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公开(公告)号:CN108023560B
公开(公告)日:2021-10-29
申请号:CN201710999415.8
申请日:2017-10-24
申请人: 三星电机株式会社
摘要: 本发明提供一种包括体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法。所述体声波谐振器包括:基板,基板保护层设置在所述基板的顶表面上;膜层,与所述基板限定腔;以及谐振部,设置在所述膜层上。所述膜层包括第一层和第二层,所述第二层具有与所述第一层的材料相同的材料,并且所述第二层的密度大于所述第一层的密度。
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公开(公告)号:CN111010113A
公开(公告)日:2020-04-14
申请号:CN201910720464.2
申请日:2019-08-06
申请人: 三星电机株式会社
摘要: 本公开提供了一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括:基板;种子层,设置在所述基板上,并且所述种子层具有六方晶体结构;底电极,设置在所述种子层上;压电层,至少部分地设置在所述底电极上;以及顶电极,设置在所述压电层上,其中,所述底电极和所述顶电极中的任意一个或两个包括含钪(Sc)铝合金层。
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公开(公告)号:CN109755226A
公开(公告)日:2019-05-14
申请号:CN201810884731.5
申请日:2018-08-06
申请人: 三星电机株式会社
摘要: 公开了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括具有至少一个电子器件的下封装件以及设置在所述下封装件的上表面上的天线单元,其中,所述天线单元包括:接地部,设置在所述下封装件的上表面上;辐射部,设置为与所述接地部分开;以及支撑部,将所述辐射部和所述接地部分开,位于所述辐射部与所述接地部之间的至少一部分是空的空间。
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公开(公告)号:CN106257831A
公开(公告)日:2016-12-28
申请号:CN201610428988.0
申请日:2016-06-16
申请人: 三星电机株式会社
CPC分类号: H03H9/13 , H03H9/02149 , H03H9/173 , H03H9/54 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/0504 , H03H9/564 , H03H9/582 , H03H2003/021
摘要: 本发明公开一种体声波谐振器及包括该体声波谐振器的滤波器。根据本发明的一实施例的体声波谐振器可以包括:基板;第一电极和第二电极,形成在所述基板上;压电层,形成在所述第一电极与所述第二电极之间,其中,所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括钼-钽合金。
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公开(公告)号:CN103129145A
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN201210294942.6
申请日:2012-08-17
申请人: 三星电机株式会社
CPC分类号: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2002/14411 , B41J2202/11
摘要: 本发明公开了硅基底及其制造方法以及喷墨印刷头。提供的硅基底包括:第一连接部分,连接到歧管并具有第一尺寸的第一宽度;第二连接部分,连接到压力室并具有第二尺寸的第二宽度;限流器部分,将第一连接部分连接到第二连接部分,并具有第三尺寸的第三宽度,第三尺寸小于第一尺寸或第二尺寸,其中,将限流器部分连接到第一连接部分的边界部分或者将限流器部分连接到第二连接部分的边界部分被形成为弯曲的。
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公开(公告)号:CN109755226B
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN201810884731.5
申请日:2018-08-06
申请人: 三星电机株式会社
摘要: 公开了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括具有至少一个电子器件的下封装件以及设置在所述下封装件的上表面上的天线单元,其中,所述天线单元包括:接地部,设置在所述下封装件的上表面上;辐射部,设置为与所述接地部分开;以及支撑部,将所述辐射部和所述接地部分开,位于所述辐射部与所述接地部之间的至少一部分是空的空间。
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公开(公告)号:CN114006592A
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN202110417729.9
申请日:2021-04-19
申请人: 三星电机株式会社
摘要: 本公开提供一种体声波谐振器,所述体声波谐振器包括:谐振器,包括中央部和延伸部,在所述中央部中,第一电极、压电层和第二电极顺序堆叠在基板上,所述延伸部沿着所述中央部的外围设置;以及插入层,在所述延伸部中设置在所述压电层与所述基板之间以升高所述压电层。所述插入层包括第一插入层和第二插入层,所述第一插入层的面对所述中央部的侧表面形成为第一倾斜表面,所述第二插入层设置在所述第一插入层与所述压电层之间并且具有相对于所述第一电极的表面延伸的方向与所述第一倾斜表面间隔开的第二倾斜表面。所述第一插入层比所述第二插入层薄。
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