公开(公告)号：CN107919383B

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201710887817.9

申请日：2017-09-27

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 斋藤顺 ,  浦上泰 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种开关元件，抑制在连接区域产生的电场。开关元件具备：半导体基板；沟槽，设于半导体基板的上表面；栅极绝缘层，覆盖沟槽的内表面；以及栅电极，配置于沟槽内，并且通过栅极绝缘层而与半导体基板绝缘。半导体基板具备：第一导电型的第一半导体区域，与栅极绝缘层接触；第二导电型的体区域，在第一半导体区域的下侧与栅极绝缘层接触；第一导电型的第二半导体区域，在体区域的下侧与栅极绝缘层接触；第二导电型的底部区域，在沟槽的底面与栅极绝缘层接触；以及第二导电型的连接区域，在沟槽的侧面与栅极绝缘层接触，并且将体区域与底部区域连接。连接区域的厚度比底部区域的厚度厚。

公开(公告)号：CN110226233A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201880006962.4

申请日：2018-01-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 竹内有一 ,  秋叶敦也 ,  青井佐智子 ,  铃木克己

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 使得从相对于半导体衬底的表面的法线方向观察时小平面(F)不与沟槽栅构造的前端重叠。由此，用来形成沟槽栅构造的沟槽(6)的底面的深度变得均匀，能够以在底面没有凹凸的状态形成栅极绝缘膜(7)，所以能够使栅极绝缘膜(7)的膜厚成为一定。因而，能够将p型深层(5)及p型深层(30)形成到较深的位置，并且能够得到栅极绝缘膜(7)的耐压。

公开(公告)号：CN110050349A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201780075779.5

申请日：2017-12-12

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 竹内有一 ,  铃木龙太 ,  永冈达司 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 在保护环部中，通过在n-型漂移层(2)的表层部形成电场缓和用的电场缓和层(40)，从而抑制电场进入p型保护环(21)之间。由此，电场集中得到缓和，由电场集中引起的层间绝缘膜(10)的击穿得到抑制，能够抑制耐压下降。因此，能够制成可得到所期望的耐压的SiC半导体装置。

公开(公告)号：CN104919594B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201480004973.0

申请日：2014-01-09

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 青井佐智子 ,  渡辺行彦 ,  铃木克己 ,  水野祥司

IPC: H01L29/66

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括:在漂移层的第一区域中形成第一沟槽,该漂移层具有包括第一区域和第二区域的表面；在形成第一沟槽之后,在漂移层的表面上生长p型基极层的晶体；以及在基极层的表面上生长n型源极层的晶体。漂移层的材料、基极层的材料和源极层的材料是宽带隙半导体。

公开(公告)号：CN107004700A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580067401.1

申请日：2015-07-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  小野木淳士 ,  青井佐智子 ,  水野祥司

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置(1)具备形成有半导体元件的半导体基板(2)和形成于半导体基板(2)之上的绝缘膜(30)。半导体基板(2)具备第一部分(10)和厚度比第一部分(10)薄的第二部分(20)。第二部分(20)的上表面(21)位于比第一部分(10)的上表面(11)靠下方处。在位于第一部分(10)与第二部分(20)相邻的位置的第二部分(20)的上表面(21)形成有在半导体基板(2)的厚度方向上延伸的凹部(50)。绝缘膜(30)从第一部分(10)延伸到第二部分(20)，并填充凹部(50)。

公开(公告)号：CN106415843A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201480069430.7

申请日：2014-12-22

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 青井佐智子 ,  渡辺行彦 ,  铃木克己 ,  铃木巨裕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明所要解决的问题是提高半导体装置2的外围区6的耐压。在半导体基板的表面上的位置处在外围区6中形成有resurf层32和保护环30。保护环30比resurf层32形成得更深，当保护环30较浅且resurf层32的杂质浓度低时，resurf层32的深部的电位分布变得不稳定,因此resurf层32不能充分地显现出提高耐压的效果。当保护环30深时，保护环30的杂质浓度高，resurf层32的深部处的电位分布由保护环调节，并且resurf层32充分地显现出提高耐压的效果。

公开(公告)号：CN102376709B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201110241326.X

申请日：2011-08-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 小山雅纪 ,  大仓康嗣 ,  添野明高 ,  永冈达司 ,  杉山隆英 ,  青井佐智子 ,  井口紘子

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8613

Abstract: 在一种半导体器件中，IGBT单元(10)包括穿过半导体衬底(32)的基底层(31)到达半导体衬底(32)的漂移层(30)的沟槽(35)，沟槽(35)内表面上的栅极绝缘膜(36)，栅极绝缘膜(36)上的栅极电极(37a)，基底层(31)表面部分中的第一导电类型的发射极区(38)，以及基底层(31)表面部分中第二导电类型的第一接触区(39)。IGBT单元还包括设置于基底层(31)之内的第一导电类型的浮置层(40)，以将基底层(31)分成包括发射极区(38)和第一接触区(39)的第一部分以及与漂移层(30)相邻的第二部分，以及被设置成覆盖栅极电极(37a)的末端的层间绝缘膜(41)。二极管单元(20)包括基底层(31)的表面部分中的第二导电类型的第二接触区(42)。

公开(公告)号：CN102473705A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080034016.4

申请日：2010-06-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 齐藤顺 ,  青井佐智子 ,  杉山隆英

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在半导体装置的半导体层中形成有二极管区和IGBT区。在半导体层中形成有寿命控制区。寿命控制区具有在俯视观察时位于二极管区中的第一寿命控制区、和位于IGBT区的一部分中的第二寿命控制区。该第二寿命控制区从二极管区和IGBT区的边界起朝向IGBT区内延伸。第二寿命控制区的前端在俯视观察时位于IGBT区中的体区的形成范围内。

公开(公告)号：CN110050349B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201780075779.5

申请日：2017-12-12

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 竹内有一 ,  铃木龙太 ,  永冈达司 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 在保护环部中，通过在n‑型漂移层(2)的表层部形成电场缓和用的电场缓和层(40)，从而抑制电场进入p型保护环(21)之间。由此，电场集中得到缓和，由电场集中引起的层间绝缘膜(10)的击穿得到抑制，能够抑制耐压下降。因此，能够制成可得到所期望的耐压的SiC半导体装置。

公开(公告)号：CN107004700B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201580067401.1

申请日：2015-07-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  小野木淳士 ,  青井佐智子 ,  水野祥司

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置(1)具备形成有半导体元件的半导体基板(2)和形成于半导体基板(2)之上的绝缘膜(30)。半导体基板(2)具备第一部分(10)和厚度比第一部分(10)薄的第二部分(20)。第二部分(20)的上表面(21)位于比第一部分(10)的上表面(11)靠下方处。在位于第一部分(10)与第二部分(20)相邻的位置的第二部分(20)的上表面(21)形成有在半导体基板(2)的厚度方向上延伸的凹部(50)。绝缘膜(30)从第一部分(10)延伸到第二部分(20)，并填充凹部(50)。