半导体激光装置和其制造方法

    公开(公告)号:CN101272035B

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:CN200810100306.9

    申请日:2008-03-14

    Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置和其制造方法,该半导体激光装置包括:沿着共振器延伸的第一方向或与第一方向交叉的第二方向存在弯曲的半导体激光元件;和固定半导体激光元件的弯曲的凸出侧的基台,在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的一个端部和基台之间的距离小于在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的另一端部和基台之间的距离。

    半导体激光装置和其制造方法

    公开(公告)号:CN101272035A

    公开(公告)日:2008-09-24

    申请号:CN200810100306.9

    申请日:2008-03-14

    Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置和其制造方法,该半导体激光装置包括:沿着共振器延伸的第一方向或与第一方向交叉的第二方向存在弯曲的半导体激光元件;和固定半导体激光元件的弯曲的凸出侧的基台,在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的一个端部和基台之间的距离小于在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的另一端部和基台之间的距离。

    半导体发光元件和半导体发光装置

    公开(公告)号:CN100544044C

    公开(公告)日:2009-09-23

    申请号:CN200610085073.0

    申请日:2006-05-31

    CPC classification number: H01L2924/10158

    Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件(100),包括:至少一个主面上具有p侧反射电极(20)的半导体层(10);和利用导电性粘结剂(60)与p侧反射电极(20)粘合的支撑基板(50),其中,支撑基板(50)具有在主面上突出一部分的突出面(50s),半导体层(10)具有粘合面(10s),其与突出面(50s)相对,利用p侧反射电极(20)和导电性粘结剂(60)与突出面(50s)粘合,比与突出面粘合的区域的面积大。

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