公开(公告)号：CN104078376A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410162796.0

申请日：2014-08-04

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 任川 ,  王智 ,  苏俊铭

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L22/30 ,  H01L21/67253

摘要： 一种用于炉管高温退火工艺的控片，包括：硅基衬底，以及沉积在所述硅基衬底上的二氧化硅薄膜层，且所述二氧化硅薄膜层的厚度范围为数值30～50埃中的任一取值。本发明所述用于炉管高温退火工艺的控片通过在所述硅基衬底上淀积膜层厚度范围为数值30～50埃中的任一取值之二氧化硅薄膜层，不仅可以保护所述硅基衬底，使其在高温惰性气氛下不被钝化，并消除晶格损伤，对所述炉管高温退火工艺进行实时监控，而且可采用酸性溶液去除所述控片之二氧化硅薄膜层，并循环使用。

公开(公告)号：CN102856175B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201210352952.0

申请日：2012-09-19

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 任川 ,  王智 ,  张旭升

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/0603 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/32055

摘要： 本发明提供了一种炉管挡片结构制造方法。炉管挡片结构包括：硅衬底基片、布置在所述硅衬底基片上的氮化硅层、布置在所述氮化硅层上的二氧化硅层。在硅衬底基片上形成氮化硅层以形成硅-氮化硅结构；并且在第一步骤得到的硅-氮化硅结构上形成二氧化硅层，以得到形成硅-氮化硅-二氧化硅结构。根据本发明的具有特殊结构的炉管挡片消除挡片对生产片膜厚造成的影响，使产品片上得到的薄膜有良好的片与片之间的均匀性，同时不影响挡片正常的使用、回收。根据本发明的炉管挡片，其结构特点是在硅-氮化硅的结构上再覆盖二氧化硅，使炉管挡片与产品片表面的材料一致，消除淀积过程中的淀积速率差异，使产品片得到更好的片间均匀性。

公开(公告)号：CN102856175A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210352952.0

申请日：2012-09-19

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 任川 ,  王智 ,  张旭升

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/0603 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/32055

摘要： 本发明提供了一种炉管挡片结构及其制造方法。炉管挡片结构包括：硅衬底基片、布置在所述硅衬底基片上的氮化硅层、布置在所述氮化硅层上的二氧化硅层。在硅衬底基片上形成氮化硅层以形成硅-氮化硅结构；并且在第一步骤得到的硅-氮化硅结构上形成二氧化硅层，以得到形成硅-氮化硅-二氧化硅结构。根据本发明的具有特殊结构的炉管挡片消除挡片对生产片膜厚造成的影响，使产品片上得到的薄膜有良好的片与片之间的均匀性，同时不影响挡片正常的使用、回收。根据本发明的炉管挡片，其结构特点是在硅-氮化硅的结构上再覆盖二氧化硅，使炉管挡片与产品片表面的材料一致，消除淀积过程中的淀积速率差异，使产品片得到更好的片间均匀性。