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公开(公告)号：CN1139626C
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN97120519.1
申请日：1997-08-28
Applicant: 三菱电机株式会社 , 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/293 , C08K3/36 , H01B3/40 , H01L2924/0002 , C08L63/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及含有环氧树脂，固化剂，以及80-90%wt的粒状无机填料的环氧树脂组合物，其中无机填料中粒径小于3μm的细颗粒占无机填料的10-40%wt，无机填料的比表面积用氮吸收BET法测定小于2.5m2/g。且无机填料满足以下条件将25℃下用Gardner Holdt法测得粘度为30-45泊的双酚F型液体环氧树脂与75%wt的无机填料混合，并于25℃用E型粘度计测定混合时粘度时，在0.6S-1剪切速率下其粘度小于50,000泊，0.6S-1剪切率下的粘度与10S-1剪切率下的粘度之比小于2.5/l。该环氧树脂组合物具有足以在半导体元件上成模而不引起模具密封垫和金属丝变形的低熔体粘度。
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公开(公告)号：CN1179444A
公开(公告)日：1998-04-22
申请号：CN97120519.1
申请日：1997-08-28
Applicant: 三菱电机株式会社 , 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/293 , C08K3/36 , H01B3/40 , H01L2924/0002 , C08L63/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及含有环氧树脂,固化剂,以及80—90%wt的粒状无机填料的环氧树脂组合物,其中无机填料中粒径小于3μm的细颗粒占无机填料的10—40%wt,无机填料的比表面积用氮吸收BET法测定小于2.5m2/g。且无机填料满足以下条件将25℃下用Gardner Holdt法测得粘度为30—45泊的双酚F型液体环氧树脂与75%wt的无机填料混合,并于25℃用E型粘度计测定混合时粘度时,在0.6S－1剪切速率下其粘度小于50,000泊,0.6S－1剪切率下的粘度与10S－1剪切率下的粘度之比小于2.5/l。该环氧树脂组合物具有足以在半导体元件上成模而不引起模具密封垫和金属丝变形的低熔体粘度。
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公开(公告)号：CN1176276A
公开(公告)日：1998-03-18
申请号：CN97119275.8
申请日：1997-08-28
Applicant: 三菱电机株式会社 , 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/295 , C01P2004/32 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C01P2006/22 , C01P2006/80 , C08K7/18 , C09C1/3009 , C09C3/04 , H01L2924/0002 , Y10T428/12528 , C08L63/00 , H01L2924/00
Abstract: 从平均粒径为10—50μm的起始无机填料颗粒中除去粒径小于2μm的细颗粒部分,并加入平均粒径0.1—2μm且比表面积3—10m2/g(BET)的颗粒,得到平均粒径5—40μm的粒子无机填料。当大量的无机填料填充在环氧树脂组合物中时,组合物保持足以模制的低熔体粘度,并且可有效地用于包封半导体器件而不会造成冲模垫变形和金属丝变形。包封的半导体器件可靠性强。
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公开(公告)号：CN1080746C
公开(公告)日：2002-03-13
申请号：CN97119275.8
申请日：1997-08-28
Applicant: 三菱电机株式会社 , 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L23/295 , C01P2004/32 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , C01P2006/22 , C01P2006/80 , C08K7/18 , C09C1/3009 , C09C3/04 , H01L2924/0002 , Y10T428/12528 , C08L63/00 , H01L2924/00
Abstract: 从平均粒径为10-50μm的起始无机填料颗粒中除去粒径小于2μm的细颗粒部分，并加入平均粒径0.1-2μm且比表面积3-10m2/g(BET)的颗粒，得到平均粒径5-40μm的粒子无机填料。当大量的无机填料填充在环氧树脂组合物中时，组合物保持足以模制的低熔体粘度，并且可有效地用于包封半导体器件而不会造成冲模垫变形和金属丝变形。包封的半导体器件可靠性强。
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公开(公告)号：CN118139393A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311642672.8
申请日：2023-11-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H05K9/00
