光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜及图案形成方法

    公开(公告)号:CN103733136B

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:CN201280039344.2

    申请日:2012-08-09

    Abstract: 提供碳浓度高、氧浓度低、耐热性较高、溶剂溶解性也比较高、能够适用湿式工艺的新型光刻用下层膜形成材料等。本发明的光刻用下层膜形成材料的特征在于,其含有下述通式(1)所示的化合物。(式(1)中,X各自独立地是氧原子或硫原子,R1各自独立地是单键或碳原子数为1~30的2n价的烃基,该烃基任选具有环式烃基、双键、杂原子或碳原子数为6~30的芳香族基团,R2各自独立地是碳原子数为1~10的直链状、支链状或环状的烷基、碳原子数为6~10的芳基、碳原子数为2~10的链烯基或羟基,其中,R2的至少一个是羟基,m各自独立地是1~6的整数,n是1~4的整数。)

Patent Agency Ranking