分开;以及支撑部,将所述辐射部和所述接地部分开,位于所述辐射部与所述接地部之间的至少一部分是空的空间。

    体声波谐振器
    8.
    发明公开
    体声波谐振器 审中-实审

    公开(公告)号:CN114006592A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202110417729.9

    申请日:2021-04-19

    IPC分类号: H03H9/02 H03H9/05 H03H9/17

    摘要: 本公开提供一种体声波谐振器,所述体声波谐振器包括:谐振器,包括中央部和延伸部,在所述中央部中,第一电极、压电层和第二电极顺序堆叠在基板上,所述延伸部沿着所述中央部的外围设置;以及插入层,在所述延伸部中设置在所述压电层与所述基板之间以升高所述压电层。所述插入层包括第一插入层和第二插入层,所述第一插入层的面对所述中央部的侧表面形成为第一倾斜表面,所述第二插入层设置在所述第一插入层与所述压电层之间并且具有相对于所述第一电极的表面延伸的方向与所述第一倾斜表面间隔开的第二倾斜表面。所述第一插入层比所述第二插入层薄。

    体声波谐振器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109412550A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201810937920.4

    申请日:2018-08-17

    IPC分类号: H03H9/17 H03H9/02

    摘要: 本公开提供一种体声波谐振器,所述体声波谐振器包括:基板;下电极,设置在所述基板上;压电层,至少部分地设置在所述下电极上;以及上电极,设置在所述压电层上,其中,所述下电极和所述上电极中的任意一者或者两者具有包括钪(Sc)的铝合金的层。