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公开(公告)号：CN114923964A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210182600.9
申请日：2022-02-27
Applicant: 复旦大学 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于电催化和X射线光谱学技术领域，具体为一种电化学原位X射线谱学电解池及其检测方法和应用。本发明电解池包括：顶盖，用作工作电极集流体和通光孔；聚合物膜电极，用于承载待测样品；池体，储存电解质，为电解反应的场所；底座，用于安置辅助电极，密封电解液，支撑所述池体并与各类X射线光谱仪连接；所述顶盖、聚合物膜电极、池体和底座顺序叠加密封。本发明解决了高真空条件下电化学原位软X射线光谱测试的困难，能够实现高真空条件下电催化剂与电极材料的原位电化学X射线光电子能谱测量，软X射线吸收谱测量。所述电解池可用于膜电极组件的原位电化学拉曼光谱和衰减全反射红外光谱的测量。
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公开(公告)号：CN111763923A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010622448.2
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种二维材料层制备后转移方法，包括：在衬底表面形成二维材料层，在该二维材料层上旋凃高分子涂层；将衬底腐蚀掉，再将腐蚀掉衬底的二维材料层放置于目标基体上，然后置于加热板上加热，除去高分子涂层。该方法可以简单、高效、稳定地将大尺寸石墨烯完整地转移到目标基体上。
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公开(公告)号：CN103137565A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110384236.6
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/8249 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种图形化绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Co层，然后使Co层与Si衬底两次反应生成CoSi2，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间的部分区域插入一层金属硅化物CoSi2，以代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，未插入CoSi2的区域用以制造MOS器件，从而达到减小顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN103137546A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110384180.4
申请日：2011-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/8248
Abstract: 本发明提供一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Ni层，通过退火工艺使Ni层与Si衬底反应生成NiSi2，通过刻蚀工艺控制不同区域的顶层硅厚度，以合理选择用于制备双极电路和用于制备CMOS电路的顶层硅厚度。最后通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间的部分区域插入一层金属硅化物NiSi2，代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，未插入NiSi2的区域用以制造MOS器件，从而达到减少双极电路所需的顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN102468124A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010532645.1
申请日：2010-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/283 , C30B25/18 , C30B33/02
CPC classification number: C30B29/52 , C30B1/00 , H01L21/28518 , H01L29/165 , H01L29/456
Abstract: 本发明公开了一种利用Al插入层外延生长NiSiGe材料的方法，该方法包括在SiGe层表面淀积一层Al薄膜，并在Al薄膜上淀积出一Ni层，然后进行退火工艺，使Ni层与SiGe层的SiGe材料进行反应，生成NiSiGe材料。因为Al插入层的阻挡作用，NiSiGe层具有单晶结构，和SiGe衬底的界面很平整，可以达到0.3nm，可以大幅度提高界面的性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101958238A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010223192.4
申请日：2010-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种制备悬空应变材料的方法，其特征在于制备的步骤是：a)提供一层具有各向异性腐蚀特性的半导体衬底材料；b)在步骤a所述的半导体材料上外延生长一层晶格常数比衬底材料大的晶体材料，外延的晶体材料层的厚度控制在临界厚度之内；c)接着在衬底材料底部上涂光刻胶，曝光刻蚀出所需的图形；d)对衬底材料进行湿法刻蚀，放入到KOH或TMAH溶液中，刻蚀到外延的晶体材料处自动停止；e)将步骤d所得材料进行退火工艺，使外延晶体材料中应力完全释放；退火温度为300-1000℃；f)退火后在图形上外延淀积晶体层，使晶体层受压应力或张应力；g)腐蚀移除晶体材料，从而制得悬空的应变材料，制备出的悬空材料中不存在应力释放，也即制备出的悬空材料无应力释放。
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公开(公告)号：CN101266176A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810036214.9
申请日：2008-04-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于硅硅键合的绝缘体上硅(SOI)的高温压力传感器芯片及制作方法，属于传感器芯片领域。其特征在于支撑硅衬底上的浅槽和导气孔都是通过各向异性腐蚀形成，通过控制腐蚀时间获得适当的浅槽深度可以实现器件的过压保护。将支撑硅衬底与倒扣的SOI片进行键合，对SOI片的背面进行减薄和抛光后在剩余的顶层硅上制备力敏电阻。由于采用SOI的氧化埋层来实现敏感元件和弹性元件的隔离，器件在高温环境下仍能正常工作。
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公开(公告)号：CN118448260A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410410880.3
申请日：2024-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/16 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种利用钽插入层调节Ni/Ge反应及NiGe/n‑Ge肖特基接触的方法，本发明采用金属Ta层作为插入层，在快速退火阶段Ta层的存在使Ni原子扩散变缓，使得与Ge衬底的反应更加的平衡，从而避免发生团聚现象，获得了一种均匀性良好，界面性能得到改善的金属/半导体材料，且Ta插入层的存在缓解了费米能级钉扎，降低了肖特基势垒高度，同时解决了两大技术难题。
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公开(公告)号：CN106711019B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201510792045.1
申请日：2015-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种利用可控缺陷石墨烯插入层制备金属‑半导体合金的方法，包括以下步骤：1）提供半导体衬底；2）在半导体衬底表面形成石墨烯；3）对石墨烯进行离子注入，以得到密度可控的缺陷石墨烯；4）在缺陷石墨烯表面形成金属层；5）对步骤4）得到的结构进行退火处理，形成金属‑半导体合金层。通过在半导体衬底与金属层之间形成石墨烯插入层，可以有效地改善半导体衬底与金属‑半导体合金层的界面的接触特性，外延得到的金属‑半导体合金层质量更好、性能更加稳定；石墨烯插入层具有较高的电子迁移率，可以有效地降低外延生长的金属‑半导体合金层电阻及半导体衬底与金属‑半导体合金层的接触电阻，从而提高其电学性能。
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公开(公告)号：CN106328502B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510355810.3
申请日：2015-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/324 , C30B29/10
Abstract: 本发明提供一种SiGeSn材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底包含SiGe层；向所述SiGe层内注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体；将注入后的所述衬底进行退火处理。本发明的SiGeSn材料及其制备方法相较于现有技术具有成本低廉、工艺简单、质量更好、更利于大规模生产的优点。
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