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公开(公告)号：CN112444321A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010908594.1
申请日：2020-09-02
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 株式会社古屋金属
摘要： 提供一种具有多个测温部的热电偶结构，其能够实现省空间化。该热电偶结构，包括：第一热电偶线；多个第二热电偶线，与所述第一热电偶线的顶端或中间的不同位置接合，并且由与所述第一热电偶线不同的材料形成；绝缘性的覆盖部件，覆盖所述第一热电偶线和所述第二热电偶线中的至少任意一者；以及保护管，容纳所述第一热电偶线和所述第二热电偶线。
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公开(公告)号：CN105990196B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201610157102.3
申请日：2016-03-18
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/677 , H01L21/673
摘要： 本发明提供一种夹持装置、基板输入输出装置以及基板处理装置。本发明的夹持装置(100)包括：夹持构件(81)，在对设置于基板收纳容器(C)的正面的盖体(68)进行开闭时，该夹持构件(81)能够从上方与该基板收纳容器接触而将所述基板收纳容器固定于预定位置；驱动机构(86、87)，其用于驱动所述夹持构件；壳体(85)，其用于覆盖该驱动机构；排气室(90)，其具有与该壳体连通的吸入口(91)，并设于该壳体的附近；风扇(94)，其设置于该排气室内。
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公开(公告)号：CN101118841B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200710140224.2
申请日：2007-08-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/45578 , C23C16/345
摘要： 本发明涉及一种半导体处理用的热处理装置，包括反应管，该反应管具有对以一定间隔层叠的多个被处理基板进行容纳的处理区域。气体供给管路一体地附设在上述反应管的壁的外侧上，在覆盖上述处理区域的范围内，沿上下方向延伸。在上述反应管的上述壁的侧部上形成多个气体喷出孔，该气体喷出孔在覆盖上述处理区域的范围内，沿上下方向排列，并且与上述气体供给管路连通。将处理气体供给上述处理区域的气体供给系统，经由上述气体供给管路和上述多个气体喷出孔与上述气体供给管路的底部连接。
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公开(公告)号：CN1990910B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200610156579.6
申请日：2006-12-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 井上久司
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/52 , H01L21/677 , G05B15/02 , G11C11/00
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/52
摘要： 在反应容器内，在被晶舟所保持的基板上形成氮化硅膜，然后从反应容器中搬出晶舟，接着，在将保持有应进行处理的未处理基板的晶舟搬入反应容器中时，从晶舟开始被搬入反应容器内到反应容器的搬入搬出口被封闭为止的这一期间，使加热反应容器用的加热器的设定温度连续上升。这样，不仅可以防止因搬入冷的晶舟导致反应容器的内壁温度下降，还能防止附着在反应容器内壁上的反应主产物或者反应副产物发生意外的剥离，防止剥离片引起的对未处理晶片的污染。
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公开(公告)号：CN101552185B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200910129251.9
申请日：2009-04-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/324 , C23C16/00
CPC分类号： H01L21/67109
摘要： 本发明涉及半导体处理用的反应管和热处理装置。隔开间隔以层叠状态收纳多个被处理体并在减压条件下对上述被处理体实施热处理的半导体处理用的反应管通过电绝缘性且耐热性材料一体地形成。该反应管包括：圆筒形的侧壁，其在下端具有用于相对于上述反应管装载及卸载上述被处理体的装载口；和圆形的顶壁，其闭塞上述侧壁的上端并且与上述侧壁的轴方向正交，内表面形成为平面状，上述顶壁在外表面侧的周边区域具有沿着上述侧壁形成的环状槽。
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公开(公告)号：CN101552185A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910129251.9
申请日：2009-04-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/324 , C23C16/00
CPC分类号： H01L21/67109
摘要： 本发明涉及半导体处理用的反应管和热处理装置。隔开间隔以层叠状态收纳多个被处理体并在减压条件下对上述被处理体实施热处理的半导体处理用的反应管通过电绝缘性且耐热性材料一体地形成。该反应管包括：圆筒形的侧壁，其在下端具有用于相对于上述反应管装载及卸载上述被处理体的装载口；和圆形的顶壁，其闭塞上述侧壁的上端并且与上述侧壁的轴方向正交，内表面形成为平面状，上述顶壁在外表面侧的周边区域具有沿着上述侧壁形成的环状槽。
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公开(公告)号：CN101399173A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810161425.5
申请日：2008-09-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/673 , F27D5/00
摘要： 提供一种确保处理均匀性，并相比以往增加基板保持件搭载块数的热处理方法和热处理装置。多块被处理基板(w)沿着上下方向且以规定间隔搭载到基板保持件(10)上，将该基板保持件(10)搬入热处理炉(3)内，对被处理基板进行规定热处理。上述基板保持件(10)具有2个保持件构成体(10a)、(10b)，各保持件构成体(10a)、(10b)具备：配置在同一圆周上的多根支柱(28)、设置在各支柱(28)上且支撑被处理基板(w)周边部的基板支撑部(30)。在一个保持件构成体(10a)上搭载将表面作为上表面的被处理基板，在另外一个保持件构成体(10b)上搭载将背面作为上表面的被处理基板，由此，使上下相邻的被处理基板(w)背面对背面和表面对表面交替。
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公开(公告)号：CN110858560B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201910773338.3
申请日：2019-08-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/02
摘要： 本发明涉及升降装置、半导体制造装置的组装装置及其组装方法，能够减轻在组装半导体制造装置时操作者的负担。本发明的一个方式的升降装置包括：在上下方向延伸的轴部；能够沿上述轴部升降的第一升降部；使上述第一升降部升降的第一驱动部；能够在比上述第一升降部靠下方的位置沿上述轴部升降的第二升降部；和使上述第二升降部升降的第二驱动部。
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公开(公告)号：CN110416117B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910332998.8
申请日：2019-04-24
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种能够缩短半导体制造装置的组装工期的技术。本发明的一个方式的半导体制造装置的组装装置是包括在下端具有开口的反应管的半导体制造装置的组装装置，其包括：主体；升降装置，其安装在上述主体，用于保持上述反应管并使其升降；对上述反应管的内部供给气体的气体供给装置；和对上述反应管的内部进行排气的排气装置。
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公开(公告)号：CN110416117A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910332998.8
申请日：2019-04-24
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种能够缩短半导体制造装置的组装工期的技术。本发明的一个方式的半导体制造装置的组装装置是包括在下端具有开口的反应管的半导体制造装置的组装装置，其包括：主体；升降装置，其安装在上述主体，用于保持上述反应管并使其升降；对上述反应管的内部供给气体的气体供给装置；和对上述反应管的内部进行排气的排气装置。
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