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公开(公告)号：CN116837349A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310861258.X
申请日：2019-07-23
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/02 , C23C16/04 , C23C16/503
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。
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公开(公告)号：CN110777361A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910665735.9
申请日：2019-07-23
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/30 , H01L21/02
摘要： 本发明提供一种等离子体处理方法，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。
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公开(公告)号：CN108504996A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810183839.1
申请日：2018-02-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C14/32 , C23C14/12 , H01L21/312 , H01L21/67
摘要： 本发明的目的在于提供一种以规定的堆积物填埋被处理体的凹部的成膜方法和等离子体处理装置。所述成膜方法具有：将腔室的内部保持为规定的压力，将被处理体设置于冷却为-20℃以下的极低温的台上的工序；向所述腔室的内部供给包含低蒸气压材料的气体的气体的工序；以及由供给来的、所述包含低蒸气压材料的气体的气体生成等离子体，通过该等离子体来使由所述低蒸气压材料生成的前驱体堆积于被处理体的凹部中的工序。
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公开(公告)号：CN101552189B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200910129594.5
申请日：2009-03-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/3065 , H05H1/24 , G03F7/26
摘要： 本发明提供等离子体处理方法。其通过简便且有效的抗蚀剂改性法能够强化抗蚀剂的耐蚀刻性，提高薄膜加工的精度、稳定性。在腔室(10)内从上部电极(喷淋头)(60)喷出的处理气体在两电极(12、60)之间通过高频放电离解、电离而生成等离子体。在此，由可变直流电源(80)将直流电压(VDC)以负极性的高压施加在上部电极(60)上。这样，通过放电从电极板(62)释放出的2次电子e-在上部离子鞘(SHU)的电场中在与离子相反的方向上被加速并穿过等离子体(PR)，进一步横穿下部离子鞘(SHL)，以规定的高能被打入基座(12)上的半导体晶片(W)表而的抗蚀剂图案(100)。
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公开(公告)号：CN101160014A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710182349.1
申请日：2003-07-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 一种使用等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置，包含在处理室内相互对向的第一及第二电极。在第一和第二电极间，形成激励并等离子体化处理气体的RF电场。RF电源经匹配电路连接于第一及第二电极，提供RF电力。匹配电路自动进行输入阻抗相对RF电力的匹配。可变阻抗设定部经布线连接于在与等离子体电耦合的规定部件上。阻抗设定部设定作为与从等离子体输入规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗。配置控制部，向阻抗设定部提供关于反方向阻抗设定值的控制信号。
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公开(公告)号：CN112585728B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201980054485.3
申请日：2019-08-08
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
摘要： 提供一种处理方法，包括：埋入工序，在形成有凹部的基底膜埋入有机膜；以及蚀刻工序，在所述埋入工序之后，进行蚀刻直到所述基底膜的顶部的至少一部分暴露为止。
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公开(公告)号：CN110777361B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201910665735.9
申请日：2019-07-23
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/30 , H01L21/02
摘要： 本发明提供一种等离子体处理方法，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。
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公开(公告)号：CN108504996B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201810183839.1
申请日：2018-02-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C14/32 , C23C14/12 , H01L21/312 , H01L21/67
摘要： 本发明的目的在于提供一种以规定的堆积物填埋被处理体的凹部的成膜方法和等离子体处理装置。所述成膜方法具有：将腔室的内部保持为规定的压力，将被处理体设置于冷却为‑20℃以下的极低温的台上的工序；向所述腔室的内部供给包含低蒸气压材料的气体的气体的工序；以及由供给来的、所述包含低蒸气压材料的气体的气体生成等离子体，通过该等离子体来使由所述低蒸气压材料生成的前驱体堆积于被处理体的凹部中的工序。
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公开(公告)号：CN101160014B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200710182349.1
申请日：2003-07-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 一种使用等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置，包含在处理室内相互对向的第一及第二电极。在第一和第二电极间，形成激励并等离子体化处理气体的RF电场。RF电源经匹配电路连接于第一及第二电极，提供RF电力。匹配电路自动进行输入阻抗相对RF电力的匹配。可变阻抗设定部经布线连接于在与等离子体电耦合的规定部件上。阻抗设定部设定作为与从等离子体输入规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗。配置控制部，向阻抗设定部提供关于反方向阻抗设定值的控制信号。
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公开(公告)号：CN101552189A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910129594.5
申请日：2009-03-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/3065 , H05H1/24 , G03F7/26
摘要： 本发明提供等离子体处理方法。其通过简便且有效的抗蚀剂改性法能够强化抗蚀剂的耐蚀刻性，提高薄膜加工的精度、稳定性。在腔室(10)内从上部电极(喷淋头)(60)喷出的处理气体在两电极(12、60)之间通过高频放电离解、电离而生成等离子体。在此，由可变直流电源(80)将直流电压(VDC)以负极性的高压施加在上部电极(60)上。这样，通过放电从电极板(62)释放出的2次电子e－在上部离子鞘(SHU)的电场中在与离子相反的方向上被加速并穿过等离子体(PR)，进一步横穿下部离子鞘(SHL)，以规定的高能被打入基座(12)上的半导体晶片(W)表面的抗蚀剂图案(100)。
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