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公开(公告)号：CN102029273B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201010502243.7
申请日：2010-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B08B3/12
CPC classification number: B08B3/12 , B08B3/048 , H01L21/67057 , H01L21/67313 , H01L21/67757
Abstract: 本发明提供一种超声波清洗装置、超声波清洗方法以及记录有用于执行该超声波清洗方法的计算机程序的记录介质。该超声波清洗装置包括：清洗槽，其用于积存清洗液；被处理体保持装置，其被设置成能够插入到清洗槽内，保持被处理体而将被处理体浸渍于清洗液中；振子，其设置在清洗槽的底部；超声波振荡装置，其使振子产生超声波振动。在清洗槽内设有保持被处理体的侧部保持构件。另外，被处理体保持装置利用驱动装置向侧方移动。控制装置以下述方式控制驱动装置：在将被处理体保持于侧部保持构件之后，使被处理体保持装置向侧方移动，并使振子产生超声波振动，使来自振子的超声波振动传播到被处理体。
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公开(公告)号：CN101814420A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910207402.8
申请日：2009-10-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , H01L21/673
CPC classification number: H01L21/67775 , H01L21/67727 , H01L21/67733 , H01L21/67736 , H01L21/67769 , H01L21/67778 , H01L21/687 , H01L2221/68368 , Y10S414/14
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括载置有收容了多枚基板的输送容器的装载部、以及保管输送容器的容器保管部，其中，能够谋求增大输送容器在装载部中的交接次数，由此，能够以较高的生产率处理基板。该基板处理装置利用分别沿着横向位置互不相同的第1输送通路(102A)及第2输送通路(102B)输送收容了多枚基板的输送容器(10)的第1输送装置(104A)及第2输送装置(104B)，包括：第1装载部(21)，利用第1输送装置(104A)交接输送容器(10)；第2装载部(22)，其呈台阶状设置于该第1装载部(21)上，利用第2输送装置(104B)交接输送容器(10)。
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公开(公告)号：CN1911489A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610101491.4
申请日：2006-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B01D53/26
CPC classification number: Y02P80/154
Abstract: 一种蒸汽干燥装置备有：处理室(1a)，收容半导体晶片(W)；供给喷嘴(2)，对该处理室(1a)内供给IPA蒸汽或者N2气体；两流体喷嘴(3)，生成IPA和N2气体的混合流体；蒸汽产生装置(10)，加热混合流体，生成IPA蒸汽；N2气体供给管(23)，连接于两流体喷嘴(3)的一次侧；以及混合流体供给管(22)，连接于两流体喷嘴的二次侧。在连接N2气体供给管和混合流体供给管(22)的分支管(25)上，设置有开闭阀(V2)。首先，将N2气体供给到两流体喷嘴(3)，且将IPA供给到两流体喷嘴(3)，而生成混合流体，并供给到处理室(1a)，进行第1干燥工序。接着，将N2气体经由两流体喷嘴(3)以及分支管(25)供给到处理室(1a)，进行第2干燥工序。
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公开(公告)号：CN1892094A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610105493.0
申请日：2006-07-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: F17D1/18
CPC classification number: F24H1/101 , F24H1/162 , F28F2245/06
Abstract: 本发明公开了一种流体加热设备，包括：卤素灯23；及管状结构26，它围绕加热灯，且具有流体入口24和流体出口25。管状结构26包括绕卤素灯23周向布置的多个直管26a，且相邻直管26a彼此接触，或彼此隔开少许。直管26a的至少面对卤素灯23的表面用黑涂料27或辐射光吸收涂料涂覆。
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公开(公告)号：CN102029273A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010502243.7
申请日：2010-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B08B3/12
CPC classification number: B08B3/12 , B08B3/048 , H01L21/67057 , H01L21/67313 , H01L21/67757
