磁控溅射方法以及磁控溅射装置

    公开(公告)号:CN102084023B

    公开(公告)日:2013-01-02

    申请号:CN200980123383.9

    申请日:2009-06-17

    CPC classification number: C23C14/35 H01J37/3405 H01J37/3423

    Abstract: 在该溅射方法中,将多个细长堆积区域配置成:使得多个细长堆积区域在第一方向上分别横穿具有与半导体晶片相同的直径的圆形区域,并且在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开预定间隔排列;将多个细长堆积区域中的一个细长堆积区域配置成:使得一个细长堆积区域的沿第一方向延伸的边中的一边实质上通过圆形区域的中心;将多个细长堆积区域中的另一个细长堆积区域配置成:使得另一个细长堆积区域的在第二方向上的另一边通过圆形区域的边缘;设定多个细长区域中的每一个的宽度,使得将第二方向上的多个细长区域的多个宽度相加而得到的值等于圆形区域的半径;将多个细长靶配置成面对对应的多个细长区域,以使从多个细长靶射出的溅射粒子入射到对应的多个细长区域;与圆形区域重合地配置晶片;在将通过磁控放电生成的等离子体封闭在靶附近的情况下,使溅射粒子从靶的表面射出;使晶片以通过圆形区域的中心的法线作为旋转中心并以预定转速同轴旋转,从而在晶片表面上堆积膜。

    磁控溅射方法以及磁控溅射装置

    公开(公告)号:CN102084023A

    公开(公告)日:2011-06-01

    申请号:CN200980123383.9

    申请日:2009-06-17

    CPC classification number: C23C14/35 H01J37/3405 H01J37/3423

    Abstract: 在该溅射方法中,将多个细长堆积区域配置成:使得多个细长堆积区域在第一方向上分别横穿具有与半导体晶片相同的直径的圆形区域,并且在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开预定间隔排列;将多个细长堆积区域中的一个细长堆积区域配置成:使得一个细长堆积区域的沿第一方向延伸的边中的一边实质上通过圆形区域的中心;将多个细长堆积区域中的另一个细长堆积区域配置成:使得另一个细长堆积区域的在第二方向上的另一边通过圆形区域的边缘;设定多个细长区域中的每一个的宽度,使得将第二方向上的多个细长区域的多个宽度相加而得到的值等于圆形区域的半径;将多个细长靶配置成面对对应的多个细长区域,以使从多个细长靶射出的溅射粒子入射到对应的多个细长区域;与圆形区域重合地配置晶片;在将通过磁控放电生成的等离子体封闭在靶附近的情况下,使溅射粒子从靶的表面射出;使晶片以通过圆形区域的中心的法线作为旋转中心并以预定转速同轴旋转,从而在晶片表面上堆积膜。

    等离子体源和等离子体处理装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115696713A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202210808444.2

    申请日:2022-07-11

    Abstract: 本发明提供一种等离子体源和等离子体处理装置。等离子体源具有:第1腔室,构成为形成扁平的第1等离子体生成空间,并具有构成第1腔室的多个壁中的面积最大且相对的第1壁和第2壁;气体供给部,构成为能够向第1腔室内供给气体;电磁波供给部,在设置于第1壁的开口具有面向第1等离子体生成空间设置的电介质窗,并构成为能够经由电介质窗向第1腔室内供给电磁波;等离子体供给部,向第1腔室的外部供给等离子体中所含的自由基,该等离子体是利用电磁波从供给到第1腔室内的气体生成的等离子体;和等离子体点火源,在第1腔室内从与电介质窗相对的第2壁的内壁突出,并与电介质窗隔开间隔地设置。根据本发明,能够使等离子体的点火变得容易。

    等离子体处理装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113871281A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202110689591.8

    申请日:2021-06-22

    Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。在气体供给管从构成喷淋头的上部电极的中央向上方延伸的等离子体处理装置中,提高通过电磁波在腔室内生成的等离子体的密度的分布的均匀性。公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承部、喷淋头、气体供给管、导入部以及电磁波的供给路。喷淋头由金属形成,设置于基板支承部的上方,提供朝向腔室内的空间开口的多个气体孔。气体供给管由金属形成,在腔室的上方沿铅垂方向延伸,并与喷淋头的上部中央连接。导入部由电介质制成,并沿喷淋头的外周设置,以将电磁波从该导入部导入腔室内。供给路包括与气体供给管的环状的凸缘部连接的导体。

    等离子体处理装置和温度控制方法

    公开(公告)号:CN112466736A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202010893601.5

    申请日:2020-08-31

    Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和温度控制方法。在一个例示的实施方式中,等离子体处理装置包括多个微波辐射机构、载置台、下部加热源和上部加热源。多个微波辐射机构设置于处理容器的上部。载置台配置于处理容器内。下部加热源设置于载置台内。上部加热源配置于与载置台相对的位置。根据本发明,能够形成品质优良的膜。

    等离子体处理装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113871281B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202110689591.8

    申请日:2021-06-22

    Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。在气体供给管从构成喷淋头的上部电极的中央向上方延伸的等离子体处理装置中,提高通过电磁波在腔室内生成的等离子体的密度的分布的均匀性。公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承部、喷淋头、气体供给管、导入部以及电磁波的供给路。喷淋头由金属形成,设置于基板支承部的上方,提供朝向腔室内的空间开口的多个气体孔。气体供给管由金属形成,在腔室的上方沿铅垂方向延伸,并与喷淋头的上部中央连接。导入部由电介质制成,并沿喷淋头的外周设置,以将电磁波从该导入部导入腔室内。供给路包括与气体供给管的环状的凸缘部连接的导体。

    载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法

    公开(公告)号:CN113284784A

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202110172280.4

    申请日:2021-02-08

    Abstract: 一种载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法。期待能够在基板的边缘附近高效地产生等离子体的载置台、等离子体处理装置以及等离子体处理方法。在一个例示性的实施方式中,提供一种具有载置面的载置台。该载置台的特征在于,载置台具有厚度,包括埋设有高频电极的载置台主体,载置台主体包含陶瓷,高频电极在载置面的外周部下方区域沿上述的厚度的方向延伸。

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