基于耦合阻抗模型求取视在阻抗模型的方法及装置

    公开(公告)号:CN110866338B

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN201911108716.2

    申请日:2019-11-13

    IPC分类号: G06F30/20

    摘要: 本发明公开了一种基于耦合阻抗模型求取视在阻抗模型的方法及装置,其中,该方法包括以下步骤:构造求取阻抗模型的测试系统;获取测试系统中待测设备的耦合阻抗模型和系统阻抗,并根据耦合阻抗模型和系统阻抗推导出耦合阻抗模型与视在阻抗模型的关系;判断待测设备是否存在频率耦合,若不存在频率耦合,则耦合阻抗模型对角元为视在阻抗模型,若存在频率耦合,则根据耦合阻抗模型与视在阻抗模型的关系求取视在阻抗模型。该方法弥补了目前对耦合阻抗模型与视在阻抗模型关系研究的空白,为准确辨识电力设备阻抗模型提供了理论依据。

    基于耦合阻抗模型求取视在阻抗模型的方法及装置

    公开(公告)号:CN110866338A

    公开(公告)日:2020-03-06

    申请号:CN201911108716.2

    申请日:2019-11-13

    IPC分类号: G06F30/20

    摘要: 本发明公开了一种基于耦合阻抗模型求取视在阻抗模型的方法及装置,其中,该方法包括以下步骤:构造求取阻抗模型的测试系统;获取测试系统中待测设备的耦合阻抗模型和系统阻抗,并根据耦合阻抗模型和系统阻抗推导出耦合阻抗模型与视在阻抗模型的关系;判断待测设备是否存在频率耦合,若不存在频率耦合,则耦合阻抗模型对角元为视在阻抗模型,若存在频率耦合,则根据耦合阻抗模型与视在阻抗模型的关系求取视在阻抗模型。该方法弥补了目前对耦合阻抗模型与视在阻抗模型关系研究的空白,为准确辨识电力设备阻抗模型提供了理论依据。

    一种柔性触觉式移动机器人操作输入装置及交互方法

    公开(公告)号:CN113093948B

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202110464989.1

    申请日:2021-04-28

    申请人: 东南大学

    IPC分类号: G06F3/041 G06F3/044

    摘要: 本发明公开了一种柔性触觉式移动机器人操作输入装置,并提出了一种抚摸式交互输入方法,提出了解码抚摸式交互下阵列式力触觉信号的方法,获得移动机器人矢量速度输入以控制机器人的运动。所述移动触觉式操作输入装置是基于有机硅的电容式传感器,包括两层屏蔽层,两层导电层和一层介电层,其中介电层部分由50um的PDMS构成,导电层由0.5mm的导电硅胶构成,屏蔽层由0.1mm的硅胶材料构成;所述抚摸式交互输入方法如下:用户沿着给定方向以不同速度抚摸柔性触觉传感器,通过解码柔性触觉传感器获得的阵列式力触觉信号,估计出抚摸动作的速度方向及大小,形成矢量v作为移动机器人的速度控制输入。

    一种基于ZnO微米线的波长可调的WGM紫外激光器及其波长调控方法

    公开(公告)号:CN114122909B

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202111319525.8

    申请日:2021-11-09

    申请人: 东南大学

    IPC分类号: H01S5/10 H01S5/30

    摘要: 本发明公开了一种基于ZnO微米线的波长可调的WGM紫外激光器及其波长调控方法,激光器包括:ZnO微米线、石英玻璃和金属电极,金属电极位于ZnO微米线两端,ZnO微米线通过金属电极固定在石英玻璃上,金属电极与电源通过导线连接;波长调控方法包括如下步骤:(1)通过CVD方法生长出结晶质量良好的ZnO微米线;(2)将单根ZnO微米线固定至石英玻璃上,沿ZnO微米线Z轴方向设置等间距的金属电极,用导线引出与电源相连;(3)将325nm飞秒激光通过微区系统聚焦至ZnO微米线表面,ZnO微米线受激发射,获得WGM紫外激光并通过光谱仪收集WGM紫外激光光谱;(4)给ZnO微米线施加不同的外加电压,获得不同的波长移动效果。本发明灵敏度高,调节速度快,调节效果稳定。

    一种基于n-ZnO/PEDOT/HfO2/p-GaN的紫外激光二极管及制备方法

    公开(公告)号:CN114024212A

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202111214135.4

    申请日:2021-10-19

    申请人: 东南大学

    IPC分类号: H01S5/327 H01S5/323

    摘要: 本发明公开了一种基于n‑ZnO/PEDOT/HfO2/p‑GaN的紫外激光二极管及制备方法,二极管包括:n‑ZnO纳米棒、p‑GaN薄膜、PEDOT薄膜、HfO2薄膜、PMMA保护层和金属电极;方法包括如下步骤:采用磁控溅射法在p‑GaN薄膜上沉积一定厚度的HfO2薄膜,然后在HfO2薄膜上旋涂PEDOT薄膜,再旋涂分散了ZnO纳米棒的乙醇溶液,加热烘干,旋涂PMMA保护层,至PMMA保护层漫过n‑ZnO纳米棒,加热使PMMA保护层凝固,然后利用氧等离子体刻蚀,将PMMA保护层刻蚀至n‑ZnO纳米棒露出,分别在p‑GaN薄膜和n‑ZnO纳米棒上制备金属电极,构成完整的器件。本发明能够有效降低界面处的光学损耗,增加载流子注入效率,实现电场驱动下的紫外激光行为。

    一种交流调磁型记忆电机直接转矩磁链控制方法

    公开(公告)号:CN110995109B

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN201911035686.7

    申请日:2019-10-29

    申请人: 东南大学

    IPC分类号: H02P25/02 H02P23/30 H02P23/00

    摘要: 本发明公开了一种转子永磁交流调磁型记忆电机直接转矩磁链控制方法,其主要步骤包括:在正常工作模式下,采用直轴电流id=0条件下的直接转矩控制方法;需要进行调磁时通过短时给定磁链脉冲信号实现调磁;调磁过程结束后恢复id=0条件下的直接转矩控制方法。相对于传统交流调磁型记忆电机矢量控制方法,本发明避免了复杂的实时解耦算法,在减小电机高速区定子铜耗的同时改善了其动态响应,实现系统转矩输出能力和运行效率的提高。与定子永磁直流调磁型记忆电机直接转矩控制方法相比,该方法无需额外的调磁绕组和调磁电源,大大简化了驱动控制系统结构。