公开(公告)号：CN100524852C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200510007356.9

申请日：2005-02-04

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 国里龙也 ,  广山良治 ,  畑雅幸 ,  太田洁

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种可以抑制光输出特性的降低和制造成品率的降低的氮化物系发光元件。所述氮化物发光元件具有至少含一种金属和线膨胀系数低于金属的一种无机材料的导电性基板、和接合在所述导电性基板上的氮化物系半导体元件层。

公开(公告)号：CN1652364A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510007356.9

申请日：2005-02-04

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 国里龙也 ,  广山良治 ,  畑雅幸 ,  太田洁

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种可以抑制光输出特性的降低和制造成品率的降低的氮化物系发光元件。所述氮化物发光元件具有至少含一种金属和线膨胀系数低于金属的一种无机材料的导电性基板、和接合在所述导电性基板上的氮化物系半导体元件层。

公开(公告)号：CN1941439A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610141393.3

申请日：2006-09-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 龟山真吾 ,  后藤壮谦 ,  国里龙也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L33/44 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种发光装置，其设置有安装于基体的发光元件；含有能够吸收从发光元件发出的光、并发出与该吸收的光为不同波长的光的荧光体，与安装于基体的发光元件接触，且填充该基体、覆盖该发光元件的含有荧光体的透光性树脂部；以及在发光元件的正上方部分形成的、具有比含有荧光体的透光性树脂的荧光体浓度高的荧光体浓度的含有高浓度荧光体的树脂层。

公开(公告)号：CN1941439B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200610141393.3

申请日：2006-09-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 龟山真吾 ,  后藤壮谦 ,  国里龙也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L33/44 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种发光装置，其设置有安装于基体的发光元件；含有能够吸收从发光元件发出的光、并发出与该吸收的光为不同波长的光的荧光体，与安装于基体的发光元件接触，且填充该基体、覆盖该发光元件的含有荧光体的透光性树脂部；以及在发光元件的正上方部分形成的、具有比含有荧光体的透光性树脂的荧光体浓度高的荧光体浓度的含有高浓度荧光体的树脂层。

公开(公告)号：CN101582481A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910142480.4

申请日：2005-02-04

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 国里龙也 ,  广山良治 ,  畑雅幸 ,  太田洁

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/78 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供一种可以抑制光输出特性的降低和制造成品率的降低的氮化物系发光元件。所述氮化物系发光元件具有至少含一种金属和线膨胀系数低于金属的一种无机材料的导电性基板、和接合在所述导电性基板上的氮化物系半导体元件层。