-
公开(公告)号：CN104851826A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510086886.0
申请日：2015-02-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种真空层压装置，在制造半导体装置时使用，其具备框架结构，其围绕附带支撑基材的密封材料的至少侧面，附带支撑基材的密封材料是在支撑基材上积层热固化性树脂层作为密封材料而成，框架结构具有保持手段，其保持搭载有半导体元件的基板或形成有半导体元件的晶片，并使基板或晶片隔着空间地与附带支撑基材的密封材料的热固化性树脂层相对向，前述装置将被框架结构围绕的附带支撑基材的密封材料与基板或晶片一起进行真空层压。由此，尤其是即使在使用大面积的基板(或晶片)的情况下，也会抑制树脂层内的孔隙的产生和基板(或晶片)的翘曲，并且能够以低成本来制造一种精度良好地成型有树脂层的半导体装置。
-
公开(公告)号：CN104851826B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201510086886.0
申请日：2015-02-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种真空层压装置，在制造半导体装置时使用，其具备框架结构，其围绕附带支撑基材的密封材料的至少侧面，附带支撑基材的密封材料是在支撑基材上积层热固化性树脂层作为密封材料而成，框架结构具有保持手段，其保持搭载有半导体元件的基板或形成有半导体元件的晶片，并使基板或晶片隔着空间地与附带支撑基材的密封材料的热固化性树脂层相对向，前述装置将被框架结构围绕的附带支撑基材的密封材料与基板或晶片一起进行真空层压。由此，尤其是即使在使用大面积的基板(或晶片)的情况下，也会抑制树脂层内的孔隙的产生和基板(或晶片)的翘曲，并且能够以低成本来制造一种精度良好地成型有树脂层的半导体装置。
-
公开(公告)号：CN104347530B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201410366853.7
申请日：2014-07-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L24/97 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , Y10T428/265 , Y10T428/31504 , Y10T428/31511 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721 , Y10T428/31855 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可制造外观及激光标记性良好的半导体装置的制造的带半导体密封用基体材料的密封材料、及其半导体装置和半导体装置的制造方法。所述带半导体密封用基体材料的密封材料用于将装载有半导体元件的半导体元件装载基板的元件装载面、或形成有半导体元件的半导体元件形成晶片的元件形成面一起密封，其特征在于，具有基体材料、形成于该基体材料一侧表面且包含未固化乃至半固化的热固性树脂的密封树脂层、以及形成于所述基体材料的另一侧表面的表面树脂层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104934382A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510122984.5
申请日：2015-03-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/561 , H01L23/3135 , H01L23/544 , H01L2223/54486
Abstract: 本发明的课题在于提供一种附半导体密封用基材的密封材料，所述附半导体密封用基材的密封材料能制造出外观和激光标记性良好的半导体装置。为了解决上述课题，本发明提供一种附半导体密封用基材的密封材料，用于对搭载有半导体元件的半导体元件搭载基板的元件搭载面、或形成有半导体元件的半导体元件形成晶片的元件形成面进行总括密封，所述附半导体密封用基材的密封材料的特征在于：该附半导体密封用基材的密封材料具有基材、由形成于该基材的其中一个的表面上的未固化或半固化的热固化性树脂所形成的密封树脂层、以及形成于前述基材的另一个的表面上的表面树脂层，在测定角度60°时，该表面树脂层的光泽度为60以下。
-
公开(公告)号：CN104347530A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410366853.7
申请日：2014-07-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L24/97 , H01L2924/0002 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , Y10T428/265 , Y10T428/31504 , Y10T428/31511 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721 , Y10T428/31855 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可制造外观及激光标记性良好的半导体装置的制造的带半导体密封用基体材料的密封材料、及其半导体装置和半导体装置的制造方法。所述带半导体密封用基体材料的密封材料用于将装载有半导体元件的半导体元件装载基板的元件装载面、或形成有半导体元件的半导体元件形成晶片的元件形成面一起密封，其特征在于，具有基体材料、形成于该基体材料一侧表面且包含未固化乃至半固化的热固性树脂的密封树脂层、以及形成于所述基体材料的另一侧表面的表面树脂层。
-
公开(公告)号：CN107793757A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710778441.8
申请日：2017-09-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C08L61/06 , C08G14/12 , C08G73/0655 , C08K3/36 , C08K5/175 , C08K9/06 , C08K2201/003 , H01L21/565 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L23/296 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2924/3511 , C08L79/04 , C08K5/103 , C08L61/12 , C08K5/17 , C08K7/18 , C08L2201/08 , C08L2203/206
Abstract: 本发明提供一种半导体封装用热固性树脂组合物，其在已封装半导体装置的情况下，耐水性和研磨性良好，且即使用于封装大型晶片也流动性优异、翘曲小并且通用性高。该半导体封装用热固性树脂组合物包括：(A)氰酸酯化合物，其含有粘度为50Pa·s以下的特定的氰酸酯化合物、且在1分子中具有2个以上的氰酰基；(B)酚类固化剂，其含有间苯二酚型酚醛树脂；(C)固化促进剂；(D)无机质填充材料，其已用硅烷偶联剂进行了表面处理；以及(E)酯化合物。
-
公开(公告)号：CN105609429A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510802639.6
申请日：2015-11-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法，其在将大面积、薄型的基板密封时也能够抑制翘曲，并获得一种倒装构装后的半导体元件已充分进行底部填充且密封层没有空隙或未填充情况的，耐热、耐湿可靠性等密封性能优良的半导体装置。其特征在于，包括密封工序，使用附有基材的密封材料来将半导体元件安装基板的元件安装面总括地密封，附有基材的密封材料具有基材和热固化性树脂层，热固化性树脂层形成在基材的一个表面，半导体元件安装基板通过倒装构装来安装半导体元件而成，密封工序包括：一体化阶段，在真空度10kPa以下的减压条件，将半导体元件安装基板与附有基材的密封材料一体化；加压阶段，以0.2MPa以上的压力对一体化后的基板加压。
-
公开(公告)号：CN104377173A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410389197.2
申请日：2014-08-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2224/85 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够制造半导体装置的制造方法及半导体载置，不需考虑由于使用现有填料而造成的弯曲，不需根据在形成密封层时不合格元件数量调节树脂填充量，在减少复杂工序的同时，制造弯曲少，耐热性、耐湿性优越的半导体装置。该制造方法具有：树脂载置工序，将比形成密封层所需量更多量的热固性树脂载置在不搭载半导体元件的基板上；配置工序，将第一内腔内温度从室温加热至200℃，将半导体元件搭载基板配置在成形模具的上模具和下模具中的一方模具，将载置有热固性树脂的不搭载半导体元件的基板配置在另一方模具；树脂排出工序，对上模具和下模具进行加压将剩余热固性树脂排出到第一内腔外部；一体化工序，一边对上模具和下模具进行加压，一边使热固性树脂成形使半导体元件搭载基板、不搭载半导体元件的基板和密封层一体化。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.024 seconds)