Abstract: 本发明提供一种超声波清洗装置、超声波清洗方法以及记录有用于执行该超声波清洗方法的计算机程序的记录介质。该超声波清洗装置包括：清洗槽，其用于积存清洗液；被处理体保持装置，其被设置成能够插入到清洗槽内，保持被处理体而将被处理体浸渍于清洗液中；振子，其设置在清洗槽的底部；超声波振荡装置，其使振子产生超声波振动。在清洗槽内设有保持被处理体的侧部保持构件。另外，被处理体保持装置利用驱动装置向侧方移动。控制装置以下述方式控制驱动装置：在将被处理体保持于侧部保持构件之后，使被处理体保持装置向侧方移动，并使振子产生超声波振动，使来自振子的超声波振动传播到被处理体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100554760C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610105493.0
申请日：2006-07-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: F17D1/18
CPC classification number: F24H1/101 , F24H1/162 , F28F2245/06
Abstract: 本发明公开了一种流体加热设备，包括：卤素灯(23)；及管状结构(26)，它围绕加热灯，且具有流体入口(24)和流体出口(25)。管状结构(26)包括绕卤素灯(23)周向布置的多个直管(26a)，且相邻直管(26a)彼此接触，或彼此隔开少许。直管(26a)的至少面对卤素灯(23)的表面用黑涂料(27)或辐射光吸收涂料涂覆。
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公开(公告)号：CN100411129C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510108471.5
申请日：2001-06-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 上川裕二
IPC: H01L21/677
Abstract: 液体处理装置，在对基板供应处理液体进行液体处理的液体处理装置中，具有：保持基板的保持机构，使前述保持机构旋转的旋转机构，具有使前述保持机构进入/退出用的运入、运出口，容纳前述保持机构，且对保持在前述保持机构上的基板进行规定的液体处理的处理腔室，在前述保持机构容纳在前述处理腔室内的状态下，将形成于前述处理腔室上的运入、运出口关闭的盖体，其中，前述保持机构与前述旋转机构及前述盖体具有整体结构。
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公开(公告)号：CN1286152C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN03122662.0
申请日：2003-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/00
CPC classification number: H01L21/67781 , Y10S134/902
Abstract: 本发明的液体处理装置在一边转动多个衬底一边向所述多个衬底供给处理液的情况下进行液体处理，它具有：用于装载容器的容器装载部，在容器中装载有以一定间距排列的多个衬底；衬底保持装置，用于以小于容器内的衬底排列间距的保持间距大体平行地保持多个衬底；衬底搬送机构，用于在装载于容器装载部的容器与衬底保持装置之间搬送衬底；使衬底保持装置转动的转动装置；能收容衬底保持装置的盒；向容纳于盒内的衬底供给处理液的处理液供给装置；其中衬底搬送机构具有衬底搬送装置，用于以大体水平姿势将每个衬底传递给装载于容器装载部上的容器并以大体水平姿势搬送所保持的衬底，并且在衬底保持装置中以任意间距保持衬底并且进行衬底的液体处理。
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公开(公告)号：CN102237260B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201110086730.4
申请日：2011-04-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 上川裕二
CPC classification number: H01L21/67057 , H01L21/67034 , H01L21/67763 , H01L21/67772
Abstract: 本发明提供能够在抑制图案歪斜、产生污垢的同时对被处理基板进行干燥的基板处理装置等。液槽(32)在将被处理基板(W)浸渍在液体中的状态下保持该被处理基板(W)，在处理容器(31)中，将该液槽配置在内部的处理空间(310)中，且将该液槽内的液体置换成超临界状态的流体从而进行使被处理基板干燥的处理。移动机构(352、353)使液槽在上述处理容器(31)内的处理位置和该处理容器的外部的准备位置之间移动，设在该处理容器(31)中的加热机构(312)使上述流体变为超临界状态或者使上述流体维持超临界状态，另一方面，冷却机构(334、335)对移动到上述处理容器(31)的外部的准备位置的液槽(32)进行冷却。
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公开(公告)号：CN102479671A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110344043.8
申请日：2011-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/04 , H01L21/02101 , H01L21/67017 , H01L21/6719
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置在使用高压流体进行被处理基板的处理时，能够防止高压流体经由被设于用于进行该处理的处理容器的配管向其他的设备的流入。在处理容器中，利用超临界状态或者亚临界状态的高压流体对被处理基板进行处理，该处理容器与在流体的流动方向上被分割成第1配管构件以及第2配管构件、并且供流体流通的配管连接。连接-分开机构使上述第1、第2配管构件中的至少一个在将第1配管构件和第2配管构件彼此连接起来的位置与将第1配管构件和第2配管构件分开的位置之间移动，开闭阀分别设于第1、第2配管构件、并且在使上述配管构件分开时被关闭。
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