Abstract: 提供与毫米波、太赫兹波的振动方向无关地具有优异的电磁波屏蔽性能的高强度的电磁波屏蔽片。电磁波屏蔽片，其具有厚度为1mm以下、电阻率为0.005Ω·cm以下、纵向与横向的拉伸强度比为0.8～1.25的碳纳米管无纺布。电磁波屏蔽片，其为用树脂浸渍厚度1mm以下、电阻率为0.005Ω·cm以下、纵向与横向的拉伸强度比为0.8～1.25的碳纳米管无纺布浸渍和/或在所述碳纳米管无纺布上层叠树脂而成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113858727A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110710093.7
申请日：2021-06-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明所要解决的技术问题为，提供一种使用了介电损耗角正切低且拉伸强度优异的石英玻璃布的树脂基板。本发明的解决手段为一种低介电树脂基板，其为有机树脂与实施热处理后的退火石英玻璃布复合化而得到的低介电树脂基板，其特征在于，所述退火石英玻璃布在10GHz下的介电损耗角正切小于0.0010，且布的每单位面积重量(g/m2)的拉伸强度为1.0N/25mm以上。
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公开(公告)号：CN113800778A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110655279.7
申请日：2021-06-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种介电损耗角正切低、拉伸强度也优异的退火石英玻璃布，以及强度会在高温加热处理后恢复的退火石英玻璃布的制造方法。所述退火石英玻璃布通过对石英玻璃布实施热处理而得到，所述退火石英玻璃布的特征在于，SiO2含量为99.5质量％以上，且10GHz下的介电损耗角正切小于0.0010，布的每单位面积重量(g/m2)的拉伸强度为1.0N/25mm以上。
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公开(公告)号：CN113754928A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110589558.8
申请日：2021-05-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种介电损耗角正切非常小的二氧化硅粉体及包含该二氧化硅粉体的树脂组合物。本发明的目的还在于提供一种介电损耗角正切低、且与树脂的界面处的粘合也牢固的二氧化硅粉体的制备方法。本发明提供一种低介电二氧化硅粉体，其特征在于，其平均粒径为0.1～30μm、介电损耗角正切(10GHz)为0.0005以下。
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公开(公告)号：CN110295043A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910168061.1
申请日：2019-03-06
Applicant: 国立大学法人新泻大学 , 信越化学工业株式会社 , N-发光股份有限公司
IPC: C09K11/61
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够在不使用氟化氢的情况下制造的氟化物红色荧光体的制造方法。氟化物红色荧光体的制造方法的特征在于，包括如下工序：作为钾源和氟源准备氟化钾的工序；作为硅源准备聚硅氮烷、TEOS、SiO2、硅酸钾中的至少一种的工序；作为锰源准备K2MnF6、Mn(HPO4)2、Mn(CH3COO)2·4H2O、MnO(OH)2、Na2MnF6或KMnO4中的至少一种的工序；准备弱碱性、中性或酸性的溶液的工序；将所述钾源和氟源、所述硅源、所述锰源以及所述溶液进行混合的工序；以及使所述混合物反应而析出K2SiF6的工序，并且，在准备所述溶液的工序中，使用由除HF和KHF2以外的化合物制备的酸性、中性或弱碱性的溶液。
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公开(公告)号：CN104347530B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201410366853.7
申请日：2014-07-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L24/97 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , Y10T428/265 , Y10T428/31504 , Y10T428/31511 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721 , Y10T428/31855 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可制造外观及激光标记性良好的半导体装置的制造的带半导体密封用基体材料的密封材料、及其半导体装置和半导体装置的制造方法。所述带半导体密封用基体材料的密封材料用于将装载有半导体元件的半导体元件装载基板的元件装载面、或形成有半导体元件的半导体元件形成晶片的元件形成面一起密封，其特征在于，具有基体材料、形成于该基体材料一侧表面且包含未固化乃至半固化的热固性树脂的密封树脂层、以及形成于所述基体材料的另一侧表面的表面树脂层。
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